2016年下半年开始了新一轮存储芯片的旺季,DRAM内存及NAND闪存的价格从那时候开始疯涨,今年已经进入第三个年头了,不过情况也不一样了DRAM内存颗粒今年的涨价速度放缓到个位数,不过今年并没有
2018-10-31 09:49:012076 目前韩国日本之间的纠纷还没摆平,但是考虑到韩国三星、SK海力士两家公司占了全球70%以上的内存、50%以上的闪存生产,日本制裁对韩国的存储芯片产业影响会很大,如果双方不解决供应限制的话。威刚方面看好NAND闪存涨价,预计NAND闪存芯片将涨价10%到15%,而SSD硬盘也会有差不多的涨幅。
2019-07-09 09:28:021465 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006 月初,DRAMeXchange研究称,NAND闪存颗粒的供应价格将持续攀升到明年Q1,由此带动SSD涨价。
2016-12-22 09:31:15856 NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446 首先,内存请求与闪存内存之间存在颗粒度不匹配。这导致了在闪存上需要存在明显的流量放大,除了已有的闪存间接性需求[23,33]之外:例如,将64B的缓存行刷新到CXL启用的闪存,将导致16KiB的闪存内存页面读取、64B更新和16KiB的闪存程序写入到另一个位置(假设16KiB的页面级映射)。
2023-10-09 16:46:20376 知名数码博主 @Blood旌旗 在微博中爆料,固态硬盘厂商海康威视使用西部数据回收的NAND闪存颗粒。这已经不是海康威视第一次出现这样的问题,在黑猫投诉上发现,有用户投诉海康威视c2000固态就涉嫌虚假宣传,宣传颗粒为东芝颗粒,实际颗粒为镁光颗粒。
2020-03-14 10:30:416613 8gu盘闪存颗粒坏了 可以自己换16g或者更大的闪存颗粒吗
2023-11-01 06:47:37
文件系统,以及余下的空间分成一个数据区。图 1 NAND FLASH 和 NOR FLASH 比较先简单回顾一下各自的特点。如图1所示,NOR FLASH是现在市场上主要的非易失闪存技术,一般只用来存储
2020-11-19 09:09:58
我公司是国内最大的内存颗粒/FLASH芯片测试夹具生产厂家,专业生产各类内存条颗粒,U盘FLASH芯片,LGA 测试座,TF卡等测试夹具,测试性能稳定,效率高!是内存条,TF卡,闪存,U盘商家其厂家最佳合作伙伴!可以订制各种芯片的测试夹具!欢迎来厂参观指导工作!
2011-03-18 13:45:58
自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术
2019-11-11 07:52:28
MLC芯片所造成的待机时间的缩短已经达到了难以感知的程度。后SLC时代展望随着全球FLASH存储设备的高速增长,需求的加大,在SLC与MLC闪存的使用范围内,必将出现一次爆发性的增长,速度越来越快,容量越来越大,可靠性越来越高,在众多先进技术的保驾护航下,消费者无疑是最大的赢家。
2015-03-16 21:07:59
我看到这个版面很多朋友在问OK6410的2G MLC NAND问题,在第15和16个实验那过不去了。我这两天也在调试这个问题,终于通过了。跟大家分享一下。主要注意点有三个:1.时间参数需要更改一下
2019-07-08 05:45:39
一、什么是pSLC
pSLC(Pseudo-Single Level Cell)即伪SLC,是一种将MLC/TLC改为SLC的一种技术,现Nand Flash基本支持此功能,可以通过指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我对内存使用有一些疑问: XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存?如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动,则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
示例开始,修改了一些部分,内存似乎可以正常工作。但是,有些细节我无法理解,我想问一下:1) 突发长度:我必须使用哪个值?在内存数据表中我找不到关于这个领域的任何想法,在处理器参考手册中也是如此。你能更好
2023-04-04 06:38:32
的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。随着Nand技术的发展,根据Nand颗粒存储单元,可以分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi LevelCell)、TLC
2015-07-26 11:33:25
什么是QLC?QLC的出现是不是意味着SSD性能在倒退?QLC闪存会取代TLC、MLC吗?
2021-06-18 06:27:34
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品,可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
回收内存颗粒 收购内存颗粒 长期回收内存颗粒,高价收购内存颗粒,优势收购内存颗粒,实力收购内存颗粒!!帝欧电子 ★☆ 赵先生 TEL:***QQ:879821252? 专业回收flash现代
2020-12-16 17:31:39
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2021-01-11 18:16:12
dealic@163.com帝欧电子回收东芝颗粒,收购东芝颗粒,回收内存芯片,回收闪存芯片,原装带板都收回收东芝颗粒长期高价收购个人和厂家积压或过剩库存的电子料,电子元器件:主要回收范围:工厂退港,退税
2020-11-03 16:25:13
的既定计划。iPhone 12系列、PS5游戏主机、Xbox One X游戏主机、RTX 3000系列显卡、RX 6000系列显卡,所有这些热门产品都在缺货的危机中迎接着涨价的狂潮,消费者倍感措手不及。有趣的是,即便是在去年这一波缺货涨价狂潮之中,内存却依然处于跌价周期。究其原因,主要是因为...
2021-07-29 06:17:51
还会降低30%,直到下一轮涨价。2018年的NAND市场由涨转跌,这个趋势还会在今年得到延续,不过2019年闪存市场上的变数不只是降价这么简单,新技术、新产品以及中国厂商的加入都会对这个市场带来很大
2021-07-13 06:38:27
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性,您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台,由于速度需求,不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
存储级内存(SCM)取代NAND闪存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
差异化且高效的多晶硅间擦除和源极注入编程存储单元,不断推动行业向前发展。图 1 第 1 代嵌入式 SuperFlash(ESF1)这里来插播一下闪存最最基本的位单元存储结构和工作原理,请看下面三图
2020-08-14 09:31:37
应用Bluetooth Smart技术的全套智能骑行设备的技术细节和应用场景,不看肯定后悔
2021-05-21 06:47:43
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高
2021-07-22 08:57:59
。从软件的角度来看,我想了解现有的 NAND 驱动程序是否适用于 MLC NAND 设备或退出内核驱动程序所需的任何更改/支持?
2022-12-23 07:14:24
的部分,实际上还要加上16字节的校验信息,因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到(512+16)Byte的表示方式。NAND是以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域
2018-06-21 14:57:19
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年
2010-08-30 15:48:01183 NAND Flash SLC MLC技术分析什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:271430 什么是内存颗粒封装 颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型,封装就是将内存芯片包裹起来,以避免
2009-12-25 14:21:38897 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在:
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型,其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 特尔(Intel)在稍早前的国际固态电路会议(ISSCC)中,透露了32纳米Sandy Bridge处理器的技术细节,包括进一步说明其模块化环互连、如何将快取的操作电压降至最低,以及导入用于监控互连流量的除错总线。
2011-03-01 09:56:121113 英特尔今天宣布发布使用新型HET-MLC NAND闪存芯片的 SSD 710型号,MLC就是多层单元封装,HET则代表着高耐久性技术(High Endurance Technology),是为了解决闪存类型与寿命之间的矛盾而诞生的。
2011-09-15 09:28:331450 我们将向读者解析目前MLC NAND颗粒所采用的技术并深度剖析最新的20nm存储颗粒的结构设计与生产工艺,最后重点讲述下一代存储颗粒的原理与发展潜力。
2012-09-08 09:36:137138 2016年全球PC市场继续下滑,除了游戏相关的硬件之外,活得最滋润的就是DRAM内存、NAND闪存了,2016下半年开始的缺货、涨价使得相关厂商的营收看涨。作为全球最大的DRAM内存及NAND闪存
2017-01-16 10:40:24638 从2016年下半年开始,内存、闪存的缺货涨价势头开始上扬,2017年这一局面将继续扩散蔓延,而且一整年都未必会有改观
2017-01-16 13:59:48537 上半年即将过完,而在今年这波涨价大潮中,内存、闪存到底涨价有多狠呢?让人简直没法直视,前者价价狂涨39%,而后者也涨了21%。
2017-06-30 11:11:07561 的厂商竞争,以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么,到底什么是闪存颗?2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系? 闪存颗粒到底是什么? 闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:266 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、
2018-06-06 20:36:003593 内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析,储存型闪存(NAND Flash)和DRAM市况不同调 。三星和美光同指本季NAND价格持续下探,但DRAM价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下,价格将持稳到年底。
2018-06-21 18:45:00912 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
2018-06-12 12:13:0014755 搞明白,同时也为了让比特币背后的技术细节显得直观, 我们将从你会如何发明自的比特币的过程中一步一步地阐明.
2018-02-03 10:47:407100 据报道,高性能存储厂商ATP推出了基于3D MLC闪存的工业级M.2 SSD ,闪存颗粒来自美光,还可以承受1.6G震动,更是能承受-40℃到85℃的恶劣环境。
2018-02-03 10:47:522645 TLC是一种闪存颗粒的存储单元,它的英文是TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell。在TLC发明之前,固态硬盘大部分采用SLC和MLC,即Single-Level
2018-06-28 09:19:0037554 目前在售的紫光DDR4内存并没有使用国产颗粒,而是SK Hynix颗粒,是韩国公司的颗粒,也就是说现在的国内DDR4内存依然是挂羊头卖狗肉,跟市场上其他内存条没有什么区别,国产的只是PCB之类的。不过店家也很坦诚,说紫光颗粒的DDR4内存下半年问世。
2018-03-05 09:36:013022 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司,他们本周一正式收购了华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 研发支持原厂3D TLC NAND高品质固件的固态硬盘完整解决方案。据了解,MAS0902固态硬盘主控芯片,已经适配了全球全部量产的所有3D MLC/TLC NAND闪存颗粒,继在今年9月国内首发量产
2018-11-19 17:22:316838 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2019-04-17 16:32:345462 存储级内存(SCM)这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容,但兼具DRAM的速度,最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。
2019-01-28 14:23:18641 存储级内存(SCM)克服了NAND闪存的局限性,因而势必会取而代之。 存储级内存(SCM)这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容,但兼具DRAM的速度,最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。
2019-05-11 10:47:434471 近日,HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测,在他看来,存储级内存(SCM)或将在10年内取代NAND闪存,成为企业首选的高速存储介质。
2019-02-19 14:06:365827 在本周的活动上,西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟,采用SLC或者MLC颗粒。
2019-03-25 14:44:563061 2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市,领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片,其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价,迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630 要想电流测得准,一定不能忽视的技术细节(第二讲)
2019-07-02 11:40:482480 11月4日消息,小米生态链总经理屈恒揭秘了小米手表e-SIM技术细节。
2019-11-04 15:31:474422 我们都知道固态硬盘采用闪存颗粒NAND Flash作为存储介质,所以它是固态硬盘中最重要的构成部分,其好坏也就决定着固态硬盘质量的好坏,而我们目前常见的NAND闪存主要有四种类型:Single
2020-01-01 09:31:003412 任何了解SD卡,USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道,控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 闪存跌价已经两年了,但是现在好日子要结束了。自从6月份东芝、西数位于日本的NAND闪存工厂断电停工一个月之后,闪存市场就一直有各种涨价的传闻,听多了大家觉得这就是狼来了,实际上并不是,Q3季度闪存价格就已经开始收窄,这两个月来价格甚至是突变。
2019-12-31 08:34:41459 数据显示,在刚过去的1月份,内存和闪存芯片在上游的交易价均有所上涨。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC内存内存环比上涨1.07%,均价来到2.84美元,128Gb MLC闪存颗粒价格环比上涨3.17%,均价来到4.56美元。
2020-02-03 17:13:585192 作为SSD主要元件的NAND闪存,我们经常见到的有SLC和MLC两种,甚至还细分出eSLC和eMLC等等。
2020-03-27 11:00:2419437 追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代,跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进,并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠,发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
2020-04-14 15:28:031730 通常情况下,固态硬盘(SSD)的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此对您的数据存储产生不同的影响,在这篇文章中,我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 我们都知道,构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营,今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 的应用效能。 据了解,176层3D NAND闪存是美光第二代替换闸(Replacement Gate)架构,是目前全球技术最为先进的NAND节点,相较于前代3D NAND相比,美光176层3D NAND闪存
2020-11-12 16:02:552599 高通正式揭晓全新芯片Snapdragon 888(S888)技术细节,预计替Android旗舰手机带来哪些改变呢?外媒整理五大重点,不仅是性能、手游表现提升,就连拍照都能藉由S888有更好的效果。
2020-12-03 12:01:461688 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 近日,Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品,不过对于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 (至2022年底)。阿里巴巴已于本季度开始执行该股份回购计划。 报告显示,明年 NAND 闪存控制芯片将涨价 15~20% 尽管研究机构此前曾预测由于三星、SK 海力士、英特尔和长江存储将提高产量,明年 NAND 闪存的平均价格将下降 10~15%,但根据集邦咨询 (TrendFor
2020-12-29 15:58:362427 最近上汽荣威R汽车ER6不仅销量不错,而且凭借着新一代新能源三电系统拿奖拿到手软。针对这套纯电动三电系统的技术细节,随着小星来了解一下吧。 我们先来看看上汽荣威ER6的性能参数。搭载新一代
2021-01-07 15:22:185893 由于成本上的优势,目前市场上的NAND闪存主流已经变成了TLC、QLC,MLC都很罕见了,SLC闪存更是凤毛麟角,消费级市场上几乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存一路发展下来,容量密度越来越高,成本越来越低,性能和寿命却越来越渣,不得不依靠各种技术以及主控优化来辅助,但依然不容乐观。
2021-02-22 10:00:493038 最近考虑装机的朋友,是否发现内存已经悄然涨价?
2021-02-23 11:25:191263 NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门(NOT-AND),用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 说起来,存储单元是硬盘的核心元件,选择SSD实际上就是在选择存储颗粒。那SLC、MLC、TLC和QLC这几种存储颗粒究竟存在什么区别呢?Ci妹这就来告诉大家。
2021-03-19 15:07:5216 内存控制器的未来与它们控制的内存有着不可逆转的联系。同样,它们受摩尔定律的约束。虽然存储类存储器 (SCM) 可能会因新架构而获得关注,但存储器控制器市场仍然很大程度上受 NAND 闪存的支配
2022-07-20 10:35:27694 在NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 本文将讨论目标检测的基本方法(穷尽搜索、R-CNN、Fast R-CNN和Faster R-CNN),并尝试理解每个模型的技术细节。为了让经验水平各不相同的读者都能够理解,文章不会使用任何公式来进行讲解。
2023-01-05 16:27:20230 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元(SLC)闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元(MLC),闪存可以为每个单元存储两个或更多位,因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031197 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间内,容纳更高的存储容量,从而有效节约成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 苹果闪存和SSD都基于闪存技术,但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的,使用NAND(非易失性闪存)芯片技术,而SSD可以是通用的,采用不同类型的闪存芯片,如NAND、MLC(多级单元)或TLC(三级单元)。
2023-07-19 15:21:372106 三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214 需求方面,2023下半年移动DRAM(内存)及NAND Flash闪存(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标,短时间内涌入的需求也成为推动第四季度合约价涨势的原因之一。
2023-11-09 16:15:27336 ,NAND闪存的存储方式和堆叠技术也在持续演进。本文将围绕闪存颗粒相关的概念以及发展趋势做介绍。NAND闪存单元NAND闪存基于浮栅晶体管,通过其中所存储的电荷量表示不同
2024-02-05 18:01:17422 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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