据DigiTimes的消息人士报道，NAND闪存的整体价格将在2020年急剧上升。该报告来自存储器芯片制造商的多个消息来源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。随着价格的上涨
2020-01-06 11:15:33
3821 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 
国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 在设计使用NAND闪存的系统时，选择适当的特性平衡非常重要。 闪存控制器还必须足够灵活，以进行适当的权衡。 选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。NAND闪存是一种大众化
2020-12-03 13:52:282455 本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
小
方便焊接
容量可选多,适合实际应用
PIN脚少
功耗低
擦写寿命长
性能稳定
使用SLC/MLC
CS创世 SD NAND相对于Raw NAND具有以下优势
免驱动使用
性能更稳定。
尺寸更小。
SD
2023-09-26 17:40:35
ST是否期望MEMS麦克风具有更长的使用寿命？这些产品看起来是针对消费品的，并且需要在工业产品中使用这些产品，这些产品需要5到15年的预期寿命？以上来自于谷歌翻译以下为原文 Does ST
2018-11-06 10:26:02
是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放
2013-04-02 23:02:03
，然后再写入，也就是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使用寿命
2014-04-23 18:24:52
/ECC，如果需要使用寿命长，还需要做平均读写，垃圾回收等处理。 第二，不同品牌之间的NAND Flash，由于Page，Block大小不同，时序不同等。都需要工程师重新调试驱动。 第三，如果新项目
2019-09-29 16:45:07
SLM346光兼容单通道隔离栅驱动器代替TLP5772 具有低延时，模瞬态抗扰能力强，寿命长 一般描述：SLM346是一款光兼容单通道，隔离栅驱动器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
STM8S207C8T6 性能线8位微控制器提供32至128 KB的闪存程序存储器。STM8S207C8T6 具有以下优点：降低了系统成本，性能稳定，开发周期短，产品寿命长。借助集成的真数
2019-10-08 10:20:58
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
亲爱的大家，任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板，并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块，这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机，样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
的操作，都可以交给SD NAND，CPU可以不用再管了。领导再也不用担心我的NAND Flash驱动了。 第五，使用寿命长，性能稳定。SLC NAND是NAND Flash中使用寿命最长，性能最稳定
2019-09-26 15:15:21
： A、 为了降低成本，我们推出外形跟说明书的一样，但夹具只能测试有锡球的芯片，寿命在2万次以上，价格￥550.00/套!限位框另购! B、 eMMC闪存记忆体再利用：比如说eMMC IC主控损坏
2013-05-27 22:01:53
自鼎阳科技研发生产的SDG1000系列、SDG5000系列函数/任意波形发生器成功推出市场后，其产品配套的上位机软件EasyWave，也受到了广大用户的好评，被认为是目前市面上普及型的波形编辑软件的优秀之作。
2019-08-09 06:17:56
管了。领导再也不用担心我的NAND Flash驱动了。 第五，使用寿命长，性能稳定。SLC NAND 是NAND Flash中使用寿命最长，性能最稳定的类型了。可达10W的擦写寿命，让SD NAND
2019-10-16 15:46:47
管了。领导再也不用担心我的NAND Flash驱动了。 第五，使用寿命长，性能稳定。SLC NAND 是NAND Flash中使用寿命最长，性能最稳定的类型了。可达10W的擦写寿命，让SD NAND
2019-10-15 17:01:27
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品，可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我们将推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一个核心，但它们在AXI总线上。只是想知道是否有人找到了将ONFI闪存
2020-06-17 09:54:32
`1、要确定使用环境的可靠性，如使用环境非常恶劣，受潮、高温、信号干扰都会影响其使用寿命。3、钢丝绳的抗拉强度，钢丝绳一般采用进口涂塑钢丝，由100多股构成，只要不对其施加外力是没有问题的。5、旋转
2020-07-04 11:30:45
硅胶高温线具有优良的耐高温及耐低温性能、具有优良的耐高压、耐老化、耐高温、耐酸碱，使用寿命长。
2019-11-05 09:01:36
具有性能稳定、精度高、体积小、量轻、可靠性高、寿命长、对无线电干忧小等特点。
2019-10-30 09:02:21
具有性能稳定、精度高、体积小、量轻、可靠性高、寿命长、对无线电干忧小等特点。
2020-03-05 09:00:30
.同时，大开度工作节流间隙大，冲蚀减弱，这比一开始就让阀在中间开度和小开度上工作提高寿命1～5倍以上。如某化工厂采用此法，阀的使用寿命提高了2倍。 &
2009-09-14 14:53:15
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
26 新型核电池寿命长达5000年
国密苏里大学的科学家日前公布，他们正在开发一种新型电池，其使用寿命超过标准电池一百万倍。
2009-12-15 12:00:072511 SanDiski推出NAND嵌入式闪存驱动器支持e.MMC 4.4
SanDisk（闪迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式闪存驱动器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4规格。这些驱动器基于
2010-02-24 16:37:071048 尔必达计划收购Spansion NAND闪存业务
据国外媒体报道，日本尔必达公司表态计划收购美国Spansion（飞索半导体）旗下的NAND闪存业务资产。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 三洋电机发布高寿命电池 可充电2千次
Eneloop
2010-03-12 08:42:57906 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
英特尔今天宣布发布使用新型HET-MLC NAND闪存芯片的 SSD 710型号，MLC就是多层单元封装，HET则代表着高耐久性技术(High Endurance Technology)，是为了解决闪存类型与寿命之间的矛盾而诞生的。
2011-09-15 09:28:331450 介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法
2011-12-15 17:11:3151 对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品
2012-07-27 17:03:381471 
现在已经有了一种新方法使得 NAND 闪存的寿命时间比现在更长。延长 NAND 闪存寿命的关键是热能的应用。
2012-12-03 13:49:50779 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:11991 NAND闪存目前已经发展出了四种形态：SLC单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高；MLC双比特单元，性能、寿命、成本比较均衡，目前主要用于高端和企业级产品；TLC三比特单元，成本低，容量大，但寿命越来越短；QLC四比特单元，自然延续了这一趋势。
2017-07-06 15:20:511128 
三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 武汉建设NAND工厂，预计今年内量产，据悉国产NAND闪存是32层堆栈的，是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具
2018-06-06 12:27:009847 
据悉，由香港大学研发、Federal Group Global Limited取得专利的「被动式LED电源」，可使用最少6万小时，变相寿命长达15年。
2018-06-05 10:54:093941 Altera公司开发了基于其Arria 10 SoC的存储参考设计，与目前的NAND闪存相比，NAND闪存的使用寿命将加倍，程序擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过优化的高性价比单片解决方案中包括
2018-08-24 16:47:00605 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元（SLC）NAND闪存，并且内嵌错误纠正功能（ECC）。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 研发支持原厂3D TLC NAND高品质固件的固态硬盘完整解决方案。据了解，MAS0902固态硬盘主控芯片，已经适配了全球全部量产的所有3D MLC/TLC NAND闪存颗粒，继在今年9月国内首发量产
2018-11-19 17:22:316838 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。 据IDC数据显示，2019年上半年闪存
2019-03-20 15:09:01282 存储器领导品牌威刚科技昨日发表新款工业级microSD记忆卡IUDD362，采用高质量SLC NAND Flash，比起其他NAND Flash耐用度高且寿命长，适合工业自动化系统的储存装置使用。
2019-04-28 16:09:502650 2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市，领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片，其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价，迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630 东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 长期看好磷酸铁锂的比亚迪还在坚持，而且看起来还在创造惊喜——比亚迪将于明年5－6月份推出的全新一代铁锂电池，体积比能量密度将提升50％，寿命长达8年120万公里，成本还可以节约30％。
2019-08-23 14:48:044967 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04624 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 据韩媒BusinessKorea报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND闪存需求将增加，5G通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球DRAM和NAND闪存市场的增长。
2019-12-20 15:18:463156 任何了解SD卡，USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道，控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
作为NAND闪存技术发明人、全球第二大闪存供应商，从东芝独立出来之后的铠侠（Kioxia）从2020年开始已经不能再使用东芝品牌了。铠侠的技术实力无可置疑，但打造全新品牌之路依然不容易，传闻称4月份铠侠会推出全新的消费级SSD品牌，从闪存到主控再到固件都是自主研发的。
2020-01-13 17:43:4015192 Memxpro在德国Embedded World 2019展会上推出了使用寿命长的TLC SSD。
2020-03-03 16:09:24731 REALFORCE曾推出了燃风静电容键盘，采用Topre技术，拥有独特的敲击手感。近日，REALFORCE又推出了燃风RFM01U11静电容游戏鼠标，分体式左右键设计，拥有超过5000万次超高寿命，采用静电容无接点方式，可提供轻柔的按压感和静音性。
2020-03-30 16:13:024429 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:46:522302 淹没式脉冲电磁阀为嵌入式阀主要使用在除尘设备上，阀座嵌入气包内部安装，阻力小，流通性好，喷吹量高提高了负荷带动量，扩大了气源压力的使用范围，它在使用时具有性能稳定、净化效率高、使用寿命长、处理风量
2020-06-17 11:53:372040 这个问题需要从不同的角度看，从技术和最底层的介质层面讲（注意这个前提），固态硬盘的NAND寿命普遍要低于磁盘和磁带（是的，这里写了磁带，企业级的归档数据还挺多都是放磁带库的），这与不同介质的存取机理、数据保持力等等因素有关，这也是那句NAND擦写若干次就坏了，所以固态硬盘寿命较低传说的来源。
2020-07-17 11:05:468604 
无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近关于QLC闪存的消息不断，最劲爆的莫过于武汉长江存储成功研发全球首款128层QLC 3D NAND闪存，多项技术世界领先，最快年底量产。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:342755 eMMC模块因为是以NAND闪存技术为基础而具有预定的使用寿命。它们具备有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照这些规范进行设计，他们也必须预见到同一系统随着时间的推移必须应对不断增加的工作负载挑战。
2021-01-18 16:21:041831 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存一路发展下来，容量密度越来越高，成本越来越低，性能和寿命却越来越渣，不得不依靠各种技术以及主控优化来辅助，但依然不容乐观。
2021-02-22 09:26:421481 写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么？
2021-04-01 17:50:562894 该NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282
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