资料来源：Kioxia Kioxia（原为东芝存储）有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:21
4222 据DigiTimes的消息人士报道，NAND闪存的整体价格将在2020年急剧上升。该报告来自存储器芯片制造商的多个消息来源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。随着价格的上涨
2020-01-06 11:15:333821 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 在设计使用NAND闪存的系统时，选择适当的特性平衡非常重要。 闪存控制器还必须足够灵活，以进行适当的权衡。 选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。NAND闪存是一种大众化
2020-12-03 13:52:282455 与内存有关的错误，属于那种最令人惊恐的错误。在时间和空间上，经常在距离错误源一段距离之后才表现出来。将错误的数据写到错误的位置，你的程序可能在最终失败之前运行了一段时间。 下面列举并分析了与内存有关的几种错误：
2023-06-20 10:41:50549 本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446 
该行业非常重视单个ECC代码的强度：但经常被忽视的是错误预防的强度，这在纠正甚至发挥作用之前是重要的我们如何在基于NAND闪存的系统中实现最低的故障率？您可能已在工程团队或存储系统供应商之间进行过
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
K9F5608UOA闪存块的大小为16K，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band，OOB空间)；在进行写操作的时候NAND闪存每次将一个字节的数据放入
2014-04-23 18:24:52
的大小为16K，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band，OOB空间)；在进行写操作的时候NAND闪存每次将一个字节的数据放入内部的缓存区
2013-04-02 23:02:03
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐渐被应用到嵌入式系统中。
2019-10-28 06:39:19
亲爱的大家，任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板，并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
嗨，我们想用Spartan 6汽车级FPGA（XA6SLX100-2FGG484Q-ND）设计一种新的PCB。请为设计指定SPI配置闪存，因为Xilinx（间接编程简介 - SPI或BPI闪存）中列出的所有SPI闪存都是合法的。请建议替代SPI闪存。
2020-06-05 15:35:51
U-BOOT是什么NAND闪存工作原理是什么从NAND闪存启动U-BOOT的设计思路
2021-04-27 07:00:42
你好，使用未被配置数据占用的配置闪存的剩余内存有哪些规则？我在我的8Mb闪存的最后16个地址放置了一个16字节的哈希值，它配置了一个Spartan 6 LX25。配置数据仅占用大约4/5的地址。谢谢
2019-06-26 08:41:22
我在我的设计中使用Xilinx XCF128X-FTG64C平台闪存。现在我正在尝试使用Virtex-6 FPGA进行PCB布局和布线存储器。我还没有找到有关内存跟踪长度匹配的任何信息。但我在
2019-09-03 09:33:44
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年
2010-08-30 15:48:01183 韩国三星电子公司周一说，它和苹果电脑公司就合资生产NAND闪存芯片的谈判已告失败。NAND闪存芯片是苹果最新便携音乐播放
2006-03-13 13:05:36389 镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511088 尔必达计划收购Spansion NAND闪存业务
据国外媒体报道，日本尔必达公司表态计划收购美国Spansion（飞索半导体）旗下的NAND闪存业务资产。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash闪存有哪些类型
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，尽管超级本领域使用的固态硬盘（SSD）不断增加，但与NAND闪存供应商相比，专门生产快速SSD的厂商却处于劣势。NADN闪存供应商拥有广阔的市场以及令
2012-07-06 09:39:14807 
东芝(微博)公司计划将NAND闪存芯片的产量削减30%，为2009年以来首次减产。
2012-07-24 09:08:06793 对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品
2012-07-27 17:03:381471 
东京—东芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，该公司在闪存峰会（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND闪存和存储产品。
2014-09-03 11:40:13849 内存市场日益扩大，研调机构 IC Insights 最新报告预测，DRAM 与 NAND 闪存等，未来 5 年年均复合增长率（CAGR）可达 7.3%，产值将从去年的 773 亿美元扩增至 1，099 亿美元。
2017-01-10 11:28:23599 本来这几天有关于华为P10闪存造假的问题已经没有前几天那么火热了，可是，今天贴吧再曝光华为旗下两款手机闪存有问题。
2017-04-25 10:09:1013874 
目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选？
2017-08-01 10:21:1393396 
三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片复位后进入操作系统之前执行的一段代码，完成由硬件启动到操作系统启动的过渡，为运行操作系统提供基本的运行环境，如初始化CPU、堆栈、初始化存储器系统等，其功能类似于PC机的BIOS. NAND闪存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以来，NAND闪存价格一直在下滑，市场供需情况已经变了，本来预计Q3季度会有苹果新机拉货导致的需求提升，藉此提振下NAND价格，不过现在来看这些厂商想的太乐观了，Q3季度NAND闪存价格还会继续下滑，这种情况持续下去，不排除2020年NAND市场大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础，也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片，国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光，紫光集团旗下的长江存储正在
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具
2018-06-06 12:27:009847 
据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 2017年经历市况乐观的一年后，NAND闪存（flash）市场在2018年将继续明显降温。根据分析师表示，去年持续一整年的NAND组件短缺现象已经转为供过于求了，从而导致价格持续走低。
2018-08-07 11:44:063570 
。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中，并且是非易失性存储器技术的典范，但关于嵌入式闪存技术仍有一些错误的观念，这正是我想要努力澄清的。
2018-09-16 10:43:13806 为了满足这种需求而迅速发展起来的。目前关于U-BOOT的移植解决方案主要面向的是微处理器中的NOR 闪存，如果能在微处理器上的NAND 闪存中实现U-BOOT的启动，则会给实际应用带来极大的方便。 U-BOOT简介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多种架构的处理器，也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01485 东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元（SLC）NAND闪存，并且内嵌错误纠正功能（ECC）。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2018-10-25 17:37:1818 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。 据IDC数据显示，2019年上半年闪存
2019-03-20 15:09:01282 IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。
2019-03-24 10:05:26582 
2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市，领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片，其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价，迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630 NAND闪存与机械存储设备一样，默认情况下是不可靠的 - 这是电子世界中不寻常的情况。它的不可靠性通过使用专用控制器来处理。另一方面，DRAM被认为是“非常”可靠的。服务器通常具有错误检测（并且可能是校正）电路，但消费者和商业机器很少这样做。我将专注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
同样值得注意的是闪存有几种不同的类型。最常见的两种是NOR闪存和NAND闪存。
2019-12-05 11:54:343576 我们都知道固态硬盘采用闪存颗粒NAND Flash作为存储介质，所以它是固态硬盘中最重要的构成部分，其好坏也就决定着固态硬盘质量的好坏，而我们目前常见的NAND闪存主要有四种类型：Single
2020-01-01 09:31:003412 任何了解SD卡，USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道，控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
NAND Flash是目前闪存中最主要的产品，具备非易失，高密度，低成本的优势，其阵列内部包含由晶体管构成的行列单元。
2020-02-24 17:57:302242 
2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:522653 的投资额就达8万亿韩元（约合470亿元人民币）。新冠肺炎疫情导致NAND市场的不确定性大增。然而，三星电子过往多选择在景气低迷时大举投资，以此增强其在存储器领域的竞争力，此次再度大举投资扩产，或将带动其他NAND闪存厂商的跟进，再掀NAND闪存的扩产浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 在为期三天的 2020 年虚拟闪存峰会期间，NEO 半导体首席执行官兼创始人许志安（Andy Hsu）进行了详细的演讲，介绍了该公司全新 X-NAND 闪存架构，该架构有望将 SLC 闪存的速度
2020-11-15 09:27:402041 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 电流互感器应用中的一个错误观念： 电流互感器适用范围广泛,在电路检验电流量、与电度表互相配合接线计量检测功率因素、无功负荷耗电量。进行二次继电保护装置设备电动机的维护保养等方面许多运用。租赁厂房
2021-02-19 16:13:23330 日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存，加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛。
2021-02-20 11:10:002580 NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门（NOT-AND），用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
本文档重点介绍 NAND 闪存与使用静态存储器控制器（Static Memory Controller，SMC）的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510 写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么？
2021-04-01 17:50:562894 EE-344：在Blackfin处理器上使用NAND闪存控制器
2021-04-13 08:02:427 在Blackfin处理器上使用NAND闪存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 该NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299 NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效应晶体管）， 与普通场效应晶体管的不同之处在于，在栅极（控制栅）与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。
2022-02-10 11:39:231 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
内存控制器的未来与它们控制的内存有着不可逆转的联系。同样，它们受摩尔定律的约束。虽然存储类存储器 (SCM) 可能会因新架构而获得关注，但存储器控制器市场仍然很大程度上受 NAND 闪存的支配
2022-07-20 10:35:27694 
本规范定义了标准化的NAND闪存设备接口，该接口提供了以下方法：用于设计支持一系列NAND闪存设备而无需直接设计的系统关联前。该解决方案还提供了系统无缝利用的方法在设计系统时可能不存在的新NAND设备。
2022-09-09 16:10:2415 在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本规范定义了标准化NAND闪存设备接口，该接口提供了设计的系统支持一系列NAND闪存设备，无需直接设计预关联。该解决方案还为系统提供了无缝利用在系统设计时可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元（SLC）闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元（MLC），闪存可以为每个单元存储两个或更多位，因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031197 
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 与内存有关的错误属于那种最令人惊恐的错误。在时间和空间上，经常在距离错误源一段距离之后才表现出来。将错误的数据写到错误的位置，你的程序可能在最终失败之前运行了一段时间。
2023-06-20 10:41:14250 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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