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NRF24L01P芯片兼容通信。从而被打上了国产NRF24L01P的标签，更有甚者居然磨掉芯片原本的SI24R1的LOGO打成NRF24L01P，给很多客户产生了很多不必要的损失。大家定向的理解，国产的东西总是会比国外进口的相差到哪里哪里，如此云云。其实，在很多客户在使用Si24R1的时候，通过一定的控制与设计，是可以发挥Si24R1自己独特的特性的。
不同的芯片设计需要不同的射频布线以及MCU的控制，那么我下面要分享几点自己所知道的一些问题以及解决办法： 1.进入低功耗（关断）模式后，功耗可能还在1mA左右，正常应该在1.5uA左右。 解决办法：由于芯片采用CMOS工艺，当芯片处于关断模式时，芯片的数字输入引脚，CE，CSN，SCK,MOSI,必须为低电平，即关断模式下，和上述四路输入引脚相连的MCU的输出必须为低电平，不能为高阻状态或高电平。否则由于输入端累积电荷，会导致内部电路不能关断，而使得功耗增加。 2.当使用Si24R1号称7dbm的发射功率的时候，距离好像没有增加太多，而且无线音频客户觉得会有很大的噪声。 解决办法： 一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金属焊盘接地，Si24R1规格书上也没要求接地，这是因为发射功率较低只有0dbm的情况，当芯片发射功率大于0dbm以后，芯片底部的金属焊盘会有很多白噪声耦合到地，而nRF24L01+的参考设计金属PAD下面有走3.3V的电源线，如果使用Si24R1 7dbm的发射功率，没有将底部的3.3V走线移除的话，那些噪声会干扰到电源，从而会增加通信的丢包率以及通信距离。有一些网友在网上提出，使用Si24R1替换NRF24L01P电源处需要多加一个大电容去滤波，这种做法是在一定的设计上是可行的，但是还是有一些朋友的问题没有解决。故，为达到更好的性能，特别是发射较大功率时，建议用户芯片底部PAD全部接地，将3.3V走线重新布线。 二、无线音频客户做到第一点后还无法解决有噪声的问题，需要考虑这个噪声的来源，电源的纯净度，因为SI24R1相比对电源更加敏感一些，用户可以通过走线顺序来改进。本来电源的走线顺序为LDO-MCU-ADC-RF，整个流程设计下来，走线方便也符合流程，但是这样的设计弊端就是整个MCU与ADC转换（实际噪声maker）的噪声全部串扰到RF的电源中，从而影响无线通信。故，用户可以更改电源走线设计，LDO出来后分两路，一路给到RF，一路给到MCU+ADC。 3.用户一直在使用nRF24L01P，替换成Si24R1后发现功耗突然大了许多。 解决办法：对于已经使用nRF24L01+的用户，通常用户会将发射功率配置在0dbm，而此时的寄存器配置对于Si24R1来说，此时的发射功率是4dbm，此时消耗电流为16mA,比0dbm配置消耗的电流要大4-5mA,当系统采用纽扣电池供电时，需要注意这个问题。如果不需要大的发射功率请将发射功率的配置调整到小功率模式，具体配置，参考芯片手册（可配置为100模式，1dbm发射功率模式）。Si24R1的最大功率是7dbm，需要专门配置寄存器，请参考手册。 
Si24R1Datasheet.pdf
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