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如何对stm32的内置flash进行读写呢

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 STM32的flash有何作用？如何对stm32的内置flash进行读写呢？ 0
2021-11-25 07:02:18　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答爱与友人该类别下有 32 个回答。邀请回答举报雅博电子科技相关推荐 • 如何对STM32内部的Flash进行读写呢 1915 • 如何对STM32 HAL库的FLASH进行读写呢 1187 • 怎样对STM32内部的FLASH进行读写操作呢 2004 • 如何通过对flash的读写实现stm32的编程操作？ 1786 • 如何在MCU片内进行Flash读写呢 2430 • 读写STM32内部的FLASH问题解析 758 • 有哪位大神有STM32L496ZG内部Flash闪存读写的示例代码呢？ 387 • 如何使用STM32F1的SPI和FLASH进行通信来实现数据的读写操作呢 1593 • 在RT-Thread Studio下怎样读写STM32F103芯片内部自带的FLASH呢？ 687 • 怎样进行STM32 FLASH的擦除编程工作呢 2789 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 最近尝试了一下对32的内置flash进行读写，众所周知，芯片的flash是用来存放代码指令和变量的，其中的数据即使掉电也不会丢失。而stm32的flash之大，对于初学者的小打小闹完全不用担心不够用的情况。因此，在需要保存一些芯片掉电之后依旧需要保存的数据（数据量不是特别大）时，运用内置flash的空闲部分可以为我们省去一颗eeprom或外置flash的花销。知识总结： 1.flash的写入之前需要先擦除，且擦除是直接擦除一页（2KBytes），整个流程为（1）解锁flash（2）擦除一页或多页（3）写数据（4）锁定flash 2.flash正常写入一次是16bit 3.flash的地址从0x08000000开始，存储代码指令与变量。所以在用户自己写flash时，要注意不要把代码指令与变量给覆盖了。查看编译过的代码使用了多少内存，可在Keil中双击工程名查看.map文件基地址加上Size就是代码指令与变量占用的空间。在写入用户数据时，要避开这些地方。以下是基于正点原子库函数的flash读写代码。在STM32F103RCT6测试通过。可以直接复制使用，好用请为博客点个赞！* flash.h: #ifndef _FLASH_H #define _FLASH_H #include "stm32f10x.h" extern uint32_t Flash_EraseWriteOnePage(uint32_t WRITE_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t DataAddress); extern void Flash_ReadOnePage(uint32_t READ_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t DataAddress); #endif flash.c / //Author: Read Air //Version: 1.0 //Date:2019/4/18 / #include "flash.h" #include "stm32f10x.h" /// //WRITE_START_ADDR -- 开始写的地址 //SizeOf_u32 -- 要写入的32位（双字）的数量 //DataAddress -- 等待被写入的数据数组（32位的） //返回值 -- 出现擦除失败故障返回写入地址,正常返回0 /// uint32_t Flash_EraseWriteOnePage(uint32_t WRITE_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t DataAddress) { char EraseCounter = 0; static FLASH_Status FLASHStatus; uint32_t Address; u16 Remain_u32 = SizeOf_u32; u8 err_time=0; / 解锁 / FLASH_Unlock(); / 清空所有标志位 / FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP \| FLASH_FLAG_PGERR \| FLASH_FLAG_WRPRTERR); / 擦除一页/ FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR); / 尝试擦除/ while((FLASHStatus != FLASH_COMPLETE)&&(err_time<5)) { FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR); err_time++; } / 擦除失败/ if (err_time >= 5) return WRITE_START_ADDR; / 向内部 FLASH 写入数据 / Address = WRITE_START_ADDR; while ((Remain_u32 > 0) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)) { FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, DataAddress[SizeOf_u32-Remain_u32]); Address = Address + 4; Remain_u32--; } / 锁定/ FLASH_Lock(); return 0; } /// //READ_START_ADDR -- 开始写的地址 //SizeOf_u32 -- 要读出的32位（双字）的数量 //DataAddress -- 等待被读出的数据数组（32位的） /// void Flash_ReadOnePage(uint32_t READ_START_ADDR,u16 SizeOf_u32,uint32_t DataAddress) { uint32_t Address; u16 Remain_u32 = SizeOf_u32; /* 检查写入的数据是否正确 / Address = READ_START_ADDR; while ((Remain_u32 > 0)) { DataAddress[SizeOf_u32-Remain_u32] = ((__IO uint32_t*) Address); Address += 4; Remain_u32--; } } //注意事项： //1、对flash进行写入操作，一定要遵循“先擦除，后写入”的原则 //2、注意到stm32内置flash的擦除操作都是以页为单位进行，而写入操作则必须以16位半字宽度数据为单位，允许跨页写，尝试写入非16位半字数据将导致stm32内部总线错误。 //3、进行stm32的内置flash编程操作时（写或擦除），必须打开内部的RC振荡器（HSI） //4、注意stm32的内置flash最多只有10万次重复擦写的生命周期，谨记切勿在程序中放任死循环对flash进行持续地重复擦写。

2021-11-25 15:13:38 评论举报 crhm51900928