MagnaChip半导体有限公司和Tezzaron半导体公司宣布合作伙伴关系
加利福尼亚州圣何塞＆＃151; MagnaChip半导体有限公司和Tezzaron半导体公司预计将宣布合作伙伴关系，该公司声称这些产品是世界上第一个真正的三维（3D）芯片。预计Tezzaron还将宣布该公司声称是世界上第一个可重新编程的3D RAM芯片。该器件由Tezzaron销售和销售，已经过高于500-MHz的时钟速率测试，延迟小于2 ns。
该器件基于Tezzaron的3D晶圆堆叠技术（伊利诺伊州内珀维尔），一家无晶圆厂芯片设计公司。 RAM设备以及来自Tezzaron的未来3D芯片将由MagnaChip（韩国首尔）在铸造厂生产。
新形成的MagnaChip研发部高级副总裁Jeong-Gun Lee表示，3D RAM目前正在采用标准的0.18微米铸造工艺制造。 MagnaChip是韩国海力士半导体公司的前非存储芯片部门。海力士的非存储芯片部门最近被出售给由花旗集团风险资本股权合伙公司LP和CVC亚太有限公司组建的新成立的韩国公司。见10月5日的故事）。
最初，MagnaChip在代工厂的基础上为Tezzaron构建了一个基于RAM的寄存器文件。 “这是一种相对原始的设备，”Tezzaron首席技术官罗伯特帕蒂说。 “但我们相信这将迎来半导体的新时代。”
Tezzaron本身计划开发和销售一系列3D“定制设备”，Patti说。 3D芯片在手机，手持设备和其他产品的速度，密度和低功耗要求方面都有很大前景，他告诉 Silicon Strategies。。
其他人也在奔波开发和运送3D芯片。例如，MagnaChip发布了关于开发3D零件的提示。 “我们的主要兴趣是开发3D IC的工艺技术，”Lee说。 “我们也对3D传感器感兴趣。”
本月早些时候，3D半导体存储器开发商Matrix Semiconductor公司表示，它已经迁移了多层，基于反熔丝的ROM，从0.25微米制造工艺到0.15微米工艺。
Matrix已推出采用0.25微米制造工艺制造的基于8层反熔丝的512-Mbit PROM，运行时间约为一年。该公司补充说，它在不到四个月的大规模生产中已经出货了100万台3D内存（见11月8日的报道）。
堆叠甲板
Tezzaron声称需要另一种3D设计方法。该公司的FaStack技术通过堆叠整个半导体晶圆并将其与铜结合以在电路层之间建立连接来构建3D芯片。目前的工艺将8英寸晶圆与小于1微米的精度对齐，从而实现极高密度的晶圆间连接。
然后将晶圆堆叠切割成单独的芯片，每个芯片都是完全集成的3D IC。该过程可以扩展到多个晶圆。因为每个添加的晶圆都被减薄到仅仅10微米，所以多达32层可以适合标准芯片封装。
该公司的可重新编程RAM器件是作为3D IC构建的 - 两层电路具有垂直互连，允许它们作为单个器件运行。据该公司称，该技术预计比现有芯片的性能提高3到10倍，因为垂直互连很小，只有10微米长。
MagnaChip在标准“批量”半导体晶圆上构建了Tezzaron的RAM设计，并根据需要提供了额外的处理。 Tezzaron董事长兼首席执行官詹姆斯·艾尔斯（James Ayers，Jr。）表示，两家公司打算继续建立更多3D设备。 “除了3D RAM之外，我们的产品路线图还包括许多其他商业3D设备，这些设备将在FaStack大规模生产时宣布推出。”他说。
MagnaChip总裁兼首席执行官Youm Huh也是看好3D芯片。 “随着数码相机应用，手机和便携式消费电子产品的增长，3D RAM有望成为增长最快的IC领域之一，”他说。 “制造商的好处包括提高性能，降低拥有成本，缩短产品上市时间和提高产品性能。”
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