据台湾经济日报最新消息，联电（2303）与下一代ST-MRAM（自旋转移力矩磁阻RAM）领导者美商Avalanche共同宣布，合作技术开发MRAM及相关28纳米产品；联电即日起透过授权，提供客户具有成本效益的28纳米嵌入式非挥发性MRAM技术。
2018-08-09 10:38:12
3129 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越感兴趣。
2022-07-26 11:08:341864 
本文旨在讨论各种MRAM的技术路径，其中包括磁场驱动型、自旋转移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋轨道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、电压控制
2022-09-29 15:30:253452 德赢Vwin官网
网报道（文/周凯扬）磁性随机存储器（MRAM）已经有了多年的发展历史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton两人在霍尼韦尔打造出了首个磁阻存储器设备
2022-11-29 09:25:322408 MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
MRAM与FRAM技术比较
2021-01-25 07:33:07
我们可以预见到未来有望出现新型的、功能大大提升的单芯片系统这一美好前景。MRAM技术目前还存在一些困难，至少还没有一种实用化的、可靠的方式来实现大容量的MRAM。困难之一是对自由层进行写入（使磁矩平行或
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.
2021-01-01 07:13:12
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
Everspin串口串行mram演示软件分析
2021-01-29 06:49:31
在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存储原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM技术进入汽车应用
2021-01-11 07:26:02
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
2021-02-24 07:28:54
的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，***和其他亚洲国家。 那Everspin MRAM内存技术是如何工作
2020-08-31 13:59:46
HDMI技术深入浅出
2012-08-19 10:52:57
LabVIEW 深入探索
2015-07-01 10:54:43
LabVIEW_深入探索
2012-08-31 13:53:31
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2012-08-19 13:38:42
Labview 深入探索
2013-04-11 18:09:31
Labview深入探索的很好资料哦
2012-04-27 21:29:59
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
2021-01-01 06:29:30
everspin自旋转矩MRAM技术
2020-12-25 07:53:15
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
2021-03-03 06:10:33
关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面？
2021-06-08 07:11:38
我想将 iMX RT1024 连接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 数据表声明它与 SRAM 接口兼容但是，通过比较 MR5A16A 数据表和 iMX RT1024 参考手册
2023-04-17 07:52:33
在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。
2021-01-11 06:44:23
嵌入式MRAM关键应用与制造商
2021-01-08 06:36:18
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
我现在打算用赛灵思的7K325T在BPI加载模式下用everspin的MRAM——MR4A08B代替FLASH,问一下有大神这么做过么，有没有可行性？
2015-09-22 10:12:36
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II测试系统的测试技术研究，提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。其中功能测试包括全空间读写数据0测试，全空间读写
2019-07-23 07:25:23
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电
2020-10-20 14:34:03
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
来源：全球SSD 上周，在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体巨头展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 首先，我们来了解一下 MRAM (Magnetic
2018-12-17 16:09:01147 随着制造成本下降以及其他存储器技术面临可扩展性挑战，嵌入式MRAM正在获得更多考虑。
2019-09-16 16:25:42846 台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。
2019-12-10 14:15:492685 产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。 半导体工艺控制和支持技术供货商KLA对MRAM作为一种新兴的NVM技术的前景感到振奋，为IC制造商提供了一系列解决方案的组合，可帮助加速MRAM产品开发，确保成功实现量产并在生产中取得最佳良率
2020-03-25 15:27:15449 Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化
2020-04-07 17:06:30459 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持
2020-04-09 09:13:145683 在新型 RAM 技术中，MRAM对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17720 MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-08 15:01:55861 MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:031004 存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。 MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了
2020-07-13 11:25:581037 MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进
2020-07-17 13:56:10453 
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时
2020-08-07 17:06:122003 。Everspin代理宇芯电子为用户提供专业的产品技术支持及服务。 这种设计具有系统灵活性并防止了总线争用。单独的字节使能引脚还提供了灵活的数据总线控制，其中数据可以以8位或16位的形式写入和读取。 它使用0.18微米工艺技术以及专有的MRAM工艺技术制造而成，以创建位单元。两种技术形成了五
2020-09-21 14:09:49392 
MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为黑匣子应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:181049 
中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。Everspin一级代理英尚微电子提供产品相关技术支持。 MRAM涉及汽车应用。对于碰撞记录器，MRAM可以在事故发生时收集和存储更多数据，并帮助确定车辆事故或故障的原因。 使用传感器的汽车应用可以受益于MRAM。由于传感器连续地写入数据
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 MRAM己经成为存储芯片行业的一个技术热点.Everspin公司成为第一家提供商用产品的公司。Everspin MR2A16A是全球第一款商用MRAM产品。 该芯片基于Toggle写入模式，并与采用
2020-10-26 14:40:191670 一段不短的时间进行启动才能正式使用，而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有望令PC的应用方式彻底改变。 一、断电也能保存MRAM技术精髓 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，所谓非易失性是指关掉电源后，
2020-10-27 13:59:12563 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM的存储原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
2020-12-24 15:51:14614 广泛应用在数据中心、云存储、能源，工业，汽车和运输市场中，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。 什么是MRAM？ MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备
2021-01-16 11:28:23531 对于长期处于困境的MRAM行业来说，自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。 MRAM轰轰烈烈地问世。但此后，MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。在目前大批量生产的产品
2021-03-03 16:33:25577 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端
2021-03-03 16:40:05955 Everspin半导体为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace在其磁力计子系统中使用Everspin的温度范围更大的4Mbit
2021-04-30 17:17:53325 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191926 血液透析是为人工肾、洗肾，是血液净化技术的一种。其利用半透膜原理，通过扩散、对人体内各种有害以及多余的代谢废物和过多的电解质移出体外，达到净化血液的目的，并吸达到纠正水电解质及酸碱平衡的目的。本篇
2021-11-11 16:26:49390 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技术中，MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 航天级IC助推詹姆斯·韦伯太空望远镜深入探索宇宙奥秘
2022-10-28 11:59:400 在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。
2022-11-17 14:32:39444 
MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器，使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。
2022-11-21 17:08:44389 德赢Vwin官网
网报道（文/周凯扬）磁性随机存储器（MRAM）已经有了多年的发展历史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton两人在霍尼韦尔打造出了首个磁阻存储器设备
2022-11-29 07:15:10824 STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:581325 MRAM是一种基于隧穿磁阻效应的技术，MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域，该技术拥有读写次数无限、写入速度快（写入时间可低至2.3n）、功耗低、和逻辑芯片整合度高的特点。
2023-01-07 11:10:123518 本章将深入探索 Linux 中的 C 语言。在本章中，我们将学到更多关于编译器、从源码到二进制程序的 4 个步骤、如何使用 Make 工具以及系统调用和 C 标准库函数的差别的知识。我们也将学习一些
2023-03-14 16:48:58820 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462548 本文将深入探索感应马达的生产过程。尽管各厂商的马达细节设计有所异同，我们还是将以最基础的生产模式为主要脉络来进行阐述。
2023-08-16 16:23:30791 
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044839
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