DRAM存储器为什么要刷新

DRAM（Dynamic RandomAccess Memory，动态随机存取存储器）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。

　　DRAM中的基本存储单元由两个元件组成：晶体管和电容器。当需要将一个位放入存储器时，晶体管用于对电容器充电或放电。从位线读取的动作迫使电荷流出电容器。

　　DRAM与SRAM（静态随机存取存储器）相比，其优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。然而，DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。

　　DRAM cell结构由1个MOS和1个电容组成，由电容是否带电荷来区分0和1。不过，由于电容漏电流的原因，DRAM无法长时间保存数据，需要“动态”刷新（刷新周期在亚ms级别）。

　　DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。由于电容存在漏电阻，因此每个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电，以维持原来的数据不丢失，此行为称之为刷新。

　　DRAM与SRAM（静态随机存取存储器）相比，其优势在于结构简单，成本低，且集成度高，因此广泛应用于笔记本电脑和台式机中的内存模块。

　　此外，由于电容存在漏电阻，因此每个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电，以维持原来的数据不丢失，此行为称之为刷新。

　　DRAM存储器广泛应用于笔记本电脑和台式机中的内存模块。

　　DRAM存储器为什么要刷新

　　DRAM（动态随机存取存储器）存储器需要刷新的主要原因是电容器的漏电。DRAM中存储数据的基本单元是电容器和晶体管，其中电容器用于存储信息，而晶体管则用于读写数据。

　　由于电容器是一种可充电的电子元件，其存储的电荷会随时间逐渐泄漏。为了避免存储的数据在漏电的情况下丢失，DRAM需要定时刷新电容器中存储的数据。刷新操作是由内部计时器触发的，定期地读取并重新写入DRAM中存储的所有数据。这样可以确保每个电容器都能得到充电，从而保持数据的正确性。

　　在现代的DRAM中，刷新操作通常使用“自刷新”技术实现，即DRAM芯片内部包含一个刷新控制电路，它可以自动执行刷新操作，而不需要外部的控制信号。这样就可以减少CPU或其他控制器的负担，提高系统的性能和可靠性。

　　刷新是以行为单位的，每次刷新一行。刷新方式有集中刷新方式、分散刷新方式和异步刷新方式。

　　审核编辑：黄飞