SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。 该公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超过每秒
2019-08-13 09:28:41
5518 据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004052 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，频率、容量、能效和功能技术都达到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:406936 业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。 工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入E
2021-07-12 10:57:064340 2020年2月，固态存储协会(JEDEC)对外发布了第三版HBM2存储标准JESD235C，随后三星和SK海力士等厂商将其命名为HBM2E。 相较于第一版（JESD235A）HBM2引脚
2021-08-23 10:03:281523 SK集团（SK Group）日前发布定期人事异动公告，SK海力士（SK Hynix）有多位高层获得升迁，社长朴星昱甚至晋升为副会长，显示SK海力士在集团内的地位大幅上升。业界普遍认为，这次人事调整
2016-12-30 09:10:391031 SK海力士系统IC主要专注于晶圆代工业务，服务对象为没有晶圆厂的IC设计商。据SK海力士表示，分拆晶圆代工业务主要目的是想强化这方面的竞争力。
2017-07-12 08:17:061345 据韩媒报道，近期SK海力士遭受了黑客组织Maze的勒索攻击，目前Maze声称入侵了SK海力士11TB的数据，并公布了约600MB的数据信息，约占其总数据量的5%。
2020-08-24 14:21:052890 日前，据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术，以建立更高的技术壁垒。对此，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。
2020-10-09 10:34:452136 极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。 SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础
2021-03-29 14:38:436644 ，并讨论购买存储芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已经完成了符合博世要求的规格的存储芯片的开发。 与消费类设备中使用的DRAM相比，汽车中使用的DRAM需要保证更高的可靠性和更宽的激活温度范围。SK海力士开发的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:015332 4月16日消息 据悉，SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司（Bosch）洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称，SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472527 近日，SK海力士官网发布新闻消息称，公司已于7月初开始量产适用第四代10nm（1a）级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。值得注意的是，这是SK海力士首次采用EUV技术进行DRAM量产
2021-07-13 06:36:582938 
为由，将4家中国公司加入SDN名单。 2. SK 海力士开发出世界首款12 层堆叠HBM3 DRAM ，已向客户提供样品 SK海力士20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存
2023-04-20 10:22:191454 
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网报道（文/黄晶晶） SK海力士近日发布全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。
2023-04-23 00:01:002617 
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网报道（文/黄晶晶）新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看，HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
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网报道（文/黄晶晶）近日，SK海力士发布2023年第四季度财报显示，公司2023财年第四季度结合并收入为11.3055万亿韩元，营业利润为0.3460万亿韩元，净亏损为1.3795万亿韩元
2024-01-27 00:03:004988 
售罄。” 值得注意的是，此前市场研究机构Yolo Group报告指出，2023年HBM芯片的平均售价是传统DRAM内存芯片的五倍。然而，市场热度在AIGC的带动下依然有增无减。 SK海力士
2024-02-28 00:16:002233 SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事
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2021-01-29 17:52:55
全球DRAM二哥海力士（Hynix）认为，DRAM产业下半年起开始复苏。
2012-03-16 09:00:193141 近日，制造商Hynix半导体公司更名为SK海力士公司，早在今年二月，移动网络运营商SK电信有限公司以3.34万亿韩元(约30亿美元)收购海力士21%的股份。
2012-03-28 10:25:311592 全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
2016-12-26 09:44:48800 
SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM，将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言，SK 海力士新内存芯片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12749 SK海力士(SK Hynix)入主东芝(Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化，但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划，是否能为SK海力士带来1加1大于2的事业综效，外界出现
2017-03-06 17:38:151037 存储器业经历大多头的牛市之后，是否即将回档，各方争辩不休。韩厂SK海力士加快脚步增产高频宽存储器（HBM），期盼能以技术拉开和对手的差距，维持高毛利。
2018-07-11 09:44:00827 据市场分析，GPU业者对绘图DRAM需求料将有增无减，2018年绘图DRAM销量会持续上扬，三星、SK海力士相继量产HBM2，价格比一般DRAM贵5倍。
2018-02-07 14:47:531619 )制程DRAM，目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度，追赶三星，预 ... 10纳米级DRAM先进制程竞争
2018-11-12 18:04:02253 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 韩国存储器厂 SK 海力士受惠于 DRAM 价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第四季净利几乎翻两倍。
2018-12-28 14:40:54992 
受到移动舍必需求钝化、库存屯积的影响，SK海力士主力产品DRAM的价格正急剧下跌，外界观测指出，接连刷新营业利益纪录的SK海力士，这次恐怕无法再缔新猷。
2019-01-22 15:35:13790 受中美贸易战、全球IT产业景气低迷影响，今年存储器半导体市场得度过一段寒冬，SK海力士预计将设备投资比去年减少4成。另一方面，随着服务器用DRAM和NAND闪存的需求和价格一同下跌，SK海力士计划灵活应对市场行情。
2019-01-26 10:40:343176 据外媒消息，第二大DRAM芯片厂商SK海力士已着手第六代DDR内存即DDR6的研发，预期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 据路透社报道，韩国SK海力士今日表示，将投资1070亿美元建设四家工厂。报道称，SK海力士此举是要在中国力图成为芯片制造领先国家的背景下，继续保持竞争力。
2019-02-22 14:24:443932 从企业别来看，三星电子的销售额为437亿4700万美元，市占率为43.9％，维持着压倒性的领先地位；SK海力士也紧追在后，销售额达294亿900万美元，市占率为29.5％。若将两家企业一并来看
2019-03-10 10:00:351933 存储器循环暴起暴落，价格重挫和需求降温，让 SK 海力士（SK Hynix）第一季营益惨摔近 70%，为 2016 年第三季以来最糟表现。
2019-04-28 16:26:222557 
对于SK海力士而言，无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。
2019-06-21 08:44:403949 据报道，由于中美贸易摩擦愈演愈烈，韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。
2019-06-24 17:21:582989 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 7月15日业界资讯，三星电子和SK海力士已完成针对本土氟化氢的可靠性和整合性测试，近日已投入到DRAM生产。
2019-07-17 10:03:302886 虽然封装不易，但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器，而这也是接续 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。
2019-10-24 17:09:541343 本月DRAM现货价格急涨，以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:542729 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:12:362298 SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1，024个I/Os（Inputs/Outputs， 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息，据外媒报道，SK 海力士宣布，其已能够大规模批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 令发布当天（8月17日），三星、SK海力士等韩企就已停止生产向华为供应的半导体。响应如此迅速，难道断供华为也是韩企的愿望吗？ 断供华为，三星、SK海力士：我也不想啊 此番断供，三星、SK海力士等韩企也是迫不得已。 华为此前公布，
2020-09-17 15:15:131926 韩国记忆体两大厂三星（Samsung）与SK海力士（Hynix）同步看好动态随机存取记忆体（DRAM）后市，激励DRAM制造厂南亚科(2408)与华邦电(2344)股价走扬。 三星预期，受惠5G需求
2021-02-01 12:43:00785 据etnews报道，SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机，以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM，不过并未透露
2021-01-20 18:19:202146 存储芯片厂商SK海力士今天宣布，其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工，SK海力士将首次使用极紫外辐射（EUV）光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间，花费了3.5万亿韩元
2021-02-02 15:00:152112 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com ）在韩国京畿道利川总部以“We Do Technology，开启幸福”为主题举行M16新厂竣工仪式。为遵守防疫规定，公司缩小了本次活动规模
2021-02-03 09:44:241822 业界消息透露，SK海力士（SK Hynix）将在2022年上半内，完成把韩国忠清北道清州M8厂的8寸晶圆设备搬迁至中国无锡厂，比原定计画提早几个月。
2021-02-22 10:23:584644 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机
2021-02-25 09:30:232047 韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片，可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽，每秒处理819GB的数据，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM， High Bandwidth Memory）产品HBM31，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:251175 * 业界最快的DDR5服务器，实现数据传输速率高达8Gbps * 与英特尔、瑞萨电子合作，SK海力士领航MCR DIMM开发 * 努力寻求技术突破，巩固在服务器DRAM市场的领导地位 韩国首尔
2022-12-09 20:40:311447 继SK海力士在去年11月推出的移动DRAM LPDDR5X*，将其性能提升成功开发出了LPDDR5T。本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps（Gb/s）。公司为了强调其超高速度特性，命名时在规格名称“LPDDR5”上加以“Turbo（涡轮增压）”作为了后缀。
2023-01-30 11:21:331073 SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看 前一两年还一直听说内存条在不断涨价的消息，现在突然就爆出消息SK海力士季度亏损创纪录，看来大伙的日子都不太好过。 宏观经济的下滑导致了很多需求
2023-02-01 16:52:122647 
需要复杂的生产过程和高度先进的技术。人工智能服务的扩展扭转了局面。一位业内人士表示，“与性能最高的DRAM相比，HBM3的价格上涨了五倍。” 据了解，目前SK海力士在HBM市场处于领先地位，约有60%-70%的份额。HBM（高带宽存储器）是高价值、高性能存储器，垂直互连
2023-02-15 15:14:444689 
在芯片行业持续衰退的情况下，美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 SK海力士正忙于处理来自客户的大量HBM3E样品请求。英伟达首先要求提供样品，这次的出货量几乎是千钧一发。这些索取样品的客户公司可能会在今年年底收到样品。全球领先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供应HBM3，并已索取HBM3E样品。各大科技公司都在热切地等待 SK 海力士的样品。
2023-07-12 14:34:39685 
据业界透露，三星电子、sk海力士等存储半导体企业正在推进hbm生产线的扩张。两家公司计划到明年年底为止投资2万亿韩元以上，将目前hbm生产线的生产能力增加两倍以上。sk海力士计划在利川现有的hbm生产基地后，利用清州工厂的闲置空间。
2023-08-01 11:47:02632 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704 据dram领域的调查企业trend force称，去年第四季度在dram领域，三星以45.1%的世界市场占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域，三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:58292 sk海力士表示：“以唯一批量生产hbm3的经验为基础，成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础，从明年上半年开始批量生产hbm3e，巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563 该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:41541 与此同时，SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
2023-08-23 15:13:13461 meta是SK海力士的主要顾客之一，正在购买为构建和扩张数据中心的企业用ssd （ssd）和服务器dram。据悉，对ai服务器投入大量资金的meta还要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服务器dram。
2023-08-30 10:03:33504 随着ai产业的增长，hbm需求剧增，sk海力士不得不增加人力和生产。hbm存储器是将多个dram芯片垂直堆叠起来，因此封装技术的防热性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356 目前，HBM产品的主要供应商是三星、SK海力士和美光。根据全球市场调研机构TrendForce集邦咨询的调查显示，2022年，SK海力士在HBM市场占据了50%的份额，三星占据了40%，美光占据了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
SK海力士称，由于高性能半导体存储器产品的市场需求增加，公司业绩开始持续改善。尤其是面向人工智能的存储器产品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等，销售表现良好。因此与上一季度相比，营业收入增长了24%，营业亏损减少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:05457 为SK海力士提供优质的产品和服务。从DDR4世代跨越到DDR5世代，澜起科技与SK海力士合作的产品涵盖DDR4、DDR5内存接口芯片及DDR5内存模组配套芯片。 随着人工智能、机器学习等异构计算飞速发展，CXL作为一种全新的高速互连协议迅速崛起，吸引业界各大厂商争
2023-12-04 09:02:37471 据报道，英伟达为了确保其高性能内存（HBM）的稳定供应，已经采取了积极的措施。为了达到这一目的，英伟达向SK海力士和美光公司提前支付了数亿美元的预付款。
2024-01-07 17:37:491133 数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移，进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22389 近日，据报道，三星电子正计划大规模扩大其HBM（高带宽内存）产能，以满足不断增长的市场需求。这一举措将进一步加剧与SK海力士的竞争。
2024-01-26 15:33:09274 韩国存储芯片巨头SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度财报中，展现出强大的增长势头。数据显示，公司的主力产品DDR5 DRAM和HBM3的营收较2022年分别增长了4倍和5倍以上，成为推动公司营收增长的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05332 据可靠消息来源透露，英伟达与SK海力士已开始就2025年第一季度的高带宽存储器（HBM）供应量进行协调。这一合作的背后，是双方对未来技术趋势的共同预见和市场需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43434 韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国印第安纳州投资兴建一座先进封装工厂，专注于生产高带宽内存（HBM）芯片。这一举措旨在与英伟达（NVIDIA）的AI GPU进行深度整合，共同推动美国本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29664 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08612 SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示，作为 HBM 行业翘楚，海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求，现已提前调整产量，以期更好地满足市场需求，保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:00247 近日，全球存储解决方案领导者SK海力士宣布，他们已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的开发，并且已经通过了英伟
2024-02-25 11:22:21372 据封装研发负责人李康旭副社长（Lee Kang-Wook）介绍，SK海力士已在韩国投入逾10亿美元扩充及改良芯片封装技术。精心优化封装工艺是HBM获青睐的重要原因，实现了低功耗、提升性能等优势，提升了SK海力士在HBM市场的领军地位。
2024-03-07 15:24:17187 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:44333 这一结构性调整体现出三星对于存储器领域HBM产品间竞争压力的关注。SK海力士已然在HBM3市场夺得先机，并因其在人工智能领域的广泛运用吸引了大量订单。
2024-03-10 14:52:501408 SK海力士作为HBM3E的首发玩家，预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验，将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:21252 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道，SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局，计划关闭运营了长达17年的上海销售公司，并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后，反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25344 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 AMD、微软和亚马逊等。 HBM（高带宽存储器），是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品，SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:312126 
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