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大家好,
的 我正在尝试将 ML 模型部署到微控制器,我有两块 STM32L4R9I-Discovery 和 STM32H7B3I-Discovery 板。实验及相关结果如下所示: 我使用 TFLite Micro 和STM32Cube.AI运行时来分析我的 ML 模型,然后在两个不同的板上编译。提供了这两块板子相关的硬件资源,其中STM32H7B3I更大一些。然而,奇怪的是,我可以在较小的电路板(STM32L4R9I)上连续获得结果,但在较大的电路板(STM32H7B3I)上构建失败,并出现以下错误: .../arm-none-eabi/bin/ld.exe:*****.elf 部分“.bss”不适合区域“RAM” .../arm-none-eabi/bin/ld.exe:区域“RAM”溢出 251112 字节 的 谁能就如何解决这个问题提供一些建议?非常感谢你。 |
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1个回答
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我不熟悉STM32Cube.AI。出于某种原因,这里可能需要两个单独的部分。如果它是一个常规项目,您可以简单地交换这两者的名称。
> 我尝试增加“STM32H7B3LIHXQ_RAM.ld”中的RAM长度,然后重新构建,但“STM32H7B3I_ST_MCU2.map”中的RAM长度没有改变。 您确定它正在使用该链接描述文件吗?构建时查看命令行输出以查看它使用的内容。在许多情况下默认是 FLASH 链接描述文件。 |
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