新型纳米器材诞生，比晶体管运行速度快100倍
（文章来源：小蓝枣）
EPFL研究员开发出了一种比现今最快的晶体管运行速度快十倍器件，并且新设备在运行速度上也比当前计算机中的晶体管快100倍左右。其中，他们发明的纳米级设备可以产生高频率太赫兹波。经过对相关信息的了解，我们发现这种波很难产生，虽然这种波很难产生，但是它有着广阔的应用前景，比如成像、传感、高速无线通道等。
据研究员表示，纳米级设备的高功率皮秒操作可能有助于医疗技术的发展，包括癌症的治疗等。太赫兹波是一种介于微波和红外辐射之间的电磁波，其频率震荡在每秒10亿到30亿万次。太赫兹波因为其能够穿透纸张、衣物、木材、墙壁等独特的能力而受到追捧。
除此之外，这些电波还具备携带数据的功能，这样的话就为无线网络创造了更多无限的可能，据了解这些波都是非电离状态，不会对人类的身体产生伤害。而科学家们创造的技术就可以安装在芯片上，这样芯片就可以安装到智能手机或者是其他的与人接触的智能设备上。
10皮秒范围内从10V到100V的电压，通过这种电压的急速上升来产生“火花”，这种设备可以接受5000万个信号，从而使火花一直不断的持续。
（责任编辑：fqj）
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶体管
+关注
关注
77文章
9682浏览量
138077 -
纳米器件
+关注
关注
0文章
19浏览量
7919
发布评论请先 登录
相关推荐
晶体管与场效应管的区别 晶体管的封装类型及其特点
晶体管与场效应管的区别 工作原理 ： 晶体管 ：晶体管（BJT）基于双极型晶体管的原理，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
6G测试速度达938Gbps,比5G速度快5000倍
智能手机网络连接速度的5000倍。典型的5G运行速度约为200Mbps，而在实际使用中，由于信号连接问题，其提供的速度往往远低于100Mbp
NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管
CMOS晶体管和MOSFET晶体管的区别
CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色，但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
晶体管时间继电器的工作原理
晶体管时间继电器，作为一种关键的电子控制元件，在现代自动化控制系统、通信系统以及工业生产中扮演着重要角色。其利用晶体管的特性实现时间延迟控制，具有结构简单、响应速度快、工作可靠等优点。
晶体管计算机的诞生和特点
晶体管计算机的诞生标志着计算机技术的一个重要里程碑，它不仅推动了计算机硬件的革新，还促进了计算机软件技术的发展。以下是对晶体管计算机诞生及其特点的详细阐述。
PNP晶体管符号和结构 晶体管测试仪电路图
PNP晶体管是一种双极性晶体管，用于电子电路中放大、开关和控制电流的器件。与NPN晶体管相对应，PNP晶体管的结构特点在于其三个不同的半导体区域：正极（P型）、负极（N型）、正极（P型
晶体管功率继电器的基本介绍
晶体管功率继电器是一种利用晶体管作为开关元件的功率继电器。它具有体积小、重量轻、响应速度快、寿命长等优点，广泛应用于各种电子设备和系统中。 工作原理 晶体管功率继电器的工作原理是利用
晶体管的分类与作用
在现代电子科技领域，晶体管无疑是最基础且重要的元件之一。自1947年第一只晶体管在美国贝尔实验室诞生以来，它便以其独特的性能和广泛的应用前景，迅速改变了电子工业的面貌。晶体管不仅为微电
如何提高晶体管的开关速度，让晶体管快如闪电
跑得快首先就得让晶体管减肥，也就是减小晶体管的尺寸。就像短跑运动员的肌肉紧凑有力，小尺寸的晶体管电荷走的路程短，自然速度就
2024年英伟达GTC大会揭晓新一代GPU架构Blackwell
陆行之表示，相比于其前身“Hopper”100的800亿晶体管，“Blackwell”100拥有的2080亿晶体管数量超过了前者1280亿。此外，尽管两款GPU均采用台积电的4
什么是达林顿晶体管？达林顿晶体管的基本电路
达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管放大的电流
有什么方法可以提高晶体管的开关速度呢？
在其内部移动的时间越短，从而提高开关速度。因此，随着技术的进步，晶体管的尺寸不断缩小。例如，从70纳米（nm）缩小到现在的7纳米。 2. 新材料：研究人员一直在研究新材料，以替代传统的
可性能翻倍的新型纳米片晶体管
IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道
工商网监
评论