报导，存储器三强三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后，三大厂认为以25
2014-04-04 09:08:42
1340 大陆DRAM和NAND Flash存储器大战全面引爆，近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角，目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆，以及
2016-11-22 16:06:151561 近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:231529 之前外资曾警告，DRAM 荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。如今三星眼看 DRAM 利润诱人，传出决定扩产，新产线预计两年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 日前，三星210亿美元砸向存储器的数字再次刺痛了不少中国半导体业者的眼睛，如今国内存储器产业建设正发展得如火如荼，中国存储器之战已经打响...
2017-11-27 14:04:1510620 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36267 
动态随机存取存储器(DRAM)第四季价格持续下跌，存储器封测厂受到客户要求降价，近期已同意本季调降调降封测售价5%到10%，将冲击本季毛利表现。
2011-11-19 00:26:271152 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，静态随机存储器），不需要刷新电路，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-10 15:49:11
DRAM存储器M12L1616lA资料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我们将介绍一种新型的非易失性DRAM，以及它与当前内存技术的比较。DRAM是计算技术中必不可少的组件，但并非没有缺陷。在本文中，我们将研究一种新提出的存储器-非易失性DRAM-以及它与当前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRAM(dynamic RAM：动态RAM)。ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存储器教材课后思考题与习题：4.1解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存储器
2021-07-26 08:08:39
存储器映射是什么意思？其映射过程是怎样的？
2022-01-21 07:39:51
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特点是只要有电源加于存储器，数据就能长期保存。 2、动态DRAM：写入的信息只能保存若干ms时间，因此，每隔一定时间必须重新写入一次，以保持原来的信息不变。 可现场改写的非易失性存储器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特点是只要有电源加于存储器，数据就能长期保存。 2、动态DRAM：写入的信息只能保存若干ms时间，因此，每隔一定时间必须重新写入一次，以保持原来的信息不变。 可现场改写的非易失性存储器
2017-12-21 17:10:53
目录【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类【3】SRAM基本原理：结构：芯片参数与引脚解读：CPU与SRAM的连接方式【4】DRAM基本原理：结构芯片引脚解读：【5】存储器系统设计【6】存储器扩展
2021-07-29 06:21:48
存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而进一步组合复杂化，形成我们
2021-12-10 06:54:11
的应用就是应用程序存储在Flash/ROM中，初始这些存储器地址是从0开始的，但这些存储器的读时间比SRAM/DRAM长，造成其内部执行频率不高，故一般在前面一段程序将代码搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存储器空间，将相应SRAM/DRAM映射到地址0，重新执行程序可达到高速运行的目的。
2018-06-10 00:47:17
从个人电脑的角度看嵌入式开发板——小白学ARM（五）各种存储器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440开发板vs个人电脑各种存储器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品参数存储器容量256Mb (16M x 16)存储器构架(格式)DRAM存储器类型Volatile工作电压3V ~ 3.6V存储器接口类型Parallel
2018-10-24 11:14:57
问题一：位图都存储在哪了？都在程序存储器里吗问题二：能不能将位图存储到外部内存中？问题三：F429的程序存储器和数据存储器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA读写DRAM存储器，求大神指点哪位大佬有代码分析一份更是感激不尽，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存储器分为哪几类？Flash存储器有什么特点？Flash与DRAM有什么区别？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：静态随机存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
当系统运行了一个嵌入式实时操作系统时（RTOS），操作系统通常都是使用非易失的存储器来运行软件以及采集数据。存储器的选择面很广阔，其中包括电池供电的SRAM（静态随机访问储存器），各种各样的闪存以及串口EEPROM（电可擦的，可编程的只读存储器）。
2019-06-28 08:29:29
静态随机存取存储器SRAM是什么？有何优缺点？动态随机存取存储器DRAM是什么？有何优缺点？
2021-12-24 07:04:20
问：动态储器和静态存储器有什么区别？答：当然动态储器(DRAM)与静态存储器(SRAM)除了速度外,它们的价格也是一个天一个地,依据实际情况进行设计,以降底产品成本,下面是它们的价绍.SRAM(静态
2011-11-28 10:23:57
存储器是怎样进行分类的？分为哪几类？为什么要对DRAM进行刷新？如何进行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存储器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电
2020-12-25 14:50:34
在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、静态存储器 SRAM——Static RAM(动态存储器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字节寻
2022-01-26 07:30:11
据新华社7月2日报道，相变存储器，具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点，被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉，由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域，并实现千万量级市场化销售，未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44:43
如何利用Xilinx FPGA和存储器接口生成器简化存储器接口？
2021-05-06 07:23:59
如何实现扩展存储器的设计？
2021-10-28 08:08:51
哈弗结构是什么意思？加剧CPU和主存之间速度差异的原因有哪些？导致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虚拟存储器的最大容量是由什么原因决定的？
2021-08-11 08:07:31
影响存储器访问性能的因素有哪些？DSP核访问内部存储器和外部DDR存储器的时延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存储器由哪些组成？怎样去启动STM32存储器？
2021-09-24 07:03:23
暗暗给全球半导体业带来重大的改变。不仅原本的存储器大厂虎视眈眈，***的晶圆代工大厂不会缺席，甚至中国也想弯道超车。2018年前十大半导体业者营收预估至于谁会领先达阵？当DRAM因为技术极限而可能
2018-12-24 14:28:00
存储器可分为哪几类？存储器有哪些特点？存储器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：数据存储器6116和程序存储器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太会用搜索功能。我总是搜不出来不知道为什么，求解答。单片机存储电路里的数据存储器6116和程序存储器
2014-07-22 23:10:03
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09
存储器的一般用途是代码储存。系统需要一个相对较小进的存储，大约小2Gb. 这样 .代码可以从NOR闪存直接执行，这种存储器也常用于嵌入式文件系统的存储器，这些类型的系统中 DRAM 常用便签式存储器。在这
2018-05-17 09:45:35
单片机中数据存储器片内的地址是00--7FH，程序存储器的片内地址是0000H--0FFFH，请问这两部分是不是有重叠？请具体详解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
方式随机存取存储器（RAM）静态 RAM（SRAM）动态 RAM（DRAM）动态 RAM 和静态 RAM 的比较只读存储器（ROM）存储容量的扩展存储器与 CPU 的连接提高访存速度的措施存储器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）与静态随机存储器（SRAM）两大类。DRAM 以电容上存储电荷数的多少来代表所存储的数据，电路结构十分简单（采用单管单电容1T-1C的电路形式），因此集成度很高，但是因为电容上的电荷会泄漏，为了能
2022-11-17 16:58:07
而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-19 11:53:09
而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存储的数据在掉电是会丢失，因而只能在开机运行时存储数据。其中RAM又可以分为两种，一种是Dynamic RAM(DRAM动态随机存储器),另一种是Static RAM(SRAM,静态随机存储器)。ROMROM又称只读存储器，只能从里面读出数据而不能任意写入数据。ROM与RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
1、引言
当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60％的速率增长，存储器芯片每年仅仅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
为什么存储器是产业的风向标
存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 工研院 IEK认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM已势在必行，未来若中国大陆成功抢进DRAM领域，预期海力士恐将是最大潜在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 日前，存储器芯片主要供应商之一美光公司（Micron）在香港举行了 2014 夏季分析师大会，会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存储块DRAM 某些FPGA终端，包含板载的、可以动态随机访问的存储块（DRAM），这些存储块可以在FPGA VI中直接访问，速率非常高。 DRAM可以用来缓存大批量的数据，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
大陆存储器竞赛迈向新局，甫获得大基金入股的北京兆易创新(GigaDevice)与合肥市政府签署合约，将砸人民币180亿元(逾新台币800亿元)研发19纳米DRAM技术，业界预期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 紫光国芯26日在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。
2017-11-27 11:05:411848 中国上马存储器芯片制造引起全球的反响，恐怕2019年及之后会揭开面纱，露出“真容”。它对于中国半导体业具里程碑意义，实质上是为了实现产业“自主可控”目标打下扎实基础，所以“气只可鼓，不可泄”。尽管面临的困难尚很大，但是必须要认真去对待，重视知识产权的保护，并努力加强研发的进程。
2018-06-16 16:18:008261 目前存储器市况呈现两样情，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。
2018-06-22 15:48:00733 中国存储器产业如何发展？本文从纯市场的角度，就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后
2018-04-09 15:45:33109972 2018年底第一个中国自主研发的DRAM芯片有望在合肥诞生；
2018-05-16 16:00:0020968 
中国三大存储器势力还有一大神秘队伍合肥长鑫，看看背后有着怎么样的神秘。 揭开合肥存储器项目神秘 合肥对DRAM的谋划不仅是合肥长鑫的存储项目，在2016年3月，就有消息传出，原尔必达社长坂本幸雄成立的半导体设计公司兆基科技（Sino King Technology）将在中国主导大规模半导体生产项目。
2018-05-02 10:28:009385 存储器市场爆发，DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%，首次超越逻辑电路，成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 存储器大厂SK海力士（Hynix）也传出消息，正在研发EUV技术来生产DRAM存储器，未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:243560 进口数目巨大，自主研发成为一直以来努力的方向，此次合肥长鑫率先尝试“从0到1”的突破，推动中国存储器厂迈出了重要的一步。
2018-11-29 16:51:0517531 尽管ㄧ些新存储器技术已经研发出来，但在这竞争激烈的市场，只有极少数能够成功。 图1是ㄧ些新存储器技术的列表。然而，无论哪一个技术胜出，这些新型非易失性技术系统的功耗肯定会低于现有的嵌入式 NOR 闪存和 SRAM，或是，离散 的 DRAM 和 NAND 闪存的系统。
2018-12-24 11:04:3410846 
随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
2019-01-07 16:46:4915156 从福建晋华被美国宣布列为禁止出口的制裁名单后，国内存储产业发展气氛转为低调，业界更担心另一家 DRAM 自主研发大厂合肥长鑫会踩到前人地雷，然合肥长鑫首席执行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:388697 作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:41742 昨日，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 根据韩国媒体报导，在当前存储器价格已经触底反弹，整体市场库水水位也进一步降低的情况之下，三星决定开始恢复针对存储器产业的投资。而根据知情人士的消息指出，三星最近为韩国P2晶圆厂订购了DRAM设备
2019-10-30 15:15:302760 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:572584 
静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的静态数据，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储
2020-08-10 16:43:2413590 独立存储器市场和相关技术的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存储器，NOR，（NV）SRAM，新兴的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会，Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM，NAND，新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。以下概述了讨论的相关主题。DRA
2020-12-24 13:13:46752 随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 的统一组织下亮相第五届丝博会，展出了公司研发设计的包括第四代DRAM 存储器在内的全系列晶圆、颗粒及模组产品及全球首系列商用内嵌自检测修复（ECC）DRAM存储器产品。全面展示了西安紫光国芯在集成电路存储器领域的技术实力和创新成果。
2021-05-14 14:52:502843 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、静态存储器 SRAM——Static RAM(动态存储器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字节寻
2021-12-02 10:06:053 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种，即深沟
2023-02-08 10:14:575004 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存储器，但是，与DRAM相比，只要设备连接到电源，信息就被存储，一旦设备断开电源，就会失去信息。
这个设备比DRAM要复杂得多，它一般由6个晶体管组成，因此被称为6T存储器(如图1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282
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