怎样在STM32cubeIDE中新建一个带hal库的空工程呢

1.问题缘由

产品的嵌入式软件框架一般是bootloader + app + 上位机的形式 。这里的app不是手机app，而是产品的业务逻辑代码，也是最核心的代码。
bootoader和app是打包在一起，作为整个产品的固件烧入到产品中。bootloader主要负责对芯片加密（防止产品软件被破解），对app进行校验以及对app进行升级。上位机就是电脑端的软件，主要用于对产品的参数进行标定（所谓的标定是指下位机参数的清除或设置，不同的参数组合会导致系统的运行效果不一样），并且可以结合bootloader对app进行升级，也就是iap升级；故障诊断以及下线测试。
这个 框架有两个地方涉及到对flash的读写 。
（1）用bootloader+上位机对app进行升级时，也就是做iap升级时，需要写flash；在系统启动时，bootloader需要对app进行crc校验，此时需要读flash。
（2）用上位机对下位机进行标定后，在本次系统关机时（为什么在关机时才写flash，而不是在系统正常运行过程中写？因为我们没有外接其他存储介质，所以我们的代码也是在flash（irom：nor flash）中运行的，flash在写的时候，cpu不能同时从flash里面读取指令，如果是在实时性要求非常高的领域，譬如电机控制，由于写flash的这十几毫秒会导致电机失步，所以在关机时统一写一次flash（不是每次关机都会写，只有参数修改了才会写）），需要写flash；在系统启动并跳转到app时，需要读取flash保存的参数，用于初始化各种硬件，此时需要读flash。
原有的下位机用的是stm32f103为平台进行软件开发。该芯片一次性只能写16bit的数据，并且往flash写完16bit的数据之后，不计算和保存ecc。所以在读取flash时，存在数据出错的风险，但好在风险不大，对于绝大多数产品不会有太大影响。但如果是通勤类产品，譬如电动车，就需要非常好的安全性。
后来出于成本考虑， 公司将stm32f103平台换成了stm32g071平台，后者可以节省2到3元 。如果每年出货1000万台，就可以节省2000到3000万物料成本。并且g071平台的flash读写会做ecc校验，比较可靠，所以后面就主推g071平台。

2.Ecc校验是什么意思？

stm32g071平台一次可以往flash写64bit的数据（最少是64bit，其他的没有测试过），写64bit后，flash模块会自己根据这64bit的数据计算出一个8bit的ecc校验码，然后再把校验码也写到flash里面。校验码写到flash哪里？原来该芯片的flash的每一个单元不是64bit，而是72bit，前64bit是真实的数据，后8bit就是用来存ecc的，只不过这8bit的地址对于我们来说是不可见的。
读flash时，会先根据要读地址空间的64bit数据计算出一个ecc校验码，然后将其和写数据时保存的ecc校验码进行比对，如果是一样的，就可以正常读取；如果不一样，如果是只有1bit的数据出错，ecc模块会自动校正；否则，会产生不可屏蔽中断，即NMI_Handler函数会被调用。

3.存在的风险

下位机下面的两种情况会导致这个风险：flash来不急将ECC校验码写到flash中，导致下次读取该地址时，ECC校验失败，系统跳到NMI不可屏蔽中断中，使产品成为砖头。
（1）因为会通过上位机更新app，如果在更新的过程中断电，很有可能会导致flash模块来不急计算ecc或来不急保存ecc，下次启动时，Bootloader在校验app crc时，crc模块需要读取flash中app的数据进行计算crc值，如果读取flash中如果出现ecc校验失败，也会跳转到NMI_Handler中。因为每次启动都会读flash，并且每次都会触发NMI异常。如果不处理这种情况，此时产品就成砖头了。
（2）在初始化各个设备之前，会先从flash中读取通过上位机写入的系统参数，如果在通过上位机写参数的过程中，系统断电了，很有可能会导致flash模块来不急计算ecc或来不急保存ecc。再次上电后，在下位机读取该参数时，ecc校验失败，系统就会直接跳转到NMI_Handler函数中。因为每次启动都会读取参数用于初始化硬件，并且每次都会触发NMI异常，如果不处理这种情况，此时产品就成砖头了。

4.如何验证上述理论

根据以上理论，需要设计一种框架来验证以上情况是否会发生，需要做以下工作：
首先要明白我们要干什么？ 人为的制造一个flash ecc校验错误，看每次重启系统，执行到读取flash时会不会都跳转到NIM_Handler。
思路：
写flash大概需要十几毫秒，并且这个动作是flash模块自己完成的，期间不要cpu，也就是写flash时，我们只需要将数据送到指定的flash寄存器（因为flash和内存统一编址，这里其实也是使用C语言的指针操作直接往该地址写数据的，这里说flash寄存器，只是为了方便表述），flash就开始将数据真正写死到flash的各个存储单元中。
但cpu核执行一条指令大概是十几纳秒，所以cpu需要等flash写完，因为在写flash过程中，cpu不能从flash读取数据的（虽然irom flash是直接和内存统一编码的，但某一个时刻，只能是单向的）；这对于cpu来说，是非常漫长的过程。所以可以将写flash的这一个函数搬到内存（iram）中，一执行完写68bit的指令，就立即重启系统，这很有可能会导致flash来不急写ecc而被直接重启。下次启动时，直接读取刚刚写地址处的数据，看看会不会跳转到NIM_Handler函数中。

5.代码流程






主要涉及到以下知识点：
（1）怎么把flash的代码搬到iram中。
（2）怎么写flash会产生ecc错误。

6.具体步骤

（1）在STM32cubeIDE中新建一个带hal库的空工程。





（2）在链接文件中自定义一个段。





_iram_function_addr = LOADADDR(.iram_function);
.iram_function :
{
. = ALIGN(4);
_iram_function_start = .;
*(.iram_function)


. = ALIGN(4);
_iram_function_end = .;

} >RAM AT> FLASH
（3）在main.c中添加以下代码。
添加头文件#include “stm32g0xx.h”。在函数前面必须加入段名，这样编译器才会将该函数链接到指定的段中。
①　添加写flash的函数。






__attribute__(( section( ".iram_function" ) )) void vWriteFlash( void )
{
uint64_t data = 0x1234567812345678;


HAL_FLASH_Unlock();


/* 将一个64bit的数据0x1234567812345678写到0x8014008地址 */
SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);
*(uint32_t *)0x8014008 = (uint32_t)data;
__ISB();
*(uint32_t *)(0x8014008 + 4U) = (uint32_t)(data >> 32U);


/* 让cpu空转几百个纳秒，确保数据写进去了 */
for (int i = 0; i < 50; i++)
__NOP();
/* 重启系统：flash模块来不急计算0x1234567812345678的ECC校验码就被重启了，
* 所以0x8014008地址里面的数据肯定是有问题的 */
SCB->AIRCR = ((0x5FAUL << SCB_AIRCR_VECTKEY_Pos) |
SCB_AIRCR_SYSRESETREQ_Msk);
HAL_FLASH_Lock();
}
②　添加main函数






int main(void)
{
uint32_t data = 0;
HAL_Init();


SystemClock_Config();


MX_GPIO_Init();


/* 每次执行一次新的测试时，都需要把这个函数打开 */
// FlashBsp_vPageErase( 0x8014000 );
if ((*(uint32_t*)(0x8014000)) == 0xFFFFFFFF)
{
FlashBsp_vPageErase( 0x8014000 );
HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, 0x8014000, 0x5a5a5a5a);
HAL_FLASH_Lock();


/*操作寄存器，往0x8014008地址出64bit数据*/
vWriteFlash();
}
else
{
data = *(uint32_t*)(0x8014008);
data = data;
}


while (1);
}
③　擦除flash指定页的函数。

void FlashBsp_vPageErase(uint32_t addr)
{
/* 根据地址算出在哪一页 */
uint8_t number = 0;
FLASH_EraseInitTypeDef erase;
uint32_t pageError;


number = (addr - 0x8000000) / 2048;
if (((addr - 0x8000000) % 2048) != 0)
{
number = number + 1;
}
if (number >= 63)
return;
erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
erase.Page = number;
erase.NbPages = 1;/*2KB*/


HAL_FLASH_Unlock();
FLASH->CR = FLASH->CR & ~(1);
HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &pageError);
HAL_FLASH_Lock();
}
（4）在汇编文件startup_stm32g071cbtx.s中添加“将irom代码复制到iram”的代码。

.global g_pfnVectors
.global Default_Handler


/* start address for the initialization values of the .data section.
defined in linker script */
/* 下面三行是我加的 */
.word _iram_function_addr
.word _iram_function_start
.word _iram_function_end


.word _sidata
/* start address for the .data section. defined in linker script */
.word _sdata
/* end address for the .data section. defined in linker script */
.word _edata
/* start address for the .bss section. defined in linker script */
.word _***ss
/* end address for the .bss section. defined in linker script */
.word _ebss


.section .text.Reset_Handler
.weak Reset_Handler
.type Reset_Handler, %function
Reset_Handler:
ldr r0, =_estack
mov sp, r0 /* set stack pointer */


/* Copy the data segment initializers from flash to SRAM */
movs r1, #0
b LoopCopyDataInit


CopyDataInit:
ldr r3, =_sidata
ldr r3, [r3, r1]
str r3, [r0, r1]
adds r1, r1, #4


LoopCopyDataInit:
ldr r0, =_sdata
ldr r3, =_edata
adds r2, r0, r1
cmp r2, r3
bcc CopyDataInit


movs r1, #0
b LoopCopyIramFunction


/* 这里就是我额外添加的，本来在操作r0 - r3之前需要先将其压入栈中，使用完之后在
恢复，但我观察到在这个位置添加代码，可以不用管r0 - r3的值，为了简单就直接放在这
个位置了 */
/* 自己添加代码 开始*/
CopyFunction:
ldr r3, =_iram_function_addr
ldr r3, [r3, r1]
str r3, [r0, r1]
adds r1, r1, #4


LoopCopyIramFunction:
ldr r0, =_iram_function_start
ldr r3, =_iram_function_end
adds r2, r0, r1
cmp r2, r3
bcc CopyFunction
/* 自己添加代码 结束 */
ldr r2, =_***ss
b LoopFillZerobss
/* Zero fill the bss segment. */
FillZerobss:
movs r3, #0
str r3, [r2]
adds r2, r2, #4




LoopFillZerobss:
ldr r3, = _ebss
cmp r2, r3
bcc FillZerobss


/* Call the clock system intitialization function.*/
bl SystemInit
/* Call static constructors */
bl __libc_init_array
/* Call the application's entry point.*/
bl main


LoopForever:
b LoopForever
（5）在NMI中断处理函数中随便添加几行无用代码。

volatile uint32_t count = 0;
void NMI_Handler(void)
{
/* USER CODE BEGIN NonMaskableInt_IRQn 0 */


count++;
FLASH->ECCR |= 0x80000000;
/* USER CODE END NonMaskableInt_IRQn 0 */
/* USER CODE BEGIN NonMaskableInt_IRQn 1 */


/* USER CODE END NonMaskableInt_IRQn 1 */
}
7.测试

（1）先擦除0x8014000地址处的flash数据。
在擦除函数的后一句代码中加一个断点，执行到断点处再停止调试，把擦除0x8014000的代码注释掉，然后重新编译并进行调试模式。









可以看到这一页的数据都被擦除了。
打两个断点，再次编译运行。





分析：





vWriteFlash是一个函数指针，里面存放的地址是0x80014f8，我们去看看0x80014f8里面是什么。
点击一下红框中的按钮：单步c语句变成单步汇编语句。










点击单步执行，可以看到，再调用一个函数时，编译器会帮我们做很多事情：它会将我们用到的那些cpu 寄存器压栈，最后执行bx r12跳转指令。 问题的关键，怎么知道当前执行的函数体就是内存里的那一份呢？
点击单步调试，只要确认r12的值，就可以知道是不是内存里面的那一份函数体了。如果是内存的那一份，其值肯定是0x20开头的，如果是flash存的那份，其值肯定是0x80开头的。





正如我们猜想的那样，确实运行的是内存的那一份函数体。点击全是运行（在main函数的136行打了一个断点）。





可以看到这个flash里面的数据是有问题的，我们原本写入的数据是0x1234567812345678。点击单步调试，发现只要一读取该地址的数据，cpu就立马跳转到了NMI异常处理函数中。





测试结果符合预期，更为致命的是，即使全速运行，发现程序一直在触发NMI异常（因为ECC校验失败的中断标志位ECCD没有被清0），确实存在重大但难以发现的bug。






8.解决思路

既然是由于没有清标志位导致程序一直在NMI中出不来，那是不是可以在NMI中将该标志位清除，并且做些处理（如果是因为读取flash中的参数导致该问题，那是不是可以在NMI中设置一个标志位，当程序返回到mian中后，检查该标志位，如果被置位了，说明发生了ECC错误，需要使用默认参数来初始化各个硬件，并且把该页flash都擦除了，这样以后还可以用。
如果是在bootloader中读取app进行crc校验时发生ECC错误，直接在NMI中断处理函数中将app所在的页全部擦除，并且让cpu不发生跳转（不跳转到app）中即可），然后会返回到main函数中正常运行呢？经过验证，确实如此。





将该标志位清除之后，发现程序可以回到原来的地方运行。









可以看到cpu又恢复正常了。