在内部stm32l073 EEPROM的情况下，可以将单个位写入EEPROM并将其计为100k EEPROM写周期的1/8写周期吗？

当我将 eeprom 字节清除为 0xff 时，我将其视为单次清除。现在，当我向该字节写入值时，我将其视为单次写入。所以根据 RM，我有 100k 的安全读写操作。
我可以假设向该字节写入一个位是该写操作的八分之一吗？
所以：

• 执行清除=字节等于0xff
• 写入 0x7F = 清除 MSb
• 写入 0x3F = 清除下一个位
• 等等
• 写入 0x01 = 只剩下一位
• 写 0x00 = 整个字节被清除。
  

我可以将上述过程假设为单个清除/写入周期吗？并安全执行 10 万次？
我需要在系统中计算并存储 100000000 个事件（它们的数量）。通过对 100k 个周期使用 8 位，我只需要 125 个字节来跟踪这些事件。如果我使用 uint32_t 来存储，我将不得不使用 4MB 来安全地存储该事件计数器。
我无法在文档中找到当我写入字节时，内部控制器是否总是清除该字节并写入新字节，或者只写入新值。
不幸的是，我认为总是使用 clear 选项，因为这看起来像内部控制器只是清除单元格并输入新值而没有明确的清除/写入：

• HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();
• FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
• *(__IO uint32_t *)Address = Data;
• FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
• HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();