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长江存储QLC闪存寿命实现重大突破

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2020-12-08 09:40:03 4117

奥来德在封装材料方面取得重大突破

日前,记者获悉,吉林奥来德光电材料股份有限公司在封装材料方面取得 重大突破,产品综合性能已经达到国外同等水平,其中部分物理性能和稳定性表现突出,在水、氧阻隔方面具有良好的表现。
2020-12-21 11:44:33 981

长江存储最快在2021年中旬试产首批192层闪存,国产闪存产能年底可占全球7%

2019年 长江 存储国产的64层 闪存开始量产之后,2020年他们又带来了128层 闪存,2021年则会带来192层 闪存。 日经新闻亚洲版报道称,中国 闪存厂商 长江 存储正在加速扩张 闪存产能,计划在2021
2021-01-12 14:37:42 6615

长江存储闪存产能翻倍?谣言!

昨天日经新闻亚洲版报道称, 长江 存储2021年的产能将翻倍,达到10万片晶圆/月,年中还有192层 闪存的试产,不过 长江 存储今天否认相关内容。
2021-01-14 10:21:38 2084

长江存储计划今年将产量提高一倍

此前4月13日, 长江 存储宣布其128层 QLC3D NAND 闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端 存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。
2021-01-17 10:19:20 2855

盘点2020年存储行业十大事件

2020年4月13日, 长江 存储宣布其128层 QLC3D NAND 闪存研发成功,这也是业内首款128层 QLC规格的3D NAND 闪存。同年8月14日, 长江 存储128层 QLC3D NAND 闪存芯片在紫光集团展台上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:36 2106

Intel披露QLC闪存进展,寿命绝口不提

SLC、MLC、TLC、 QLC、PLC……NAND 闪存一路发展下来,容量密度越来越高,成本越来越低,性能和 寿命却越来越渣,不得不依靠各种技术以及主控优化来辅助,但依然不容乐观。
2021-02-22 09:26:42 1488

Intel披露QLC闪存新进展 不提寿命

SLC、MLC、TLC、 QLC、PLC……NAND 闪存一路发展下来,容量密度越来越高,成本越来越低,性能和 寿命却越来越渣,不得不依靠各种技术以及主控优化来辅助,但依然不容乐观。 TLC依然是目前市场
2021-02-22 09:53:27 1543

QLC闪存144层QLC技术细节曝光

SLC、MLC、TLC、 QLC、PLC……NAND 闪存一路发展下来,容量密度越来越高,成本越来越低,性能和 寿命却越来越渣,不得不依靠各种技术以及主控优化来辅助,但依然不容乐观。
2021-02-22 10:00:49 3054

IBM和三星在半导体设计方面取得重大突破

在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IBM和三星联合宣布,他们在半导体设计方面取得一项 重大突破
2022-03-16 09:56:02 343

长江存储推出UC023闪存芯片 专为5G时代打造

  昨日消息,国内专注于3D NAND 闪存存储器解决方案的半导体集成电路企业 长江 存储宣布推出UFS 3.1通用 闪存-UC023。
2022-04-20 11:47:52 1840

苹果欲与长江存储合作来降低NAND闪存的价格

苹果公司将 长江 存储(YTMC)纳入供应商名单。苹果与YTMC合作的目的是通过使供应商多样化来降低NAND 闪存的价格。
2022-09-08 11:55:23 543

分区存储助力QLC应用到嵌入式存储设备

部署 QLC 存储设备。 QLC可以给 存储设备带来更低的成本,作为消费级产品的嵌入式 存储设备,未来引入 QLC也是势在必行。 但和当前主流TLC相比, QLC在性能和 寿命上都相差很大,从下面某原厂TLC和 QLC在性能和 寿命方面的一个对比可见一斑。 ( Table 1:某原厂TLC和
2023-02-14 15:05:05 363

对比韩企存储技术,长江存储发展如何

据外媒报道, 长江 存储去年7月生产了232层3D NAND 闪存样机,同年11月开始投入量产。
2023-02-28 10:51:25 1673

QLC闪存D5-P5430的基本规格、性能表现

SK海力士收购Intel NAND 闪存业务重组而来的Solidigm,就发布了一款 QLC 闪存的企业级产品P5-D5430,可以说是 QLCSSD的一个代表作。
2023-06-09 10:41:43 504

分区存储助力QLC应用到嵌入式存储设备

QLC 存储设备。 QLC可以给 存储设备带来更低的成本,作为消费级产品的嵌入式 存储设备,未来引入 QLC也是势在必行。但和当前主流TLC相比, QLC在性能和 寿命上都相差
2023-02-22 14:12:23 376

拐弯突破美国禁令!长江存储神秘闪存曝光

长江 存储已经将3D NAND 闪存做到了232层堆叠, 存储密度15.47Gb每平方毫米,而且传输速度高达2400MT/s,妥妥的世界第一,结果被美国一直禁令给拦住了,死死限制在128层,但我们肯定不会坐以待毙。
2023-07-20 09:44:31 1266

华为芯片迎重大突破

华为芯片迎 重大突破:目前华为的麒麟系列芯片已经成为世界上最强大的移动芯片之一,被广泛应用于华为自家的旗舰手机以及平板电脑等设备上。 华为一直是全球领先的芯片设计和制造企业之一,近年来通过自主研发
2023-09-06 11:14:56 3405

长江存储232层闪存揭秘

长江 存储1Tb TLC芯片的 存储密度已达15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高达19.8Gb每平方毫米,在两种 闪存类型中都无出其右者。
2023-11-02 11:11:46 902

起诉美光!长江存储反击

诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使 长江 存储退出3D NAND Flash( 闪存)市场来阻止竞争和创新。
2023-11-13 15:47:51 301

长江存储起诉美光!

长江 存储在以上起诉书中称, 长江 存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。 长江 存储表示,去年11月,分析和跟踪 闪存市场的TechInsights公司得出结论: 长江 存储是3D NAND 闪存领域的领导者,超过了美光。
2023-11-13 16:53:04 540

8项专利被侵权!美光与长江存储陷入专利之争

长江 存储与美光芯片战升级。3D NAND 闪存制造商 长江 存储,已于9日在美国加州北区地方法院对美国记忆芯片龙头美光科技提告,指控美光侵犯了 长江 存储8项与3D NAND相关的美国专利。
2023-11-13 17:24:51 554

我国在光存储领域获重大突破或将开启绿色海量光子存储新纪元

”;这是我国在光 存储领域获 重大突破。有助于解决大容量和节能的 存储技术难题。 利用国际首创的双光束调控聚集诱导发光超分辨光 存储技术,实验上首次在信息写入和读出均 突破了衍射极限的限制, 实现了点尺寸为54nm、道间距为70
2024-02-22 18:28:45 1361

长江存储QLC闪存已完成4000次P / E擦写,采用第三代Xtacking技术

值得注意的是, 长江 存储首席技术官(CTO)霍宗亮指出,NAND 闪存行业已经在饱受煎熬的2023年逐步复苏,并有望在2023~2027年间 实现21%的复合增长率以及20%的累计设备平均容量增长。
2024-03-28 13:57:57 87

零的突破!中国闪存芯片正式步入国际主流水平

德赢Vwin官网 网报道 长江 存储4月13日重磅发布两款128层3D NAND产品引起业界高度关注,其中128层 QLC产品为目前业内发布的首款单颗Die容量达1.33Tb的NAND 闪存,容量、性能均优于主要
2020-04-14 09:17:33 5021

首次亮相!长江存储128 层3D NAND 现身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括 长江 存储的128层 QLC三维 闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层 QLC规格的3D NAND 闪存长江 存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积 存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:14 4032

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