昨天调试我们新的rtu的时候用外部spi flash的时候出现的一些小问题，因为赶工赶的急，所以想到用f4内置1m的flash作为数据存储器来使用。
首先在网上搜集了一些资料，也就有一篇资料比较好，我这里吧我看的连接的地址挂上，谢谢这位同学的无私，通过他的代码和STM32的数据
手册我，吧函数做一下几个函数，希望对各位同学有帮助，http://www.cnblogs.com/zyqgold/archive/2013/11/09/3416108.html
STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。 【STM32F4 内部Flash的一些信息】 STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。 写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦出，数据将不会写入。FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。 在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分，我们现在只操作Main memory： 参考Demo中的例子，将FLASH的页的其实地址（基地址）可定义如下：
0
|
|
|
|
|
|
|
这里的flash的在编程钱如果这一个地址已经写过了请先擦除这个地址，因为现在stm32f4的的flash分为11个部分，每个擦除是按照每个部分一起擦除，因为这你的对每个快的做一个缓冲区才行。
我的代码如下：
void get_from_flash(void)
{
delay_ms(2);
OwnFlashReady(0x08008000,getflashdata_buf,100);
// SPI_FLASH_BufferRead(getflashdata_buf, 0x000000, 100); //??????
// SPI_FLASH_ChipErase();//????flash????????
memmove(&RTU_Basedata_Only,&getflashdata_buf[0],18);
memmove(&BaseData01,&getflashdata_buf[18],21);
memmove(&gx_options01[0],&getflashdata_buf[39],60);
}
void OwnFlashSave(uint32_t save_addr,uint8_t *p,uint16_t number)
{
uint32_t StartSector,EndSector,i, save_addr_temp;
StartSector = GetSector(save_addr);
EndSector = GetSector(save_addr+number);
save_addr_temp = save_addr;
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
|
|
|
|
|
|
|
|
|
//????flash
for (i = StartSector; i<=EndSector; i += 8)
{
while (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
{
}
} //????????????×÷?????????????????????í?ó??
while (save_addr < number+save_addr_temp)
{
if (FLASH_ProgramByte(save_addr, *p++) == FLASH_COMPLETE)
{
save_addr = save_addr + 1;
}
else
{
while (1)
{
}
}
}
FLASH_Lock();
}
|
|
|
|
|
|
|
|
|
// void OwnFlashErasure()
void OwnFlashReady(uint32_t read_addr,uint8_t * read_buf,uint16_t read_number)
{
uint32_t Address_ready;
Address_ready = read_addr;
while (Address_ready < read_addr+read_number)
{
*read_buf++ = (*(__IO uint8_t*)Address_ready);
Address_ready = Address_ready + 1;
}
}
uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{
uint32_t sector = 0;
if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
{
sector = FLASH_Sector_0;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
{
sector = FLASH_Sector_1;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
{
sector = FLASH_Sector_2;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
{
sector = FLASH_Sector_3;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
{
sector = FLASH_Sector_4;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
{
sector = FLASH_Sector_5;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
{
sector = FLASH_Sector_6;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
{
sector = FLASH_Sector_7;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
{
sector = FLASH_Sector_8;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
{
sector = FLASH_Sector_9;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
{
sector = FLASH_Sector_10;
}
else
{
sector = FLASH_Sector_11;
}
return sector;
}
代码不是很复杂，但是如果没有弄懂的话还是要费些时间的，希望各位同学多多指教。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0
/6 
工商网监
湘ICP备2023018690号
8330
淘帖
278
发表评论
赞
回复
