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庖丁为文惠君解牛，手之所触，肩之所倚，足之所履，膝之所，砉然响，奏刀騞，莫不中音。合于桑林之舞，乃中经首之。 文惠君曰：“嘻，善哉！技盖至此乎？” 庖丁释刀对曰：“臣之所好者道也，进乎技矣。始臣之解牛之时，所见无非牛者。三年之后，未尝见全牛也。。” 文惠君曰：“善哉。。。” 本来呢今天打算上来就点灯来着，脑子里想着，可能有个P0口什么的，给个高电平或低电平，写个led=1神马的，led就点亮了，于是乎，在QBlue的BLE Example里找了个例子，打开一看就晕了，这才想起，这个不是51，这两天一直看51，思维有惯性了，须重新梳理下思路，理解一下FireBLE了。 重新审视一下FireBLE上的东东，如果看到的只是一款开发板，那是极不好的，如果已经看不到整个的板子，那便是极好的了。 
FireBLE是由处理器、存储器、外设组成的，经过软硬件精心设计，便可实现许多实用的功能。 先了解下处理器，Cortex—M0属于ARMv6-M架构，包括1颗专为嵌入式应用而设计的ARM核、紧耦合的可嵌套中断微控制器NVIC、可选的唤醒中断控制器WIC，对外提供了基于AMBA结构（高级微控制器总线架构）的AHB-lite总线和基于CoreSight技术的SWD或JTAG调试接口，Cortex-M0微控制器的硬件实现包含多个可配置选项：中断数量、WIC、睡眠模式和节能措施、存储系统大小端模式、系统滴答时钟等，半导体厂商可以根据应用需要选择合理的配置。 Cortex-M0具有以下特点： 1）能耗效率 CortexM0的运行效率很高（0.9DMIPS/MHz），能在较少的周期里完成一项任务。这意味着CortexM0可以在大部分的时间里处于休眠状态，消耗很少的能量，具有良好的能耗效率。同样较小的逻辑门数也降低了待机电流。而高效的中断控制器（NVIC）需要很小的中断开销。 2）代码密度 Cortex-M0基于Thumb-2的指令集，比用8位或者16位架构实现的代码还要少，因此用户可以选择具有较小Flash空间的芯片。可以降低系统功耗。[1] 3） 易于使用 Cortex-M0适用于C语言编程，并且被许多编译器支持。可以用C语言直接编程中断例程，而无需使用汇编语言。同时Cortex-M0还被多种开发工具支持。包括很多开源的嵌入式操作系统同样支持Cortex-M0。 顺便了解下Cortex—M0的兄弟。ARM公司在经典处理器ARM11以后的产品改用Cortex命名，并分成A、R和M三类，旨在为各种不同的市场提供服务。Cortex系列属于ARMv7架构，ARMv7架构定义了三大分工明确的系列：“A”系列面向尖端的基于虚拟内存的操作系统和用户应用；“R”系列针对实时系统；“M”系列对微控制器。A系列处理器适用于具有高计算要求、运行丰富操作系统以及提供交互媒体和图形体验的应用领域。如智能手机、上网本、机顶盒、数字电视、激光打印机、路由器等消费电子居多。 R系列处理器具有实时性强，可预测性，超级稳定性。A系列是真正的RISC，带有MMU，R系列不带有MMU，M系列完全就是MCU。三个系列的处理器只有到了适合的应用场景才能显示出强大的威力。所以没有最好，只有最合适，多了便是浪费，费钱费电，少了便是不够用甚至是废品。 俗话说，狮子领导的绵羊终会打败绵羊领导的狮子。有了很好很强大的处理器便是成功的开始。因为低功耗、轻便、智能，所以M0. 处理器说完，再说存储器，64K SRAM、128K Flash、ROM 96K，先明确一下这三个东西，SRAM、Flash、ROM。 ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 【有必要插叙下内存工作原理： 内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。】 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。【举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。】 FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。 目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。 NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 好了，存储器说完了，下边本来要说外设的，可是理论须得与实践相结合，理论多了会头大，应当动下手了。本来是打算先点灯的，但不知灯在何方，于是开始乱点，不经意间发现点到了，
其实先看到的是“GPIO”，因为第一反应LED灯八成在GPIO里，但是发现了Uart,还是先串口通下信，看看是不是有突破口等我等的花都谢了。 为了不破坏这些demo，于是把源码都copy了一份，打开Uart项目，编译，烧录，接通串口，于是，奇迹出现了，收到了来自FireBLE的问候，而且有灯在亮，well done!突破口就是这里了，回头看一下源码，很明显有三句值得怀疑，虽然一共也没有几句。
这个demo运行的时候回向串口发一句话，然后接受串口发来的字符，等满10个字符会发回串口。代码里打算要闪灯的，估计没实现，反正我没发现闪。 好，改一下打印的字符，编、烧、测，于是出图，
很好很好，坚固的城墙被打开一条口子，从此玩耍的思绪便如长江之水一发~~而不可收拾。。。。 最后，还是要点下灯的， 
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