新型互补电容耦合ESD保护电路的设计

新型互补电容耦合ESD保护电路的设计

提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD 保护电路, 它由互补式电容实现, 结构与工艺简单。电路采
用0.6μm1P2MCMOS 工艺进行了验证, 结果表明, ESD 失效电压特性有较明显改善, 可达3000V 以上。

This paper proposes a modified Capacitor - Couple CMOS ESD protection circuit fabricated by submicron
CMOS processes. This protection circuit has been practically used to rescue a 0.6μm 1P2M CMOS IC product with a
pin- to- pin HBMESD level from the original level of 1000V to above 3000V.

ESD 保护电路逐渐成为集成电路可靠性中最关键的技术之一, 据统计1 /3 以上集成电路产品失
效是由ESD 原因造成的[1~3]。设计公司对ESD 保护电路的研究十分关注, 而对于一般的Fabless 设计
公司而言, 常采用多项目晶园(Multi Project Wafer,MPW) 投片方式, 实现ESD 保护受到了工艺线的局限。
因此, 一般的Fabless 公司希望在工艺兼容的基础上, 提高芯片的ESD 保护能力。