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三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

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三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215

SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb DDR4 DRAM

10月21日,SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM
2019-10-21 16:10:362869

高通发布第三代5G基带芯片 首发三星5nm工艺

高通昨晚发布了第三代5G基带芯片——骁龙X50,使用的是5nm工艺。高通对5nm工艺的代工厂来源守口如瓶,不过外媒报道称骁龙X60首发了三星的5nm工艺。
2020-02-19 15:09:362874

Intel第三代可扩展至强“Ice Lake-SP”性能曝光

Intel首次采用10nm工艺的第三代可扩展至强“Ice Lake-SP”已经推迟到2021年第一季度,将会和AMD 7nm工艺、Zen3架构的的第三代霄龙正面对决,无论规格还是性能都讨不到什么便宜。
2020-11-30 09:56:202241

Intel明年将推出第三代至强可扩展处理器

在跳票多次之后,明年第一季度,Intel将推出代号Ice Lake-SP的单/双路第三代至强可扩展处理器,首次用上10nm工艺,并有全新的Sunny Cove CPU架构。
2020-12-08 09:40:062245

英特尔10nm第三代Xeon服务处理器芯片跑分曝光

隶属于 Ice Lake-SP 家族的英特尔 10nm 第三代 Xeon 服务处理器芯片已经被曝光。根据 GeekBench 跑分库信息,这款处理器具备 36 个核心和 72 个线程,这也是首次
2020-12-10 14:42:272744

澜起科技重磅发布全新第三代津逮CPU!

数据处理和计算力日益提升的需求。 第三代津逮CPU是面向中国市场设计的本土服务器处理器,适用于x86通用服务器平台,其功能、性能及可靠性与第三代英特尔至强可扩展处理器(Ice Lake)一致。相较上一代产品,第三代津逮CPU采用先进的10nm制程工艺,支
2021-04-12 14:26:292879

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