富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8，SON-8是为该产品添加的新型封装。
2012-11-27 10:00:23
4212 赛普拉斯非易失性随机存取存储器 (NVRAM) 可确保工业系统处于“零数据风险”状态，无论是在正常运行还是故障发生期间均可以完成安全可靠的数据备份。
2017-10-25 10:19:2610429 
双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。很多人甚至可能都不认识这个全称；它通常缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中使用的 DDR 模块图。在该图中，我在其中一个 DDR 芯片上画
2018-04-02 09:21:218082 在同步动态随机存取存储器（SDRAM)的工作模式中，以数据读取速率来分类，有单倍数据速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、双倍数据速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36267 
EPROM，它们的写都要有特殊的条件，一般我们用一种称之为“编程器”的设备来做这项工作，一旦把它装到它的工作位置，就不能随便改写了。
半导体存储器的分类
按功能能分为只读和随机存取存储器两大类。所谓只读
2010-11-04 18:15:42
EPROM，它们的写都要有特殊的条件，一般我们用一种称之为“编程器”的设备来做这项工作，一旦把它装到它的工作位置，就不能随便改写了。
半导体存储器的分类
按功能能分为只读和随机存取存储器两大类。所谓只读
2010-11-01 13:14:23
说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在执行的程序和数据。CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。RAM：（Random Access Memory），随机存取存储器，是一种可读/写存储器，一般用于计算...
2021-07-26 08:08:39
设计（重点）位扩展（位并联法）字节扩展（地址串联法）【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类这里我们拣SRAM和DRAM来讲【3】SRAM基本原理：静态随机存取存储器(SRAM)：所谓...
2021-07-29 06:21:48
Keil编译后生成bin文件占用内部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名词解释RAMRAM又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问
2022-01-26 06:05:59
ARM体系结构中主要半导体存储器嵌入式系统使用的存储器有多种类型，按其存取特性可分为随机存取存储器和只读存储器；按照所处的物理位置可分为片内存储器和片外存储器以及外部存储设备；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步动态随机
2022-03-02 07:20:19
它们写入静态随机存取存储器一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。对静电敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器：规格：存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR2存储容量1Gb （64M x 16）存储器接口并联时钟频率400MHz写
2020-06-30 16:26:14
双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。很多人甚至可能都不认识这个全称；它通常缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中使用的 DDR 模块图。在该图中，我在其中一个 DDR 芯片上画
2022-11-23 07:15:34
RAM——随机存取存储器“随机”表示存储器中的数据被读取或写入时，所需的时间与数据所在的位置无关RAM掉电数据丢失，分为SRAM（静态随机存储存取器）和DRAM（动态随机存储存取器）。SRAM存储数据的时间相对较长
2021-12-10 06:39:26
静态随机存取存储器SRAM是什么？有何优缺点？动态随机存取存储器DRAM是什么？有何优缺点？
2021-12-24 07:04:20
sram存储原理是依靠，概念静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据
2021-07-27 06:06:26
TAS-MRAM概念从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
2021-03-03 06:10:33
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电
2020-12-25 14:50:34
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
什么是静态随机存取存储器？SRAM是由哪些部分组成的？
2021-10-09 08:37:59
方式随机存取存储器（RAM）静态 RAM（SRAM）动态 RAM（DRAM）动态 RAM 和静态 RAM 的比较只读存储器（ROM）存储容量的扩展存储器与 CPU 的连接提高访存速度的措施存储器概述
2021-07-26 06:22:47
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
实验二静态随机存取存贮器实验
2021-12-03 08:22:16
MT48LC16M16A2P-6A:G是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含268435456位。它内部配置为具有同步接口的四组DRAM（所有信号都记录在时钟信号CLK的正边缘
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
存储器名词解释 RAM：随机存取存储器。每一存储单元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可写的易失性存储器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402813 第三十一讲 随机存取存储器
9.3 随机存取存储器9.3.1 RAM的基本结构和工作原理
9.3.2 RAM的存储单元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述随着DS32X35系列产品的发布，Maxim能够提供无需电池的非易失存储器。这些器件采用了铁电随机存取存储器(FRAM)技术，FRAM是非易失存储器，其读/写操作与RAM类似。该系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：该应用笔记介绍了DS32X35系列产品。这些器件为带有铁电随机存取存储器(RTC + FRAM)的高精度实时时钟，无需外接电池即可保持存储器内容。
概述随着DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名称 RAM（随机存取存储器） RAM -random access memory 随机存储器 定义 存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无
2010-06-29 18:16:592215 赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)，该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用
2011-04-06 19:06:011420 QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片FM24C64C具有低功率运作特性，有效电流为100 µA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 所谓「随机访问」，指的是当存储器中的讯息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，存取顺序访问（SequenTIal Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。
2018-06-28 12:17:0011795 耶鲁大学和IBM华生研究中心的研究人员一直在新型相变存储器研发领域开展合作，目标是使具有潜在革命性的相变存储技术更具实用性和可行性。 近年来，相变存储器技术作为一种能改变游戏规则的新兴技术，逐渐成为替代计算机随机存取存储器的潜在选择。
2018-06-13 09:26:001567 本文比较了TMS320C55x DSP外部存储器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特点。这两个接口都支持异步存储器、同步突发静态随机存取存储器（SBSRAM）和同步动态随机存取存储器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:06
3 美国芯片设计商Rambus宣布与中国存储器解决方案供应商兆易创新（GigaDevice）合作建立一个在中国的合资企业Reliance Memory，以实现电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的商业化
2018-05-17 10:34:005566 随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
2018-05-17 17:04:5819725 本文档的主要内容详细介绍的是STM32同步动态随机存取存储器（SDRAM）的源代码程序资料免费下载
2018-08-31 15:53:3921 随机存取存储器（randomaccessmemory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。本视频主要介绍了随机存取存储器的最大特点。
2018-11-24 10:59:1143325 半导体存储器可以简单分成易失性存储器和非易失性存储器，易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化，依然是以静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）为主，非易失存储器反而不断
2019-01-01 08:55:0011607 
随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
2019-01-07 16:46:4915156 静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 式随机存取存储器（MRAM）、可变电阻式随机存取存储器（ReRAM）、相变化随机存取存储器（PCRAM）等新型存储器，开始被市场采用，而AI/HPC将加速新型存储器更快进入市场。
2019-07-29 16:38:053109 本文档的主要内容详细介绍的是使用DSP进行静态随机存取存储器SRAM的读写实验报告书免费下载。
2019-08-02 17:39:284 我们许多人都知道，随机存取存储器（Random Access Memory，缩写：RAM；也叫主存）是与电脑的中央处理器直接交换数据的内部存储器。
2020-01-13 11:50:271949 本文档的主要内容详细介绍的是半导体存储器的学习课件资料说明包括了：存储器基本概念，随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM），存储器连接与扩充应用，微机系统的内存结构
2020-05-08 08:00:002 或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码.由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器,就用来存放程序和数据了. 按其功能可分为:随机存取存储器(简称ram)和只读存储器(只读ROM) RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取
2020-05-10 10:10:547053 新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 因此“内部快取记忆体”应运而生，也就是静态随机存取存储器。它通常以六个联结晶状体所构成，不需要去更新。静态随机存取储存器是计算机系统中最快的存储器，但也是最贵的，也占用了比动态随机存取储存器多三倍的空间。
2020-06-24 15:45:582764 存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器
2020-07-15 11:45:1021113 SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
2020-07-16 10:44:034771 
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
2020-12-03 11:53:166108 UG-1755：评估ADG5401F故障保护，6Ω随机存取存储器，带0.6kΩ反馈通道的单刀单掷开关
2021-03-23 00:21:254 富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。能够保持数据，而无需使用SRAM所需的备用
2021-05-04 10:13:00928 
ADG7421F：低压故障保护和检测，20Ω随机存取存储器，双单掷开关数据表
2021-05-14 18:27:144 作者：Robert Taylor1 德州仪器
双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。很多人甚至可能都不认识这个全称；它通常缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981 。因此，ROM常用来存储系统程序，具有开机自检、键盘输入处理、用户程序翻译、信息传输、工作模式选择等功能。 2.随机存取存储器。 随机存取存储器也称为读写存储器。当信息被读出时，内存中的内容保持不变；写入时，新写入的信息会覆盖原始内容。
2021-12-24 13:50:3513864 铁电存储器是一种随机存取存储器，同时也是一种特殊工艺的非易失性的存储器,它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问，它属...
2022-01-26 18:11:561 一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 国产SRAM芯片厂商伟凌创芯EMI7256器件是256Kb串行静态随机存取存储器，内部组织为32K字，每个字8位。最大时钟20MHz，采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用CMOS工艺。它被组织为512K×8bit宽的数据接口。可以选择块单独配备专用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器20Mbit。该芯片采用VDIC高密度SIP技术制造，堆叠六个SRAM芯片，采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256Kx40bit宽的独立块数据接口。可以使用专用的#CSn单独选择每个块。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含16777216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四个采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM芯片。它分为两部分512K x 32位宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含6.777.216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四层采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM组。它分为两部分512Kx32bit宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:18:520 VDSR16M16XS54XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM组采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为四个256K x的独立块16位宽数据接口。
2022-06-08 14:17:250 VDSR8M16XS54XX2V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256K×的独立区块16位宽数据接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用CMOS工艺。它被组织为512K×8bit宽的数据接口。可以选择块单独配备专用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠四个16 Mbit MRAM模具。它被组织为四个2Mx的独立模具8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的五个独立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SIP制造技术，该设备堆叠4个4-Mbit MRAM模具。它由四个512K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻随机存取存储器。该器件采用VDIC高密度SiP技术制造，可堆叠16 Mbit MRAM芯片。它是有组织的作为一个2M x 8bit宽数据接口的独立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠八个1-Mbit MRAM模具。它由八个128K的独立模具组成8比特宽的数据接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠四个1-Mbit MRAM模具。它由四个128K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的一个独立模块。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为一个128K x 16位宽数据接口的独立模块。
2022-06-08 10:18:481 基于原子级锐利界面的范德瓦尔斯异质结超快浮栅存储器具有和动态随机存取存储器（10 ns）相当的编程速度，同时具备非易失、大容量的存储特性。
2022-06-10 16:15:101522 
W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），由4M字×4组×16位组成。W9825G6KH提供高达每秒200兆字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。
2022-11-29 15:56:463115 
磁性隧道结（MTJ）通常是由两层铁磁材料中间夹着薄绝缘屏蔽（MgO 或Al2O3）层组成的，它可以实现双稳态隧道磁电阻 ( Tunneling Magneto - Resistance, TMR)，此特性可用于存储逻辑数据“1”或“0”。
2023-02-01 17:11:42852 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种，即深沟
2023-02-08 10:14:575004 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。
2023-02-08 10:14:39547 
无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55317 ，非易失性存储器在计算机关闭后存储数据仍保留在计算机中。易失性存储器的主要特征是它们需要电源来维持其存储状态。主要分为两种类型：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。 1963年，Fairchild发明了SRAM。作为即1959年I
2023-06-28 09:05:28878 本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34819 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27382 低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR，是DDR SDRAM 的一种，由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257 
英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39359
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