三星宣布大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片 读写速度较上一代更快
智能手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，储存芯片的读写速度亦需要配合，才能发挥每个环节的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。
三星表示512GB的eUFS 3.1储存芯片，连续写入速度将超过1，200MB/s，比起现在相同容量eUFS 3.0储存芯片的400MB/s，速度快达3倍。
同时512GB eUFS 3.1储存芯片的随机读写表现为100，000/70，000 IOPS，亦较eUFS 3.0的产品快60%。三星指新储存芯片只需90秒就能完成100GB的档案传输，旧款要4分钟以上，特别适合用于储存8K高分辨率影片。
有消息指三星可能会将512GB的eUFS 3.1储存芯片，率先应用于下半年的旗舰手机Galaxy Note20系列；之后三星还会陆续生产和供应128GB和256GB的eUFS 3.1储存芯片。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 三星电子
+关注
关注
34文章
15776浏览量
180571 - 储存芯片
+关注
关注
0文章
12浏览量
7267
发布评论请先登录
相关推荐
三星电子遭遇大规模罢工,全球芯片供应链或受重创
7月8日，
三星电子公司遭遇了其成立55年以来的最
大规模罢工事件，数千名电子部门的工人计划展开为期
三天的罢工行动，以抗议薪资问题。这
一前所未有的罢工行动不仅震撼了韩国科技界，更可能对全球
三星电子大规模改组，聚焦高带宽存储器研发
在全球人工智能市场蓬勃发展的浪潮下，
三星电子再次展现出其在半导体领域的雄心壮志，
宣布进行
大规模改组，以进
一步巩固其在行业内的领先地位。此次改组的核心在于新设
进一步解读英伟达 Blackwell 架构、NVlink及GB200 超级芯片
带宽和1.8TB/s的NVLink带宽，使处理能力翻倍，大幅增加内存容量和带宽，为处理
大规模人工智能模型和复杂计算提供必要资源。 针对
大规模模型如GPT-MoE-1.8T，HGX B200的推理性能比
上一代
发表于05-13 17:16
三星Galaxy S25 Ultra 内存将升级至16GB
据报道，
三星Galaxy S24 Ultra已现身市场，其存储版本分别有256
GB、
512GB及1TB
三款，但内存皆为12
GB。然而，最新传
三星Galaxy Z Flip6升级至12GB内存，搭载骁龙8 Gen2处理器
此前，
三星国行GalaxyZFlip5手机在存储空间上提供256
GB与
512GB两个选项，而常规配色（如冰薄荷、冰玫紫等）及
三星商城限定色彩（如海浪蓝、山林绿等）以及MaisonMar
三星推大尺寸高端电视，预计下半年销量将超去年同期
三星家电部门经理王珮怡指出，
三星第
三代高效处理器的AI神经网络（NPU）数量从之前的64个增加到
512个，CPU
速度比
英伟达寻求从三星采购HBM芯片
英伟达正在寻求与
三星建立合作伙伴关系，计划从后者采购高带宽存储（HBM）
芯片。HBM作为人工智能（AI）
芯片的核心组件，其重要性不言而喻。与此同时，
三星正努力追赶业内领头羊SK海力士，
三星电子宣布扩大与Arm合作
三星电子旗下
芯片代工部门与全球知名的半导体技术公司Arm
宣布了
一项重要合作。双方将共同努力，针对
三星的Gate-All-Around（GAA
三星电子与NAVER合作
来源：Silicon Semiconductor 两家公司打算将半导体设计和制造能力与经过验证的人工智能功能相结合，以最大限度地提高
大规模人工智能模型的
速度和功效。
三星电子和NAVER
宣布
据报道，三星将推迟泰勒大型工厂的大规模芯片生产至2025年
来源：Austin American-Statesman 据媒体报道，
三星位于美国泰勒市的大型制造工厂可能要到2025年才能开始
大规模生产半导体
芯片，与其预计的
投产日期相比，推迟了至少
三星目标2025年主导汽车存储市场 公布路线图
根据
三星公布的产品发展蓝图，到2024年将推出2
gb至24
gb容量、最大68
gb/s
速度、每频道带宽为8.5gbps的561fbga形态的l
三星和SK海力士差距在哪里？
238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的
芯片，生产效率比
上一代的 176 层提升了 34%。此产品的数据传输
速度为每秒 2.4
Gb，号称比
上一
发表于11-20 15:33
•
673次阅读
工商网监
评论