本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
努力于提供协助
电子元器件功率管理、平安、牢靠与高功能
半导体技术产品的抢先供给商美高森美公司(MicrosemiCorpora
tion)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR)使用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。
在2.7至2.9GHz频段上,2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏极效率功能,经过单一器件在这个频段上提供最大功率,次要特性包括:
规范脉冲间歇格式:100µs,10%DF
出色的输入功率:500W
高功率增益:>11.5dBmin
漏极偏压−Vdd:+65V
低热阻:0.2℃/W
运用GaNonSiC高电子迁移率晶体管(HEMT)完成的零碎劣势包括:
具有简化阻抗婚配的单端设计,替代需求额定分解的较低功率器件
最顶峰值功率和功率增益,可增加零碎功率级数与末级分解
单级对管提供具不足量的1.0kW峰值输入功率,经过四路组合提供全零碎2kW峰值输入功率
65V的高任务电压减小
电源尺寸和DC电流需求
消费类电子极端稳健的功能提升了零碎良率,而且缩小器尺寸比运用硅双极结晶体管(SiBJT)或横向分散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%
封装和供货:
2729GN-500晶体管采用单端封装供货,在密封的焊料密封封装中采用100%低温金镀金线材布线,完成临时军用级牢靠性。
了解更多
http://www.passion-ic.com/
0