[资料]

600 - 650V MDmesh DM9快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性

2023-9-8 06:00:53 245 MOSFET

0 这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。 0 【宣传册】600 - 650 V MDmesh DM9：快速恢复 SJ 功率 MOSFET 提高了效率和稳健性.pdf 453 Bytes , 下载次数: 0
举报淘帖0 只看该作者相关推荐 • 650V N沟道超级结功率MOSFET 594 • 有什么方法能证明混合电子传输层提高了器件效率？ 1630 • 650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型 2252 • Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET 1666 • SJ MOSFET的效率改善和小型化 2387 • 软特性650V IGBT降低电磁干扰和电压尖峰的优化器件 2147 • 高耐压超级结MOSFET的种类与特征 2513 • 面向硬开关和软开关应用并具备耐用体二极管的新一代650V超结器件 1669 • 低频单相UPS 650W逆变器功率级参考设计包括BOM及层图 2998 • 650V系列IGBT在家用焊机电源应用 4286