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碳化硅MOS适用混合动力汽车HEV,EV，车载OBC

2022-2-17 10:39:10

8623 新能源光伏 OBC 电控系统

1

SICMOSFET第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。

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钱先生 2022-3-2 09:09:14

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

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钱先生 2022-4-14 15:32:05

iC MOS能够在要求高功率密度的应用中优化性能。

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钱先生 2023-5-4 15:07:22

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

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