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NAND闪存类型,如何选择SLC/MLC和TLCSSD

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MLC(全称:Multi-Level Cell)又称为双层式储存 ,即每单元存储2bit信息(2bit/cell)。存储容量比SLC大,成本相对于SLC大大降低。
2023-04-03 14:23:584387

铠侠在闪存市场的底气

众所周知,铠侠公司发明了NAND Flash。公司凭借其领先的三维(3D)垂直闪存单元结构BiCS FLASH,让公司闪存的密度在市场中名列前茅。与此同时,铠侠还是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。
2023-04-14 09:17:03798

NAND闪存 – 多芯片系统验证的关键元件

NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元(SLC闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元(MLC),闪存可以为每个单元存储两个或更多位,因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031197

苹果闪存和固态硬盘的区别 固态硬盘为什么不建议分区

苹果闪存和SSD都基于闪存技术,但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的,使用NAND(非易失性闪存)芯片技术,而SSD可以是通用的,采用不同类型闪存芯片,如NANDMLC(多级单元)或TLC(三级单元)。
2023-07-19 15:21:372106

pSLC 闪存介绍:高性能和耐久性的闪存解决方案

在当今科技时代,数据存储需求急剧增长,NAND闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来,虚拟SLC(pSLC)闪存技术的引入,为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存
2023-08-02 08:15:35793

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

一、什么是pSLCpSLC(Pseudo-SingleLevelCell)即伪SLC,是一种将MLC/TLC改为SLC的一种技术,现NandFlash基本支持此功能,可以通过指令控制MLC进入
2023-08-11 11:33:30667

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域,产品及服务获得客户高度认可。继 自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产 后,首颗 自研32Gb 2D MLC NAND Flash
2024-02-01 09:18:40127

江波龙推出首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash

江波龙,作为国内领先的半导体存储企业,近日再次引发行业关注。继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产之后,江波龙又成功推出了首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash。这一
2024-02-01 15:04:05277

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