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“晶体管”一词是“传输”和“压敏电阻”的组合。该术语描述了这些设备在早期的工作方式。晶体管是电子产品的主要组成部分,就像DNA是人类基因组的组成部分一样。它们被归类为半导体,有两种一般类型:双极结型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。前者是本次讨论的重点。
双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型:NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型(正极)和N型(负极)半导体材料。因此,所有BJT都按某种顺序包含两个PN结。NPN 设备,顾名思义,有一个 P 区域夹在两个 N 区域之间。二极管中的两个结可以是正向偏置或反向偏置的。 这种安排导致总共三个连接终端,每个终端都被分配一个指定其功能的名称。这些称为发射器(E),基极(B)和集电极(C)。使用NPN晶体管时,集电极连接到N部分之一,基极连接到中间的P部分,E连接到另一个N部分。P段被轻度掺杂,而发射极端的N段被重掺杂。重要的是,NPN晶体管中的两个N部分不能互换,因为它们的几何形状完全不同。将NPN设备视为花生酱三明治可能会有所帮助,但其中一片面包是末端,另一片来自中间面包,这使得排列有些不对称。 常见发射器特性 NPN 晶体管可能具有公共基极 (CB) 或共发射极 (CE) 配置,每种配置都有自己独特的输入和输出。在常见的发射极设置中,从基极(V是) 和收集器 (V菲尔.A 电压 VE然后离开发射极并进入NPN晶体管作为其组件的电路。“共发射极”这个名称源于这样一个事实,即晶体管的E部分与B部分集成了单独的电压,而C部分将它们作为一个公共电压发射。 代数上,此设置中的电流和电压值按以下方式相关: text{Input: }I_B=I_0frac{e^{VBT}}{V_T-1}\text{Output: }I_c=beta I_B 其中β是与固有晶体管特性相关的常数。 |
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