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13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

2009-10-6 09:52:24 3572

0 13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀法和ＩＣＰ刻蚀＋湿法腐蚀法。ＩｎＧａＡｓ层ＩＣＰ刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象，Ｃｌ２含量为３０％时速率可达到４２０ｎｍ／ｍｉｎ；湿法腐蚀可有效减小ＩＣＰ刻蚀引入的晶格损伤。ＳＥＭ图像表明，ＩＣＰ刻蚀＋湿法腐蚀的台面制作方法，得到的腐蚀台面陡直，波导宽度与设计值更接近，优于选择性湿法腐蚀方法，更适合ＳＬＤ台面制作。关键词：应变补偿多量子阱；超辐射发光管；台面；湿法腐蚀；感应耦合等离子体 VuXrlhCU.rar (1.17 MB, 下载次数: 26 ) dS3cmc6b.rar (1.17 MB, 下载次数: 27 ) YgSas1vV.rar (201.93 KB, 下载次数: 29 ) 0
2009-10-6 09:52:24　　评论淘帖0 举报相关推荐 • LED阵列的设计和制作工艺研究 0 • 半导体制作工艺CH13 23 • 制作工艺分析 28053 • PCB制作工艺 1945 • FPC制作工艺.zip 3 • 铝基制作工艺 2266 • CPU制作工艺 835 • pcb制作工艺标准 5546 • HDMI线的制作工艺 0 • PCB制作工艺过程 8224

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