福建晋华随机动态处理存储器元件的形成方法专利-德赢Vwin官网网

福建晋华目前只专注于DRAM 的制造，虽然相对于国外半导体存储三巨头而言，技术在某些方面会有不足，但是从16年成立至今，短短三年内，就已经达到DRAM技术的较高水平，其实力仍不容小觑。

集微网消息，现如今全球范围内的半导体存储行业已经形成了三星、SK海力士和镁光三足鼎立之势，而放眼国内，福建晋华、兆易创新、紫光集团等企业也逐渐开始抗起我国半导体存储行业的大旗。

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory ,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于它可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，进而减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，具备凹入式栅极结构的DRAM单元已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

为了解决这一问题，早在2016年福建晋华就申请了一项名为“动态随机存取存储器元件的形成方法”的发明专利（申请号：201611198384 .8），申请人为福建省晋华集成电路有限公司。

该专利提供了一种随机动态处理存储器元件的形成方法，主要是利用单一制作工艺在其位线内形成密度高且厚度较小的阻障层，所以，该方法可以在制作工艺简化的前提下降低阻障层的阻值。

福建晋华随机动态处理存储器元件的形成方法专利

图1

福建晋华随机动态处理存储器元件的形成方法专利

图2

上图1是该专利中提出的动态随机存取存储器元件10，图2是图1中沿着切线B-B’的剖面示意图。由上面两图我们可以看到，该专利提出的动态随机存取存储器元件10主要包括：基底100、存储区(记忆体区) 102、周边区104、字线(字符线)110以及位线160。

一般来说，基底100由硅基底、含硅基底(如SiC、SiGe)或硅覆绝缘(silicon-on-insulator ,SOI)基底等构成。除了存储区102和周边区104均置在了基底100上面之外，基底100上还形成有多个主动区(ac tive area ,AA)101，相互平行地沿着第一方向延伸。另外其内部还形成有多个埋藏式栅极114，埋藏式栅极114是相互平行地沿着第二方向延伸，并横跨第一方向。

此外，基底100上还有多个位线160，其主要在埋藏式栅极114上产生，且它们相互平行地沿着第三方向延伸，并同时横跨主动区101与字线110，如图1所示。位线160与字线110之间通过位线接触插塞(bit line contact ,BLC)160a来电连接至各该晶体管元件的源极/漏极区，并且位线接触插塞160a位于两字线110之间。

在该专利提出的方法是利用射频物理气相沉积制作工艺来形成位线160的阻障层163，使其具有双层结构，这样就降低了阻碍层的厚度，使位线160具有较低的阻值与较小的整体厚度。另一方面，阻障层163虽然具有双层结构，但其整体厚度仅介于40埃至50埃之间，因而可以很好地改善位线160的高度并且简化了制作工艺。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

DRAM

DRAM

+关注

关注
40

文章
2311

浏览量
183445
福建晋华

福建晋华

+关注

关注
1

文章
17

浏览量
16720

美国对福建晋华禁售原因揭秘

继中兴之后，美国政府再次对中国科技企业实施禁售令。被处罚的福建晋华同样属于中国制造2025计划。这不仅是福建晋

发表于 10-30 09:15 •5935次阅读

中兴、晋华接连中招下一个遭禁售的会是谁？

出资设立的先进集成电路生产企业。公司与***联华电子开展技术合作，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。晋华

发表于 10-30 15:08

祸不单行！联电单方面宣布暂停与晋华合作

`近日，美国商务部突然发难，以威胁国家安全为由，将中国存储芯片制造商福建晋华集成电路实施紧急禁售令，禁止美国企业向后者出售零部件、软件和技术产品。分析师认为，基于本次美国商务部声明中称

发表于 11-01 10:01

美国对福建晋华有限公司实施禁售令，福建晋华将成为第二个中兴

福建晋华是福建省电子信息集团、泉州和晋江市政府在2016年共同出资设立的存储芯片制造商，是我国“十三五”集成电路重大产能布局规划中的企业。

发表于 10-30 09:09 •3382次阅读

福建晋华成了第二个中兴,福建晋华与美光恩怨未了

据集微网报道，晋华与台湾联华电子开展技术合作，投资56.5亿美元，专注于随机存取存储器（DRAM）领域。企业用地面积约600亩，一期总投资370亿元。工程建设方面，采取EPC总承包模式，交叉推进设计、采购、施工各个环节；项目运作

发表于 10-31 09:52 •1.2w次阅读

联电为何突然宣布暂停协助福建晋华

大陆DRAM厂福建晋华遭到美国商务部列为出口管制实体列表，以至于与晋华密切合作的台湾联电也首当其冲。联电31日指出，将暂停为

发表于 11-06 16:41 •4227次阅读

美国为何要对晋华下手呢?

美国司法部是在11月1日起诉福建晋华和台湾半导体代工厂联华电子和三位个人，指控他们合谋窃取美国芯片制造商美光科技研发内存存储器的商业机密。美国还提起一项民事诉讼，要求阻止这两家公司使用

发表于 11-16 16:24 •3378次阅读

从晋华事件剖析我国存储芯片产业瓶颈

近来，关于福建晋华、台湾联华电子与美国美光有关DRAM专利侵权的事件成为产业热点。

发表于 11-20 09:01 •5670次阅读

对于美国的指控，晋华和联电均予以否认

晋华是福建省电子信息集团、泉州和晋江市政府在2016年共同出资设立的存储芯片制造商，是我国“十三五”集成电路重大产能布局规划中的企业。福建

发表于 01-11 14:23 •3275次阅读

SRAM随机存储器的特点及结构

关于SRAM随机存储器的特点及结构。 SRAM随机存储器的特点随机存储器最大的特点就是可以随时

发表于 04-30 15:48 •3295次阅读

如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器

一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，...

发表于 02-07 12:29 •1次下载

动态随机存储器集成工艺（DRAM）详解

在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速

发表于 02-08 10:14 •9250次阅读

浅析动态随机存储器DRAM集成工艺

在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速

发表于 02-08 10:14 •837次阅读

福建晋华获无罪判决，美光与福建晋华达成全球和解

科技的独家数据，而这些数据据说曾在联电与福建晋华的制造交易中经手。联电在承认非法获取商业机密并支付6000万美元罚款后，协助司法部门处理福建

发表于 02-29 09:42 •630次阅读

内存储器分为随机存储器和什么

，Read-Only Memory）。一、随机存储器（RAM）随机存储器的定义和特点随机存储器

发表于 10-14 09:54 •898次阅读