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电路图如下: 设计的思想是,当CH_5.2V有5.2V电压时,Q7导通,Q6产生UGS压差,从而使Q6导通,VBUS处电压5.2V左右,当VBUS处有5V电压时,因Q6体二极管反向截止,理论上CH_5.2V处电压为0V 但在实际应用时,如果VBUS有5V电压时,CH_5.2V处也有5V的电压,并且Q7也处于导通状态,且在整个电路上,只有该地方使用了CH_5.2V网络,该5V电压不可能是由其他地方导致,实际与理论不同。而且通过Multisim仿真时,选择其他型号的mos管也存在这样的问题,是否是因为mos管漏电流过大,导致Q7导通,从而使Q6导通呢?请求各位大佬解答。
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8个回答
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改变这两个R16改为100k,R18改为10k电阻就可以改善三极管MOS工作状态,试试看,还是需要在满足负载情况,适当调整该电阻至正常控制.
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1 条评论
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Q6的D和S接反了,,,,,
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三极管的GATE并一个电容试下?看上去是VBUS上电瞬间由于寄生原因导致CHR有电压,然后三极管就导通了后面就顺其自然的MOS也通了。。。。
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