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Sic mesfet工艺技术研究与器件研究
针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行 了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化技术去除刻蚀带 来的表面损伤层，湿氧加干氧的氧化方式生长的ＳｉＯ２ 钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良 好的界面，减小了表面态对栅特性和沟道区的影响，获得了理想因子为１?１７，势垒高度为 ０?７２ ｅＶ的良好的肖特基特性；等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响，减小了 反向截止漏电流，使器件在１ ｍＡ下击穿电压达到了６５ Ｖ，４０ Ｖ下反向漏电流为２０μＡ 。为了提高 器件成品率，避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响，使用该工艺制备的小栅宽ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴ 具有１９５ ｍＡ ／ ｍｍ的饱和电流密度， － １５ Ｖ的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特 性，２ ＧＨｚ下测试其最大输出功率为３０ ｄＢｍ，增益大于５ ｄＢ。 关键词：碳化硅；金属?半导体场效应晶体管；牺牲氧化；干法刻蚀；等平面工艺 
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