2020年存储器设备投资预期将会有所增加且有望创下有史以来最强劲获利-德赢Vwin官网网

在2019年存储器相关投资大幅下跌之后，市场预期2020年新存储器容量投资将急剧增加。受逻辑半导体制造商之间的竞争所推动，逻辑芯片尺寸持续扩大，新设备相关需求也推动了EUV光刻机的量产，为半导体设备产业带来更多的动能。

展望2020年，相对2019年的下跌，存储器设备投资预期将会有所增加。考量到近期存储器供需状况的改善，除非相关投资能在今年第二季有所回升，否则2021年恐将面临存储器供应严重短缺。因此，主要存储器制造商预期将在今年下半年加大投资。

《Business Korea》报导，三星电子 DRAM存储器容量将以50k wpm的速度增长，而NAND则将以85k wpm的速度增长，SK海力士的DRAM的存储器容量将以30k wpm的速度增长，从这些数据来推断，主要的存储器设备制造商有可能在2020年创下有史以来最强劲的获利。

另一方面，芯片尺寸的增加，以及EUV光刻技术引入DRAM制程中，也有利于半导体设备产业。在逻辑芯片制造商之间的竞争推动下，逻辑芯片的尺寸持续扩大。基于固定容量，随着芯片尺寸的增加，芯片出货量将会下跌，也将推动容量相关投资。2020年，英特尔（INTC-US）计划投资170亿美元，使产能年增25%。台积电也计划进行150亿美元的投资，较2018年增加50%。

新创独角兽公司Cerebras日前推出了全球最大的电脑芯片-晶圆级引擎（Wafer-Scale Engine，WSE），标志半导体产业的重要里程碑，芯片尺寸的大幅度增加也将提高AI运算能力，WSE芯片是由台积电16纳米制程打造的300mm晶圆切割而成。

近期5纳米逻辑芯片和1Z纳米DRAM制程引入EUV设备也将使半导体设备产业受益。台积电如今正在引入4至5层EUV光罩层，用在包括5纳米EUV光刻技术、孔洞阵列（hole arrays）等。
责任编辑：wv

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