台积电喊话“摩尔定律未死” 还有许多路径可用于未来的晶体管密度改进-德赢Vwin官网网

近年来，对于在过去50年推动半导体制程前进的摩尔定律是否能继续前行这个话题，一直备受争议。但除了英特尔外，晶圆代工龙头台积电亦是摩尔定律的忠实推动者。日前，台积电高管发表博客，再次表态将继续推进摩尔定律，喊话“摩尔定律未死”。

台积电全球营销主管Godfrey Cheng在官网发表博客，表示摩尔定律实际上被误称为一种定律，因为它更准确地将其描述为历史观察和未来预测半导体器件或芯片中晶体管数量的指导。这些观察和预测在过去几十年中基本上都是正确的。但在我们即将迈入新的十年之际，一些人似乎认为摩尔定律已死。

Godfrey Cheng在博文中解释了摩尔定律的由来及相关知识，言语中强调摩尔定律未死。他举例表示，计算性能并没有因为单个晶体管的时钟速度而提高，而是通过在一个计算问题上投入更多的晶体管来提高计算性能，而在同一区域内压缩更多晶体管的方法是密度，即指给定二维区域内晶体管的数量。

他指出，之所以关心芯片面积，是因为芯片成本与芯片面积成正比。摩尔在1965年的论文中明确指出，每个组件的制造成本与芯片上晶体管的总数之间存在关系。有些人认为摩尔定律已死，因为他们认为晶体管不肯能再继续缩小了，Godfrey Cheng在文中谈及了一些计算问题以及关于如何改进密度等问题。

值得一提的是，Godfrey Cheng提到台积电近期推出的5nm极紫外EUV制程技术（N5P）。N5P是台积电5nm制程的增强版，采用FEOL和MOL优化功能，以便在相同功率下使芯片运行速度提高7%，或在相同频率下将功耗降低15%。他表示台积电的N5P工艺扩大了他们在先进工艺上的领先优势，该工艺将提供世界上最高的晶体管密度和最强的性能。

Godfrey Cheng进一步表示，在了解了台积电的技术路线图后，他可以很有把握地说，台积电在未来多年将继续开拓创新，将继续缩小单个晶体管的体积，并继续提高密度。在未来的几个月、几年里，将可听到更多台积电向新节点迈进的消息。

事实上，目前台积电对外公布的技术路线规划已到2nm。6月18日，台积电在上海举办2019中国技术论坛，台积电总裁魏家哲介绍了先进工艺的发展规划。如今，台积电7nm制程已量产，而其规划量产的工艺节点已经来到5nm，研发方面则推进到3nm，近期还官宣2nm研发启动。

根据规划，台积电5nm工艺将于明年上半年量产；3nm工艺方面，台积电表示进展顺利，已有早期客户参与进来，有望在2021年试产、2022年量产；2nm工艺新厂设在中国***新竹的南方科技园，预计2024年投产。

据了解，台积电2nm工艺是一个重要节点，Metal Track（金属单元高度）和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch（晶体管栅极间距）缩小到30nm，Metal Pitch（金属间距）缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

除了先进制程外，Godfrey Cheng还提及了系统级封装技术，这也是延续摩尔定律的一个重要方向。他表示，台积电已经能通过先进的封装技术将逻辑内核与存储器紧密集成，将利用先进封装实现的系统级密度，进一步增加晶体管的密度。

Godfrey Cheng表示，摩尔定律是关于增加密度，除了通过先进封装实现的系统级密度，台积电将继续在晶体管级别增加密度，有许多路径可用于未来的晶体管密度改进，“摩尔定律并未死亡”。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

半导体

半导体

+关注

关注
334

文章
27286

浏览量
218043
台积电

台积电

+关注

关注
44

文章
5632

浏览量
166404
摩尔定律

摩尔定律

+关注

关注
4

文章
634

浏览量
78995

击碎摩尔定律！英伟达和AMD将一年一款新品，均提及HBM和先进封装

德赢Vwin官网网报道（文/吴子鹏）摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔提出的经验规律，描述了集成电路上的晶体管数量和性能随时间的增长趋势。根据摩尔定律，集成电路上可容纳的

发表于 06-04 00:06 •4042次阅读

击碎<b class='flag-5'>摩尔定律</b>！英伟达和AMD将一年一款新品，均提及HBM和先进封装

台积电2nm制成细节公布：性能提升15%，功耗降低35%

12月17日消息，在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米（N2）制程技术的更多细节，展示了该技术在性能、功耗和晶体管

发表于 12-18 16:15 •77次阅读

短沟道二维晶体管中的掺杂诱导辅助隧穿效应

短沟道效应严重制约了硅基晶体管尺寸的进一步缩小，限制了其在先进节点集成电路中的应用。开发新材料和新技术对于维系摩尔定律的延续具有重要意义。

发表于 12-06 11:02 •206次阅读

奇异摩尔专用DSA加速解决方案重塑人工智能与高性能计算

随着摩尔定律下的晶体管缩放速度放缓，单纯依靠增加晶体管密度的通用计算的边际效益不断递减，促使专用计算日益多样化，于是，针对特定计算任务的专用架构成为计算创新的焦点。

发表于 09-19 11:45 •669次阅读

“自我实现的预言”摩尔定律，如何继续引领创新

未来的自己制定了一个远大但切实可行的目标一样， 摩尔定律是半导体行业的自我实现。虽然被誉为技术创新的“黄金法则”，但一些事情尚未广为人知……. 1. 戈登·摩尔完善过摩尔定律的定义

发表于 07-05 15:02 •267次阅读

AMD与台积电联手推动先进工艺发展

展望未来，台积电正通过多个方向推动半导体行业持续发展：包括硅光子学的研发、与DRAM厂商在HBM领域的深度合作以及探索将3D堆叠技术应用于

发表于 04-29 15:59 •356次阅读

封装技术会成为摩尔定律的未来吗?

你可听说过摩尔定律?在半导体这一领域，摩尔定律几乎成了预测未来的神话。这条定律，最早是由英特尔联合创始人戈登·摩尔于1965年提出，简单地说

发表于 04-19 13:55 •328次阅读

ISSCC 2024台积电谈万亿晶体管，3nm将导入汽车

台积电推出更先进封装平台，晶体管可增加到1万亿个。

发表于 02-23 10:05 •1268次阅读

功能密度定律是否能替代摩尔定律？摩尔定律和功能密度定律比较

众所周知，随着IC工艺的特征尺寸向5nm、3nm迈进，摩尔定律已经要走到尽头了，那么，有什么定律能接替摩尔定律呢？

发表于 02-21 09:46 •715次阅读

在特殊类型晶体管的时候如何分析？

管子多用于集成放大电路中的电流源电路。请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中

发表于 01-21 13:47

中国团队公开“Big Chip”架构能终结摩尔定律？

摩尔定律的终结——真正的摩尔定律，即晶体管随着工艺的每次缩小而变得更便宜、更快——正在让芯片制造商疯狂。

发表于 01-09 10:16 •825次阅读

如何走向万亿级晶体管之路？

台积电预计封装技术（CoWoS、InFO、SoIC 等）将取得进步，使其能够在 2030 年左右构建封装超过一万亿个晶体管的大规模多芯片解决方案。

发表于 12-29 10:35 •346次阅读

台积电：规划1万亿晶体管芯片封装策略

为达成此目标，公司正加紧推进N2和N2P级别的2nm制造节点研究，并同步发展A14和A10级别的1.4nm加工工艺，预计到2030年可以实现。此外，台积电预计封装技术，如CoWoS、InFO、SoIC等会不断优化升级，使他们有望

发表于 12-28 15:20 •626次阅读

英特尔CEO基辛格：摩尔定律放缓，仍能制造万亿晶体

帕特·基辛格进一步预测，尽管摩尔定律显著放缓，到2030年英特尔依然可以生产出包含1万亿个晶体管的芯片。这将主要依靠新 RibbonFET晶体管、PowerVIA电源传输、下一代工艺节点以及3D芯片堆叠等技术实现。目前单个封装的

发表于 12-26 15:07 •669次阅读

英特尔CEO基辛格：摩尔定律仍具生命力，且仍在推动创新

摩尔定律概念最早由英特尔联合创始人戈登·摩尔在1970年提出，明确指出芯片晶体管数量每两年翻一番。得益于新节点密度提升及大规模生产芯片的能力。

发表于 12-25 14:54 •615次阅读