紫光集团将在重庆建设DRAM总部研发中心及芯片制造工厂 开始进军DRAM领域
继6月底宣布组建DRAM事业群后，日前紫光集团DRAM开始落地工厂建设。8月27日，重庆市政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。
根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，在重庆建设DRAM总部研发中心、紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。
据了解，紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造，该工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。在芯片工厂建成前，紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线，进行产品生产工艺技术研发，待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。
有备而来：重量级高管+良好基础
进军DRAM领域，紫光集团有备而来。
两个月前，紫光集团宣布组建紫光集团DRAM事业群，委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长，委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO。这两位人物相信业界人士均不陌生，两者在集成电路及存储芯片领域有着深厚的积累和经验。
刁石京在ICT领域拥有超过30年经验，被称为中国ICT领域的灵魂人物，从业履历出彩，去年正式加入紫光集团，现担任紫光集团联席总裁、紫光国微董事长、紫光展锐执行董事长、长江存储执行董事等职务。
高启全自1980年起就一直在半导体及DRAM领域从业，是全球DRAM领域资深人士之一。他于2015年加入紫光集团，现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO。
除了配置了两位重量级高管外，事实上在DRAM领域紫光集团亦早已有所积累。据了解，紫光集团早在2014年期间就曾表达出发展DRAM的决心，但当时为了平衡产业与地方发展，确立发展NAND Flash的路线。
如今，紫光集团旗下的长江存储已建立起NAND Flash存储芯片设计到制造的完整产业链，有了长江存储的工厂建设以及存储芯片制造的经验，紫光集团有望迅速完成DRAM新工厂的兴建。
此外，紫光集团旗下的西安紫光国芯前身为西安华芯半导体，是由原奇梦达科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的，奇梦达科技是由英飞凌分拆而成的内存公司，曾是为全球第二大的DRAM公司。西安紫光国芯在DRAM领域拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。
据报道，西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品（ECC DRAM）。其开发的存储器芯片产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，存储器模组产品包括服务器内存模组（RDIMM，NVDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM）。
有刁石京和高启全两大巨头的掌舵以及上述在DRAM领域的良好基础，业界认为紫光集团进军DRAM后续发展值得期待。
从NAND到DRAM布局存储芯片
根据此次签署的协议，紫光集团拟在重庆发起设立的紫光国芯集成电路股份有限公司将作为紫光集团已经和未来在各地设立的存储芯片制造工厂的投资主体，打造世界级存储芯片领域核心产业集团。
此前，紫光集团提出“从芯到云”的战略布局，主要由芯产业和云产业两大部分组成，芯产业包括三大板块：综合性芯片、安全芯片、存储器。其中，存储器板块主要以长江存储为核心、与紫光存储等企业一起构成，包括了存储器芯片的设计、生产以及相关存储产品的开发。
自2016年以来，紫光集团相继在武汉、南京、成都建设起三座存储芯片制造工厂。其中，位于武汉的长江存储在武汉新芯的基础上已成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片；2018年8月，长江存储宣布推出全新3D NAND架构Xtacking；近日在智博会上，紫光集团首次展出了长江存储的64层3D NAND闪存芯片，按照规划预计于今年年底正式量产。
除了长江存储，紫光集团董事长赵伟国公开表示，紫光集团要在成都、南京等比例复制武汉工厂。
紫光南京集成电路基地项目计划总占地约1500亩、总投资300亿美元，主要产品为3D NAND Flash存储芯片和DRAM内存芯片。2018年9月30日，该项目一期正式开工建设，根据浦口经济开发区消息，截止2019年4月上旬，项目现场桩基（总约1.5万根）施工和内部正式道路（共7条）全部结束。
2018年10月，紫光成都存储器制造基地项目也正式开工，该项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
随着这次紫光存储芯片产业基地项目签约落地重庆，紫光集团在DRAM领域踏出重要一步，DRAM存储芯片制造工厂日后若开建落成，这将是紫光集团旗下的又一座存储芯片制造工厂。
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