常用的贴片MOS场效应管分享
贴片MOS场效应管，因其价格低、体积小、驱动电流大，现已广泛用于各种开关电源、逆变器、锂电池保护板及低压LED驱动器中。
1、AO3400，N沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝30V，ID＝5.8A。导通电阻Rds＜33mΩ（VGS＝4.5V）。
2、AO3401，P沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝-30V，ID＝-4.2A，Rds＜65mΩ（VGS＝-4.5V）。
3、AO3404，N沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝30V，ID＝5.8A，Rds＜43mΩ（VGS＝4.5V）。
4、AO3407，P沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝-30V，ID＝-4.1A，Rds＜87mΩ（VGS＝-4.5V）。
5、AO3415，P沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝-20V，ID＝-4A，Rds＜43mΩ（VGS＝-4.5V）。
6、SI2300，N沟道MOS场效应管，PD＝1.25W，VDS＝20V，ID＝3.8A，Rds＝32mΩ（VGS＝4.5V）。
注意：SOT-23封装的SI2300的丝印有两种，分别是2300和A0SHB。
7、SI2301，P沟道MOS场效应管，PD＝0.9W，VDS＝-20V，ID＝-2.3A，Rds＝93mΩ（VGS＝-4.5V）。
8、SI2302，N沟道MOS场效应管，PD＝0.71W，VDS＝20V，ID＝2.6A，Rds＝45mΩ（VGS＝4.5V）。
9、SI2303，P沟道MOS场效应管，PD＝2.3W（max），VDS＝-30V，ID＝-2.7A。
10、SI2305，P沟道MOS场效应管，PD＝2.3W，VDS＝-8V（注意：该型号的耐压值不高），ID＝-2.7A。
11、SI2306，N沟道MOS场效应管，PD＝0.75W，VDS＝30V，ID＝3.5A。
12、2SK3018，N沟道MOS场效应管，PD＝0.35W，VDS＝30V，ID＝0.1A。
13、20N03，N沟道MOS场效应管，SOT-89封装，VDS＝30V，ID＝20A。
14、2N7002，N沟道MOS场效应管，PD＝0.5W，VDS＝60V，ID＝0.115A。Rds＝5.3Ω（VGS＝4.5V）。
注意：2N7002的丝印有两种，即702和7002。
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