9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72
2019-11-25 17:21:555462 近日，SK海力士在官网宣布，适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动端DRAM（动态随机存储器）产品已于7月初开始量产。 自从10纳米级DRAM产品开始，半导体
2021-07-12 10:57:064340 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351275 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 德赢Vwin官网
早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 目前东芝已经提出了创纪录的96层堆叠3D闪存——第四代BiCS闪存。它的内部是如何工作的？一颗闪存芯片又是,如何演变成我们能看到的闪存颗粒？
2017-09-20 09:39:1424679 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154035 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423108 海力士总裁李石熙日前表示，该公司计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV光刻机生产第四代（1a nm）DRAM产品。 李石熙表示M16工厂将于今年底建成，明年上半年开始引入制造设备，目前实验室正在进行准备工作，预计明年开始量产。 对内存来说，它跟CPU逻辑工
2020-10-31 06:47:001341 3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
第四代CSR8670开发板开发步骤Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召开的第十三届中国卫星导航年会（CSNC2022）上，深圳华大北斗科技股份有限公司研发的第四代北斗芯片正式发布。
这是一款拥有完全自主知识产权的国产基带和射频一体化SoC芯片，作为
2023-09-21 09:52:00
能用还是未知数。那么，4G网络来袭，晶振的再次变革还会远吗?为此，松季电子提到4G网络的到来，电子产品行业的再一次革新将就此展开，晶振行业也将迎来新的发展。 4G是第四代移动通信及其技术的简称。与传统
2013-11-15 15:56:24
第四代移动通信技术是什么？有什么主要特点？第四代移动通信系统有哪些关键技术？
2021-05-26 07:07:28
报道显示，SK海力士将在世界上首次开发和量产128层1Tb级的TLC(Triple-Level cell，三层单元格)4D Nand闪存。据悉，在占据NAND市场85%以上的TLC产品中，SK海力士
2020-03-19 14:04:57
）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIe的非易失性存储器高速（NVMe）固态硬盘。 这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点
2020-11-23 06:10:45
1.说明LT86102SXE是Lontium的第四代2端口HDMI / DVI分配器，可以将一个HDMI / DVI信号转发到2个HDMI / DVI信号集，最多支持2个不同的HDMI / DVI
2022-03-05 11:59:06
MIMO-OFDM系统为什么能成为第四代移动通信领域研究的热点和重点？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效结合可以克服多径效应和频率选择性衰落带来的不良影响，实现信号传输的高度可靠性，还可以增加系统容量，提高频谱利用率，是第四代移动通信的热点技术。
2019-06-18 07:12:10
采用BiCS4技术的96层3D NAND已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西部数据的BiCS 4 NAND不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
汽车存储正在向SSD转移，PC也是如此，手机当然也都是用的NAND Flash，比如eMMC、eMCP、UFS等，这就是趋势。为了满足市场对NAND Flash的需求，西部数据正在积极的推动第四代96层
2022-02-02 08:52:47
大家好！小金子为各位介绍一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。这款JSHU271G08SCN-25型号的规格书与SK海力士和Spansion进行了对比，惊讶的发现竟然完全一样。唯一
2018-01-10 09:55:21
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
娱乐等，未来AI实时应用、分析、移动性，对存储要求低延迟、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。为了满足不断增长的需求，西部数据在2017年发布第四代96层3D NAND，Fab工厂每天可生产
2018-09-20 17:57:05
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组合包括50多种解决方案，用于企业、数据通信、移动通信和显示等应用中的物理层一致性测试、特性分析和调试。同时适用于第三代标准和第四代标准的解决方案，提供自动测试设置和执行、内置报告选项、深入分析等多种
2016-06-08 15:02:10
接上篇横扫第四代串行测试文章，隔得太久大家可能忘记前排文章的内容了，这里就不重复叙述了，上篇直通车→横扫第四代串行测试一 随着各种重大行业规范不断进化，如PCIe，我们的测试测量工具也必须保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通过对本田第四代混合动力系统IMA的工作特性与主要零部件的分析研究，揭示了其基本的设计思想和工作原理，对于国内轻度混联混合动力汽车的研发具有一定的借鉴作用。
2021-05-12 06:08:11
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2021-08-23 18:13:52
阶段，可见未来5年工地对第四代强制式干混砂浆罐的需求会越来越大。 那么一款专业的工人专用空气净化施工产品应当是怎样的标准呢？ 第四代强制式干混砂浆罐的产品介绍： 搅拌机开机后，罐内的砂浆通过手动蝶阀或
2017-06-16 11:00:57
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2021-01-29 17:52:55
本文从基本概念、接入系统、关键技术等几个方面全面介绍了第四代移动通信系统，并简单介绍了OFDM 技术在第四代移动通信中的应用。
2009-11-28 11:46:59
42 Intel 第四代Xeon®可扩展处理器Intel第4代Xeon® 可扩展处理器设计旨在加速以下增长最快工作负载领域的性能：人工智能 (AI)、数据分析、网络、存储器和高性能计算 (HPC) 。这些
2024-02-27 12:19:48
9294第四代智VCD维修解码板使用说明
第四代智能VCD维修解码板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED数码屏
2009-04-28 15:39:251378 第四代iPhone细节曝光
北京时间2月9日早间消息，美国数码产品维修网站iResQ今天刊文，曝光了苹果第四代iPhone的更多细节及图片，第四代iPhone要比当前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone细节曝光
2010-02-22 10:25:18354 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111032 
SK 海力士最先进72层3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-28 16:36:11766 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:11991 三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这次开足马力让第四代3D NAND闪存芯片大规模生产，可以缓解闪存、SSD目前短缺的状况，当然也能拉低产品的售价。
2017-07-05 08:47:54573 目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选？
2017-08-01 10:21:1393396 
SK海力士预计第四季度D-RAM和NAND闪存需求不断增长。公司计划第四季度批量生产10纳米级D-RAM和72层NAND闪存，明年业绩仍将向好。
2017-10-27 09:15:15595 报告由LeCroy公司技术支持张昌骏先生发表了名为“第四代示波器的创新、卓越与价值”的演讲。LeCroy公司是全球唯一一家专业专注于数字示波器的厂商。此次张昌骏先生以其娴熟的业务知识与经验，介绍了由LeCroy公司创新的领先世界的第四代示波器，为世界的工程发展产生了不可磨灭的影响。
2018-06-22 16:10:003684 
报告由LeCroy公司技术支持张昌骏先生发表了名为“第四代示波器的创新、卓越与价值”的演讲。LeCroy公司是全球唯一一家专业专注于数字示波器的厂商。此次张昌骏先生以其娴熟的业务知识与经验，介绍了由LeCroy公司创新的领先世界的第四代示波器，为世界的工程发展产生了不可磨灭的影响。
2018-06-22 16:30:003698 
报告由LeCroy公司技术支持张昌骏先生发表了名为“第四代示波器的创新、卓越与价值”的演讲。LeCroy公司是全球唯一一家专业专注于数字示波器的厂商。此次张昌骏先生以其娴熟的业务知识与经验，介绍了由LeCroy公司创新的领先世界的第四代示波器，为世界的工程发展产生了不可磨灭的影响。
2018-06-22 16:10:003701 
SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043196 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:004779 %的份额之差排在三星电子、东芝、西部数据之后，排名第四。在去年SK海力士的销售额中，NAND闪存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，这一比例下降到了18%。
2018-11-09 15:49:514689 11月15日， 国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技（MAXIO）再下一城，正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒，并对外提供搭载联芸科技自主
2018-11-19 17:22:316838 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 近日，据报道，传海力士正在跟Intel谈判，海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务。
2019-07-12 11:32:522847 .据日经新闻报道，韩国内存大厂SK海力士今日表明，为了应对日本对韩国部分关键半导体材料的出口管制，该公司在2019年NAND型闪存产量将比2018年时减产15％。
2019-07-26 15:39:412550 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 美光科技已经流片第一批第四代3D NAND存储芯片，它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3D NAND内存，但美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。
2019-10-08 16:25:153853 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇，近日，根据最新消息显示，美系存储巨头，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。
2019-11-18 15:33:47718 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:571674 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:552832 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:521542 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:193527 SK海力士作为全球半导体领头企业之一，旨在强化其NAND闪存解决方案相关竞争力，发展存储器生态系统，进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。
2020-10-20 09:53:011833 10月20日，SK海力士和英特尔已经达成协议，前者将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。 本次收购包括英特尔NANDSSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造
2020-10-20 17:18:286455 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152133 10月20日，SK海力士和英特尔在韩国共同宣布签署收购协议，根据协议约定，SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业
2020-10-23 18:00:167502 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321345 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 据悉，SK海力士将收购所有英特尔NAND闪存业务，包括固态硬盘业务、NAND闪存芯片产品和晶圆业务、英特尔位于中国大连的生产工厂，但不包含英特尔Optane存储部门。对于英特尔来说，剥离非核心业务将有助于其解决芯片技术困境。
2020-11-16 15:04:572505 。 EUV光刻机参与的将是SK海力士的第四代（1a nm）内存，在内存业内，目前的代际划分是1x、1y、1z和1a。 EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 当然，EUV光刻机实在是香饽饽。唯一的制造商ASML（
2020-11-26 18:23:291761 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:271552 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091666 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:373659 从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:342755 SK海力士就拟议的英特尔NAND闪存业务收购获得了美国外国投资委员会(The Committee on Foreign Investment in the United States,简称CFIUS)的许可！
2021-03-19 14:19:222077 SK海力士今日宣布，已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。
2021-12-30 10:09:13726 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:533107 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915363 服务器客户 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel®）近期上市的全新第四代Xeon®服务器
2023-01-12 21:32:26610 在4月26日召开的第十三届中国卫星导航年会（CSNC2022）上，第四代北斗芯片正式发布。
2023-04-28 09:46:52473 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程，随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理，最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺，但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:58418
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