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NAND进入美日韩垄断局面 3D NAND市场竞争加剧

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闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 (PHISON; TPEx:8299) 与长江存储自2016年开始接洽合作,从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226,至近期的64层3D NAND,群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091032

慧荣科技宣布全系列主控 芯片全面支持长 江 存 储Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

SLC NAND3D NAND强势对决 SLC NAND“华丽转身”机遇在哪?

在日本福岛外海发生7.3 级强震之后,日本半导体厂商因为中断生产期间所造成的产品减少供应,其已对当前 NAND Flash市场供应吃紧造成了影响,这将使得NAND Flash的报价可能较之
2021-03-15 14:48:442540

美光宣布了其第五代3D NAND闪存技术

美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术,达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后,自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081

美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存

NAND 采用紧凑型设计,裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%。 据悉,美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光
2020-11-12 13:04:571857

美光发布176层3D NAND闪存

存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599

未来的3D NAND将如何发展?

NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:132330

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率?

依托于先进工艺的 3D NAND,氧化层越来越薄,面临可靠性和稳定性的难题,未来的 3D NAND 将如何发展?如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率? 在 2020 年的闪存峰会
2020-11-20 17:15:443030

不要过于关注3D NAND闪存层数

    NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技术堆叠将走向何方?

3D NAND;长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。转眼来到2020年末,美光和SK海力士相继发布了176层3D NAND。这也是唯二进入176层的存储厂商。不得不说,存储之战没有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

全球六大厂商垄断竞争,长江存储有望打破垄断

NAND Flash作为全球最为重要的存储芯片之一,目前被全球六大厂商进行垄断竞争,中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商,目标第三季进入投片量产,未来中国的长江存储有望打破国外在NAND FLASH的垄断竞争格局。
2021-01-11 14:18:333386

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

长江正式打破三星垄断,192层3D NAND闪存实现年底量产

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:216521

一种用于3D TLC NAND的弹性纠错方案

  通过实施上述 LPDC ECC 序列,在 NAND 控制器上终止强大的 RAID 功能,UDInfo相信,未来基于 3D TLC NAND 的设备可以保证 SSD 质量和数据完整性。
2022-08-17 11:54:142019

详解三维NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)

存储单元中,电荷的存储层可以是浮栅或氮化硅电荷俘获层(Charge-Trapping Layer, CTL)。三维CTL垂直沟道型NAND 闪存(3D NAND 或 V-NAND)基于无结型 (Junctionless, JL)薄膜场效应晶体管(TFT),具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:578266

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

三星:2030年3D NAND进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744

各家3D NAND技术大比拼 被垄断NAND闪存技术

随着密度和成本的飞速进步,数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此,与半导体行业的其他产品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206

有了2D NAND,为什么要升级到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存储技术(NVM Non-VolatileMemory),属于Memory(存储器)的一种。
2024-03-17 15:31:39279

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