美光科技（Micron）16日宣布进一步推动DRAM产品的革新，其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比，该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22:36
7258 数据速率的DDR4。 这是三星自2017年底批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来，仅仅16个月就开
2019-10-22 10:41:214639 8月21日，台积电在其官方博客上宣布，自2018年开始量产的7nm工艺，其所生产的芯片已经超过10亿颗。此外，台积电官网还披露了一个消息，其6nm工艺制程于8月20日开始量产。 先看7nm
2020-08-23 08:23:005212 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列机种使用处理器Exynos 7420之后，三星也计划将在2016年年底进入10nm制程技术量产新款处理器产品。而另一方面，预期今年第三季进入16nm
2015-05-28 10:23:16990 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56673 三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。台积电计划在2017年上半年试产7nm工艺，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜。
2016-04-22 09:40:41490 今日，三星电子正式宣布已经开始大规模生产基于10nm FinFET技术的SoC，这是业界内首家提供10nm工艺代工厂商。新工艺下的SoC性能可以提供27%，功耗将降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 台积电和三星电子的制程大战打得如火如荼，据传台积电7nm制程有望提前在明年底量产，远远超前对手。三星电子不甘示弱，宣布10nm制程已经率先进入量产，领先同业。
2016-10-18 09:48:51676 
据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4GB
2016-10-20 10:55:481662 10月份，三星宣布10nm进入量产后，市场上的14nm/16nm产品似乎瞬间黯然无光。三星计划明年初发布首款10nm产品，预计是采用10nm LPE的Exynos 8895。显然，老对手台积电和它的客户不愿被动挨打，最新消息显示，联发科首颗10nm芯片Helio X30定于年底量产亮相。
2016-11-03 11:22:38935 ，这是第一颗国产的DDR4内存芯片。 根据产品介绍，目前两款 DDR4 颗粒单颗容量均为 8Gb（1GB），频率 2666MHz，工作电压 1.2V，工作温度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:118110 今年2月底，长鑫存储官方宣布，符合国际标准规范的自产DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4内存芯片全面开始供货，这也是DDR4内存第一次实现真正国产，并采用国产第一代10nm级工艺制造
2020-05-22 11:47:378324 集成更多的晶体管，制程工艺也就越先进。而要让制程变得更先进，代价非常大，毕竟到纳米级别的晶体管，每精细一点点，需要的投入呈几何倍增长。当达到10nm级别的制程时，越往下研究，难度越大，门槛越高，投入也
2019-12-10 14:38:41
地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代
2011-02-27 16:47:17
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 编辑
近日，Intel在超级计算机大会上正式展示出其第二代高性能计算产品Knights Landing Xeon Phi，强大
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金会今天发布第二代树莓派—— Raspberry Pi ，树莓派2外形看起来跟树莓派B+一样一样的，配置主要就是升级了CPU (900M4核ARM v7)和内存(1
2015-02-02 21:56:26
FLIR第二代热像仪ADK有哪些特点？FLIR第二代热像仪ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
台积电与三星的10nm工艺。智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像
2018-06-14 14:25:19
专业收购三星ddr帝欧电子高价回收三星ddr，长期求购三星ddr，带板的也收，大量收购！！！帝欧赵生***QQ1816233102/879821252邮箱dealic@163.com。求购三星（K9
2021-10-26 19:13:52
第二代导航卫星系统与第一代导航卫星系统在体制上的差别主要是：第二代用户机可免发上行信号，不再依靠中心站电子高程图处理或由用户提供高程信息，而是直接接收卫星单程测距信号自己定位，系统的用户容量不受限制，并可提高用户位置隐蔽性。
2019-08-14 07:06:41
2133MT/s，运作电压在1.2V，这也是史上第一条DDR4内存。在此之前，三星电子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成为DDR4发展的关键。三个月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
使用DDR4的内存条，DDR3也有属于自己的应用市场。宏旺半导体ICMAX DDR因性能优越性价比高，拥有极高竞争力，与众多知名厂商合作。1， 规格不同DDR3内存的起始频率仅有800MHz，最高频
2019-07-25 14:08:13
我们使用i.MX8MPlus运行Windows 10 IoT系统，遇到了三星eMMC的兼容性问题。如何解决？详情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1无法运行
2023-03-17 09:03:23
包括1gb eMRAM测试芯片，并计划使用其18FDS工艺制造eMRAM，以及更先进的基于FinFET的节点。 三星宣布将改进其MRAM的MTJ功能，使其适合更多的应用。而在第五届年度三星代工论坛上
2023-03-21 15:03:00
本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。
2020-12-28 06:16:06
年收购电子芯片，收购电子IC，收购DDR ,收购集成电路芯片，收购内存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR内存芯片系列，三星，现代，闪迪，金士顿，镁光，东芝，南亚，尔必达，华邦等各原装品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...闪迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 专业回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2020-12-16 17:31:39
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...闪迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 专业回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2021-01-11 18:16:12
是南湖，第三代架构是昆明湖。香山开源社区称，第一代“雁栖湖”架构已经成功流片，实测达到预期性能，第二代“南湖”架构正在持续迭代优化中。去年 8 月 24 日，中科院计算所、北京开源芯片研究院、腾讯、阿里
2023-06-05 11:51:36
据开芯院首席科学家包云岗介绍，第二代“香山”于2022年6月启动工程优化，同年9月研制完毕，计划2023年6月流片，性能超过2018年ARM发布的Cortex-A76，主频2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
求分享USB3.1第二代应用的ESD解决方案
2022-01-14 07:35:38
回收！大量收购FLASH ！帝欧电子，专业收购内存，收购三星（K9系列，K9K系列，K4H系列，K4T系列，K4X系列，K4S系列，K5系列），现代（HNNIX）：（HY5系列，H5系列，H27系列
2021-08-20 16:33:07
年首款DDR4从韩国三星诞生，随后海力士迅速跟进研制生产；2012年5月8日，美光官方正式宣布该公司首款DDR4内存开发生产出成品，并已经开始提供样品给主要客户进行测试，预计2013年开始量产
2012-12-30 18:45:31
RK3576处理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平台，它集成了独立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒万亿次操作）NPU（神经网络处理单元），用于
2024-03-12 13:45:25
特别给力但足够用了。节选自：次世代安卓旗舰 谷歌Nexus 7二代评测 作者：付涛整体性能 第2段相关产品：Google Nexus 7（第二代/32GB） 回归常规评测的套路，我们使用安兔兔系统评测
2013-08-12 17:22:08
季度开始生产。此举也创下二次击败劲敌三星、独吃苹果处理器大单的新记录，2017年营收持续增长基本没什么问题。刚刚失去苹果订单的三星，日前宣布Note6将用上基于10nm工艺的6GB LPDDR4内存，并将于今年下半年上市。这样一来，台积电和三星以及苹果的性能之争，就转移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
的先进工艺，可有效提高能耗表现。RK3568的DDR颗粒兼容性十分优秀。支持LP4/LP4x/LP3/DDR4/DDR3，最高频率1600Mhz，最大容量支持8GB DDR3及DDR4支持2片选模式
2022-03-02 17:13:45
UltraScale+芯片将配备8GB HBM 2显存，带宽460GB/s，号称是DDR4内存带宽的20倍，不过该芯片本身还是配有DDR4内存，频率2666Mbps。 值得注意的是，虽然赛灵思没有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241017 本月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 日前在深圳召开的2016三星移动解决方案论坛上，这家韩国OEM厂商宣布了最新的6GB LPDDR4内存。和现有芯片和6GB内存芯片最大的区别在于使用了最新的10nm制造生产工艺，承诺带来更快更高效的内存。
2016-05-23 15:20:391122 导语：联发科和华为均已确定下一代处理器将采用10nm工艺制程，高通也紧追其后递交10nm芯片样品给客户，据悉，高通10nm订单均交给三星代工生产。
2016-07-28 19:00:27680 据报道，三星超车台积电，高通8日宣布全球首颗10nm服务器芯片已送客户，抢攻长期由英特尔独霸市场；高通10nm手机芯片也委由三星代工，但7nm订单重返台积电，台积电仍是大赢家。
2016-12-09 10:38:52337 现在有消息称，三星的Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片，而今年的10月份，他们就曾发布公告称，基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404 三星是目前唯一宣布量产10nm芯片的代工厂，涉及骁龙835、Exynos 8895等移动SoC。
2017-03-15 08:30:35517 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12586 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-23 10:19:411547 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。 三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。
2017-04-25 01:08:11537 前进的步伐还是不会被彻底推翻的。科技的创新也不会因此而止步。日前，三星官方正式宣布他们将会开产第二代10nm工艺制程的芯片，三星电子在4月20日正式宣布，他们已经完成了第二代10nm制程的验证工作，同时即将正式量产。
2017-04-25 09:50:22606 据韩媒报道，高通已经与三星携手，合作开发下一代手机处理器。继去年10月份三星率先量产第一代10nm LPE（low-power early）工艺处理器后，日前已经完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764 台积电的10nm工艺眼下还处于提升良率中，三星则宣布已推出第二代10nm工艺，这是前者继14/16nmFinFET工艺败给后者后再次在10nm工艺上落败，而且这可能会影响到它在7nm工艺上再次落后。
2017-04-28 14:28:461327 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已经正式流片。
2017-06-13 11:29:37841 Intel近日在官方推特自曝了10nm的进展，首次透露，第二代10nm（代号Icelake）已经流片。
2017-06-14 15:03:27982 Digitimes发布消息称，英特尔可以按计划在今年底首发10nm处理器，但仅限低功耗移动平台，预计是Core m或者后缀U系列的低电压版本。而就在上周，英特尔刚宣布，第一代基于10nm工艺制程Cannon Lake处理器已经完工，同时第二代10nm处理器Ice Lake也已经完成了最终设计。
2017-06-15 11:43:441317 昨天上午，三星官方发言，宣称已经成功研制开发出全球第一个10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并将在2019年批量生产。众所周知，三星企业在批量生产8GB LPDDR4内存之后，就已经开始着手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303 第二代10nm工艺即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用产品将于明年推出。
2017-11-29 17:40:30728 三星利用二代10纳米工艺研发出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10纳米级芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 三星被人称为世界最赚钱的公司之一，三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331472 三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:38835 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 三月份首次公开展示之后，三星电子今天宣布，已经全球第一个开始量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条，主要面向企业和云服务应用。
2018-06-13 15:09:003690 根据报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10％，可使手机平板等移动设备更省电。
2018-07-26 16:56:23902 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281050 如之前预告的那样，在三星开始量产基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 内存芯片现在也已经拍马赶到了。早些时候官方公布了开始大规模量产这款零件
2018-08-13 11:16:003468 4月25日，三星电子宣布已开始批量生产汽车用10nm级16Gb LPDDR4X DRAM。这款最新的LPDDR4X产品具备高性能，同时还显著提高需要在极端环境下工作的汽车应用的耐热性水平。这款
2018-08-23 15:48:262143 台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进，完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通过个人电脑（PC）客户认证，本月开始出货，为南亚科转攻利基型DRAM多年后，再度重返个人电脑市场，明年农历年后将再切入服务器市场，南亚科借此成为韩系和美系大厂之后，另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:212734 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工艺进入量产，并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。
2018-10-22 10:05:403490 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:541444 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215 2019年就要正式量产了，6月份就会发布10nm Ice Lake处理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工艺的处理器Tiger Lake，将会使用全新的CPU内核及GPU内核。
2019-05-09 15:19:031801 日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:003359 10nm Ice Lake还没有全面铺开，Intel第二代10nm Tiger Lake已经频频亮相，不过首发还是面向轻薄本等设备的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:591987 9 月份合肥长鑫宣布量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存。对于国产内存，市场预期不会对三星、SK 海力士及美光三大内存巨头带来太大影响，但是会挤压第四大内存厂商南亚科的空间。对此南亚科予以否认，表示短时间内没什么大影响。
2019-11-19 10:44:313316 三星电子今天宣布已经开始大规模生产业内第一个16GB 的 LPDDR5移动 DRAM 封装，基于三星第二代10nm级工艺技术，可提供业界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手机。继2019
2020-02-25 13:48:201813 长鑫存储正使用其10G1工艺技术（即19nm工艺）来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。现在，一名用户就曝光了新款内存的外观和参数。
2020-02-26 15:01:137803 2019年国内公司在内存、闪存行业同时取得了重大突破，长江存储量产了64层3D闪存，合肥长鑫则量产了18nm DDR4内存。日前长鑫官网也宣布开售8GB DDR4内存条。
2020-03-02 09:21:431330 随着Ice Lake处理器的成功，Intel的10nm工艺总算可以长舒一口气，产能已经没什么问题了。今年的重点是Tiger Lake处理器，这是第二代10nm工艺，CPU及GPU架构也会全面升级。
2020-03-04 15:35:202987 根据外媒WCCFTECH的报道，爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程，而不是之前报道的台积电7nm工艺，据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术，另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670 江波龙电子旗下嵌入式存储品牌FORESEE再添新成员，正式发布首款内存产品，宣布正式进入内存领域。 江波龙正式进入内存领域，FORESEE DDR4高端商用内存条新品首发 FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 国产化内存的品质之路 FORESEE国产化内存的核心DRAM率先采用长鑫存储的10nm级最新版本8Gb颗粒，该颗粒已
2020-05-22 15:24:522345 EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:292234 年下半年大规模量产。 从英文媒体最新的报道来看，同2018年量产的7nm和今年量产的5nm工艺一样，台积电正在研发的3nm工艺，也将会有第二代。 英文媒体是援引产业链人士透露的消息，报道台积电会推出第二代3nm工艺的，这一消息人士表示台积电计划在2
2020-12-02 17:14:461572 在量产国内首个8Gb DDR4芯片之后，合肥长鑫日前又获得了156亿元的巨额投资，将加速开发17nm工艺的DDR5内存研发及生产。
2020-12-18 09:53:144084 今日，七彩虹宣布 iGame 内存全面升级，正式发布了 iGame VULCAN DDR4 内存。 iGame VULCAN DDR4 延续了 VULCAN 显卡纹理设计。值得一提的是，经过网友命名
2020-12-25 10:31:312466 据媒体报道称，谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产，代工方为三星，将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。 Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片，第一代在去年8月发布，而第二代
2022-06-02 14:52:451273 ，比5nm芯片功耗低45%，性能高23%，同时三星也开始了第二代3nm芯片的计划。 不止是第二代3nm芯片，三星也已经确定了将在2025年量产2nm芯片，同台积电之前宣布的时间一样。三星的2nm芯片将继续沿用GAA晶体管技术，并且将进一步优化内部结构，性能和功耗等方面会得
2022-07-08 14:42:101153 DDR4 3200和3600是内存模块的频率标准，表示其频率值，具有以下差异
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