硬件电路设计中涉及到时钟信号的包括哪些

1999 晶振单片机硬件电路

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 硬件电路设计中的晶体有何特征？晶体的负载电容如何确定呢？硬件电路设计中的晶振有哪几种呢？ 0
2022-1-17 07:08:31　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 20 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 18 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 17 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 16 个回答。邀请回答科源机电该类别下有 15 个回答。邀请回答 liutiefu 该类别下有 15 个回答。邀请回答 kghfh 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 13 个回答。邀请回答 dgfdf 该类别下有 13 个回答。邀请回答 723662364d 该类别下有 13 个回答。邀请回答一巷清苑该类别下有 13 个回答。邀请回答小华同学该类别下有 12 个回答。邀请回答 jsqueh 该类别下有 12 个回答。邀请回答红旧衫该类别下有 12 个回答。邀请回答早知该类别下有 12 个回答。邀请回答 Ehunt 该类别下有 12 个回答。邀请回答张峰9998 该类别下有 12 个回答。邀请回答 hy381 该类别下有 12 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 12 个回答。邀请回答 YOYOOO 该类别下有 12 个回答。邀请回答举报最强海贼王相关推荐 • 51单片机工程涉及到的模块包括哪些？ 1459 • 区块链应用涉及到哪些算法？ 4458 • 高速电路设计中信号完整性面临的挑战有哪些？怎么处理？ 1303 • 请问哪位大神可以分享DSP5509A音频系统硬件设计？ 2059 • MAX10 FPGA 程序烧录成功但是不执行 6874 • EMS输出电路设计 561 • 请问IQ解调两路幅度相位校正的放大器芯片选型有没有什么推荐的芯片？ 1411 • 电路设计有什么心得？ 2187 • 放大电路设计中，三极管需要考虑的因素有哪些？ 1619 • 【高分奖励】FPGA硬件入门如何学习？ 3348 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 在硬件电路设计中经常会涉及到时钟信号，具体包含晶体、晶振、有源晶振与无源晶振等。一、晶体晶体：英文 Crystal，电路上一般会简写为 XTAL，需要外加时钟电路才能输出时钟信号，所以一般叫无源晶振，也叫谐振器。晶体（crystal）是有明确衍射图案的固体，其原子或分子在空间按一定规律周期重复地排列。晶体中原子或分子的排列具有三维空间的周期性，隔一定的距离重复出现，这种周期性规律是晶体结构中最基本的特征。普通的单片机需外接晶体和两个电容，以STM32单片机为例，其OSC_IN和OSC_OUT是外部时钟源HSE的输入引脚，STM32的HSE时钟可以使用晶体或者晶振提供时钟源。 1.晶体一般是 2 脚或者 4 脚，2 脚最常见，晶体无极性，直插到PCB板子上，没有接地，精度低， 2.不供电，又称晶体谐振器，需要RC谐振电路才可以起振二、晶振晶振，英文 Crystal oscillator，电路上一般简写为 XO，内部有时钟电路，供电即可产生时钟信号，所以一般叫有源晶振，也叫振荡器。晶振一般是 4 脚，1 个 VCC，2 个 GND，1 个 Output。 1.一般4个管脚（电源端、地、输出、还有一个压控或者悬空端子）贴片式 2.又称石英晶体振荡器 3.内部有时钟电路，供电即可产生时钟信号我们再看一下晶振的种类： Package 石英振荡器，英文 SPXO：不施以温度控制及温度补偿的石英振荡器。频率温度特性依靠石英振荡晶体本身的稳定性。温度补偿石英振荡器，英文 TCXO：附加温度补偿回路，减少其频率因周围温度变动而变化之石英振荡器。电压控制石英振荡器，英文 VCXO：控制外来的电压，使输出频率能够变化或调变的石英振荡器。恒温槽式石英振荡器，英文 OCXO：以恒温槽保持石英振荡器或石英振荡晶体在一定温度，控制其输出频率在周围温度下也能保持极小变化量之石英振荡器。可以看到，不管是 VCXO 还是 TCXO，内部都带有电路进行补偿，所以价格上会比晶体贵，质量和准确度也会比晶体高不少，比如 GPS 上一般会选用 TCXO。下面看一下晶振最重要的几个参数：标称频率（Normal Frequency）：晶振的标准频率，如 26MHz、32.768KHz 等。频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）：用单位 ppm 来表示，即百万分之一，是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高，1MHz 的晶振，1 个 PPM 就是 1Hz 的偏差。温度频差（Frequency Stability vs Temp）：表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是 ppm。负载电容 CL：负载电容是指晶振正常工作震荡所需要的电容。为使晶体能够正常工作，需要在晶体两端外接电容，来匹配达到晶体的负载电容。那负载电容如何确定呢？计算公式：CL=C1C2/(C1+C2)+Cic+△C C1 和 C2 为晶振两脚对地电容，称为匹配电容。 Cic 为集成电路内部电容，△C 为 PCB 板上电容，一般大小为 3~5pF。匹配电容一般取 C1=C2=2CL，这样并联起来就接近负载电容 CL 了，在一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。如果 crystal 所接的 IC 内部有负载电容，那外部的 C1 和 C2 就不需要了。一般 IC 的数据手册中会给出负载电容的大小。思考一个问题：在有些电路设计中，晶体之间的并联电阻有什么作用？*

2022-1-17 13:42:52 评论举报盛越熊