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Kioxia今天宣布投资200亿日元（约合1.8亿美元），以扩建其位于横滨技术园区的技术开发大楼，并建立其新的Shin-Koyasu高级研究中心。新设施预计将在2023年投入运营，并将通过合并其在神奈川县的研发基地来增强Kioxia的研究和技术开发，以提高效率并通过合作创造更有利于创新的工作环境。 在横滨技术园区，扩建后的技术开发大楼将比现有设施的面积几乎增加一倍，可帮助Kioxia扩展其产品评估能力，从而提高产品质量。扩建后的工厂还将为未来增加员工队伍提供空间，以加强产品开发。新大楼还将采用环保设计和高效节能设备。新光子高级研究中心将设有一个洁净室，该洁净室将用于广泛的研究，特别侧重于材料和新工艺。通过对这些设施进行投资，Kioxia的目标是增强其闪存和SSD技术开发能力，以满足世界各地日益增长的需求，并创造具有创新价值的创新存储技术和产品。 据日本经产省所属的新能源产业技术综合开发机构(NEDO)，于2021年6月18日公布后5G资通讯系统研发计划的半导体领域的新补助名单显示，将补助金额共100亿日元(约0.9亿美元)，于Kioxia与Socionext。而此前已公布提供190亿日元(1.7亿美元)给台积电在日本的3DIC研发中心。据悉，Kioxia与Socionext取得的后5G相关半导体研发补助，是用于推动大容量存储器的研发，这种存储器将用来储存从后5G工厂、自动驾驶车等搭载的传感器所收集到的庞大数据。Kioxia的这项研发计划中，有一部分将分包给Socionext等厂商。 LXD10S500GC8 LXD10S001TC8 LXD10S002TC8 LMHE1G032GC4 LMHE1G064GC4 LMHE1G128GC4 LMHE1G256GC4 LMPL1M032GC4 LMPL1M064GC4 LMPL1M128GC4 LMPL1M256GC4 LMPL1M512GC4 LMPL1M001TC4 LMEX1L016GC4 LMEX1L032GC4 LMEX1L064GC4 LMEX1L128GC4 LMEX1L256GC4 LNPR1Y064GC4 LNPR1Y128GC4 LNPR1Y128GC4 LNPL1M064GC4 LNPL1M128GC4 LNPL1M256GC4 LNPL1M512GC4 LNEX1L016GC4 LNEX1L032GC4 LNEX1L064GC4 LNEX1L128GC4 LNEX1L256GC4 
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