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内存颗粒涨价狂潮,来了解一下MLC NAND闪存下的技术细节

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2021-02-22 10:00:493038

内存闪存供应紧张,将开启涨价

最近考虑装机的朋友,是否发现内存已经悄然涨价
2021-02-23 11:25:191263

NAND闪存类型,如何选择SLC/MLC和TLCSSD

NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门(NOT-AND),用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

SLC、MLC、TLC和QLC存储颗粒的区别

说起来,存储单元是硬盘的核心元件,选择SSD实际上就是在选择存储颗粒。那SLC、MLC、TLC和QLC这几种存储颗粒究竟存在什么区别呢?Ci妹这就来告诉大家。
2021-03-19 15:07:5216

NAND 闪存满足内存控制器要求

内存控制器的未来与它们控制的内存有着不可逆转的联系。同样,它们受摩尔定律的约束。虽然存储类存储器 (SCM) 可能会因新架构而获得关注,但存储器控制器市场仍然很大程度上受 NAND 闪存的支配
2022-07-20 10:35:27694

NAND闪存的应用中的磨损均衡

NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

深入了解目标检测深度学习算法的技术细节

本文将讨论目标检测的基本方法(穷尽搜索、R-CNN、Fast R-CNN和Faster R-CNN),并尝试理解每个模型的技术细节。为了让经验水平各不相同的读者都能够理解,文章不会使用任何公式来进行讲解。
2023-01-05 16:27:20230

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存 – 多芯片系统验证的关键元件

NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元(SLC)闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元(MLC),闪存可以为每个单元存储两个或更多位,因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND闪存特点及决定因素

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983

浅谈400层以上堆叠的3D NAND技术

3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间内,容纳更高的存储容量,从而有效节约成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729

苹果闪存和固态硬盘的区别 固态硬盘为什么不建议分区

苹果闪存和SSD都基于闪存技术,但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的,使用NAND(非易失性闪存)芯片技术,而SSD可以是通用的,采用不同类型的闪存芯片,如NANDMLC(多级单元)或TLC(三级单元)。
2023-07-19 15:21:372106

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214

内存/闪存涨价来了

需求方面,2023下半年移动DRAM(内存)及NAND Flash闪存(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标,短时间内涌入的需求也成为推动第四季度合约价涨势的原因之一。
2023-11-09 16:15:27336

Tech Talk:解读闪存原理与颗粒类型

NAND闪存的存储方式和堆叠技术也在持续演进。本文将围绕闪存颗粒相关的概念以及发展趋势做介绍。NAND闪存单元NAND闪存基于浮栅晶体管,通过其中所存储的电荷量表示不同
2024-02-05 18:01:17422

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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