完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
德赢Vwin官网
论坛|
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右，以保护Q1；3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间，如下图：分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况结论：通过在开关g s 并联电容，可以有效提升开关mosfet抗干扰能力，尤其在mosfet需要通过外部按键使能的应用，另外并联的电容可以有效滤除由
0
|
|
|
最近下载过的用户(3)
|
|
只有小组成员才能发言，加入小组>>
5813 浏览 3 评论
4730 浏览 6 评论
5582 浏览 1 评论
3060 浏览 5 评论
9067 浏览 11 评论
387浏览 2评论
1993浏览 2评论
344浏览 1评论
430浏览 1评论
436浏览 1评论
/6 
关注我们的微信
下载发烧友APP
德赢Vwin官网 观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
德赢Vwin官网 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
1248
淘帖
792
