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IGCT的逆导技术_IGCT的透明阳极

h1654155282.3538 来源:网络整理 作者:网络整理 2019-12-22 10:20 次阅读

IGCT的逆导技术

GCT大都制成逆导型,与非对称型结构不同,它可与优化的续流二极管FWD单片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基区厚度与二极管相同,可承受相同的阻断电压。由于二极管和GCT享有同一个阻断结(PN -),GCT的P基区与二极管的阳极相连,这样在GCT门极和二极管阳极间形成电阻性通道。逆导GCT与二极管隔离区中因为有PNP结构,其中总有一个PN结反偏,从而阻断了GCT与二极管阳极间的电流流通。

为了使GCT能够无吸收地关断,要求集成在其中的FWD也必须无吸收电路,并在高di/dt下关断。为此,逆导GCT的二极管部分可通过质子辐照形成非均匀的复合中心,从而控制二极管的反向恢复特性,以确保当其拖尾电流减小至零时不会产生断流现象。

IGCT的透明阳极

为了实现低的关断损耗,需要对阳极晶体管的增益加以限制,因而要求阳极的厚度要薄,浓度要低。透明阳极是一个很薄的PN结,其发射效率与电流有关。因为电子穿透阳极就像阳极被短路一样,因此称为透明阳极。传统的GTO则是采用阳极短路结构来达到相同的目的。采用透明阳极来代替阳极短路点,可使GCT的触发电流比传统无缓冲层的GTO降低整整一个数量级。而且GCT的结构与IGBT相比,因不含MOS结构而从根本上得以简化。

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