在论坛的圆桌论坛环节,FD-SOI产业链大佬们集聚一堂共话FD-SOI未来,当然,大家对FD-SOI未来都很乐观,但是对于FD-SOI工艺真正大爆发稍有异议,Handel Jones认为需要3年左右会有大爆发,他的观点是一年IP ,一年设计,一年制造迎来这个工艺爆发。
不过SOI晶圆主要提供者Soitec CEO Paul Boudre则表示他认为后年1Q左右就可以迎来FD-SOI工艺大爆发,也许他有三星和GF晶圆的forecast所以比较乐观吧,在我会后对Soitec高管的采访中,他们都表示三星相比GF更激进,对晶圆有很大的需求,同时他们也表示,SOI晶圆供应充足,足以应付 即将到来的大爆发。
在私下与本土IC业者的交流中,很多人表示已经在GF或者三星流片基于FD-SOI工艺的芯片,但是在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
在论坛上的多位专家也谈到FD-SOI工艺的IP问题,怎么办呢?芯原微电子戴伟民博士表示FD-SOI生态系统还需要加快建设,尤其在IP方面,目前芯原和GF、三星联合开发了很多FD-SOI接口,如IMIPI、USB等接口IP,也包括ADC、收发器等vwin 产品,还包括PLL甚至温度传感器IP等。“但这是一个过程,FD-SOI联盟都有制定计划,这两年的目标都是完成的。”他表示。
作为FD-SOI工艺最热心的推手之一,戴博士一直希望本土IC公司能利用这个工艺实现差异化突破,他说芯原帮助客户设计的用于汽车自动驾驶的L4 ADAS SoC芯片已经流片,由于采用了FD-SOI工艺,这颗芯片功耗大大降低!
他认为物联网时代本土IC厂商的机会很大,通过FD-SOI工艺可以获得成本性能的竞争优势,“FD-SOI可以集成RF部件,又有低功耗优势,利用这个工艺可以实现完整的物联网方案,大家不一定都要去采用FinFET工艺,可以两条腿走路。”他强调。目前在中国已经形成了FD-SOI完整产业链。
在论坛上,我感觉到大家都还是希望FD-SOI领域出现一只领头羊,尤其在中国(因为中美贸易战的缘故),目前格芯成都12寸厂被大家寄予厚望,这座投资百亿美元的晶圆厂预计2019年将开始量产FD-SOI器件,因此与会者都迫切希望知道这个计划是不是可以如期进行,GF的Morgenstern在演讲中也特别谈到了GF在中国的战略,特别指出GF将于成都紧密合作促进22FDX中国顺利量产!
可以说,随着FD-SOI逐渐被产业接受,目前全球FD-SOI都在看中国,而中国在看GF格芯厂!不过,据老张私下消息,近日就将有关于格芯成都厂的利好消息发布,大家静候佳音!
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原文标题:FD-SOI:万事俱备,只欠IP?
文章出处:【微信号:FPGA-EETrend,微信公众号:FPGA开发圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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