闪存芯片的三种分类：SLC、MLC、TLC-德赢Vwin官网网

（文章来源：电脑据点）

用过U盘的同学应该对U盘不陌生，有时候U盘老是坏，特别是做PE维护工具的同学，U盘应该坏了很多次了，如此先了解一下U盘、固态硬盘的芯片颗粒；闪存芯片分为三类：SLC、MLC、TLC。

我们的U盘、硬盘闪存内的一般都是SLC、MLC、TLC三种芯片颗粒，在买U盘、固态硬盘的时候就要多注意了，尽量在自己经济能力范围内买一个相对较好；

三种芯片颗粒的差别与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在当前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命；TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，当前还没有厂家能做到1000次。；需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大；

SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异：SLC 利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
（责任编辑：fqj）

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