国防威胁减除局寻求抗辐射高频模拟和射频半导体

William

2012-12-4 19:52:12 2536 半导体高频

0 美国国防威胁减除局（DTRA）11月28日发布了一份信息征询书（NTS139926578），寻求先进抗辐射高频模拟和射频半导体技术，以支持“先进高频模拟和射频半导体技术研发与加固”项目。 DTRA将向行业寻求辐射测试、建模和模拟技术，以评估单粒子效应（SEE）和总剂量效应（tiD）的辐射环境下高频半导体的模拟和射频性能。 DTRA也关注90纳米以下半导体的抗辐射建模、仿真和抗辐射加固设计技术，设备类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。 0
2012-12-4 19:52:12　　评论淘帖0 举报相关推荐 •意法半导体扩大抗辐射航天用模拟芯片产品阵容922 •什么是辐射抗扰度？射频电磁场辐射抗扰度试验29239 •辐射抗扰指的是什么？2299 •射频电磁场辐射抗扰度测试介绍1645 •射频电磁场辐射抗扰度试验8 •艾迈斯半导体另辟蹊径，寻求智能手机应用的破局之道2798 •适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况介绍5412 •GaN功率半导体与高频生态系统595 •ADI是如何实现抗辐射设计的553 •半导体257