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NAND闪存市场回暖,CAPEX比预期产量增加40%以上

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600亿买下Intel闪存业务 SK海力士:预期5年内公司收入增加2倍

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日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash闪存市场的主要情况。
2020-11-27 09:00:131799

研究机构预计NAND闪存在2021年全年都将持续下滑

将环比下滑10%到15%,在2021年全年都将持续下滑。 从研究机构的报告来看,NAND闪存的平均销售价格在明年一季度环比下滑,很大程度上还是受供过于求影响。研究机构在报告中表示,NAND闪存产量,在明年一季度将增长6%,市场供应量会更高。 研究机构
2020-12-15 18:04:461411

NAND 闪存平均售价在 2021 年全年都将持续下滑

的平均销售价格,在明年一季度将环比下滑 10% 到 15%,在 2021 年全年都将持续下滑。 从研究机构的报告来看,NAND 闪存的平均销售价格在明年一季度环比下滑,很大程度上还是受供过于求影响。研究机构在报告中表示,NAND 闪存产量,在明年一季度将增长 6%,市场
2020-12-15 18:10:162001

华为新专利;明年 NAND 闪存控制芯片将涨价 15~20%

(至2022年底)。阿里巴巴已于本季度开始执行该股份回购计划。 报告显示,明年 NAND 闪存控制芯片将涨价 15~20% 尽管研究机构此前曾预测由于三星、SK 海力士、英特尔和长江存储将提高产量,明年 NAND 闪存的平均价格将下降 10~15%,但根据集邦咨询 (TrendFor
2020-12-29 15:58:362427

NAND闪存营收达398.01亿元,创下历史新高

由于成本上的优势,目前市场上的NAND闪存主流已经变成了TLC、QLC,MLC都很罕见了,SLC闪存更是凤毛麟角,消费级市场上几乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400

三星在NAND闪存市场将面临哪些挑战?

众所周知,三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位,占有30%以上的份额。但是,由于竞争对手开始表现出更好的工艺,它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:372217

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

NAND闪存的应用中的磨损均衡

NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

存储器4Q寒气蔓延 第3季NAND晶圆跌价约达3成以上

NAND价格从2022年第1季在缺货拉抬调涨报价后,市场价格快速反转走跌,第3季NAND晶圆跌价约达3成以上,相当于从年初高点下跌约达50%,由于终端备货消极,晶圆厂报价持续探底,市场预估第4季NAND晶圆价格跌幅将再季减20%。
2022-11-01 12:36:27517

NAND闪存应用中的磨损均衡介绍

NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

Yole:NAND闪存及控制器的市场趋势

一、NAND闪存市场分析 据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示,2020年起,NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长,2021年,NAND闪存市场份额达到了近670亿美元(见图1),同年
2022-12-26 18:13:09991

西部数据首次宣布减产 NAND闪存晶圆产量将减少30%

据TrendForce集邦咨询2022年11月23日研究显示,西部数据在全球NAND闪存市场占有12.6%的份额,仅次于三星电子、铠侠和SK Group,位居全球第四。
2023-02-09 10:11:22280

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存 – 多芯片系统验证的关键元件

NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元(SLC)闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元(MLC),闪存可以为每个单元存储两个或更多位,因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND闪存特点及决定因素

2Gb以下容量的 NAND闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
2023-06-10 17:21:001983

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中,由于市场持续低迷,三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58423

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214

铠侠提升NAND闪存产能利用率

据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期
2024-03-07 10:48:35264

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