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我们想为 ST25DV64K NFC 芯片设计一个天线。根据芯片的特性,它需要一个电感为 4,83 uH 的天线。我们的问题是能不能设计一个电感更高的天线,在芯片上串联一个电容来补偿。例如:如果我们创建一个 12.69 uH 天线,则芯片的电容应为 10.85 pF(ST25DV64K 芯片内部电容为 28,5 pF)。我们可以在芯片中添加一个 17.52 pF 的串联电容来实现所需的电容吗?还是只能并联电容?感谢您的帮助。
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1个回答
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是的,可以添加一个串联电容器以减少从天线看到的总串联电容。
然而,您应该意识到这样做会成比例地增加标签的内在品质因数。 提高品质因数不是坏事,但它也会按比例增加传输调制的上升和下降时间。 如果品质因数太高,ST25DV 可能由于较大的下降/上升时间而无法在低功率条件下正确解码读取器命令。很难预测真正的影响,因为需要考虑很多变数。 因此,您可以添加一个串联电容器,但除了标签调谐频率验证之外,还需要进行标签性能验证以确保它仍然满足您在读取距离方面的要求。 |
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