在今年,全球闪存厂商都在集体奔向100+层,例如SK海力士的128层已经稳定出货,并计划在年底推出196层内存,三星、镁光、西数、Intel也都已经突破了百层。近期,国内长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示,将跳过96层,直接投入128层闪存的技术研发和量产。
在接受采访时,长江存储CEO杨士宁表示,虽然受到疫情影响,128层闪存的研发进度受到了一些阻碍,但是现在长江存储已经完全复工,已经在抓紧追赶,不会影响到整体进度,按照原计划,预计在今年就将推出128层闪存。
长江存储晶圆
长江存储不仅仅在堆叠层数上追上了国际前沿水准,还在自主研发Xtacking堆栈架构的2.0版本,此版本重点强化了闪存的性能和功能,这些方面的升级,也是长江闪存跳过96层,直接上128层的保障。
责任编辑:gt
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网
网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1782浏览量
114890 -
长江存储
+关注
关注
5文章
324浏览量
37882
发布评论请先 登录
相关推荐
长江存储否认“借壳上市”传闻
近日,中国领先的存储芯片制造商长江存储针对市场上流传的“借壳上市”传闻,正式发表了澄清声明。 有媒体报道称,长江存储计划通过“借壳上市”的方
江波龙加大研发投入,转型综合型半导体存储品牌
近日,江波龙公司持续加大研发投入,2024年公司管理与销售费用呈现阶段性增长。在研发方面,公司坚定投入,前三季度研发费用同比有所增长。随着多
铠侠量产四层单元QLC UFS 4.0闪存
近日,铠侠宣布成功量产业界首款采用四层单元(4LC)技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS,拥有更高的位密
联合电子首款800V高压平台逆变砖产品实现量产交付
近日,联合电子首款800V高压平台逆变砖产品实现量产交付,标志着联合电子在新能源汽车电控领域的又一突破。
格科微:5000万像素图像传感器实现量产出货
格科微于10月13日发布公告,宣布其5,000万像素图像传感器产品已成功实现量产出货。该产品建立在格科微已量产的3,200万像素图像传感器技术基础上,采用了先进的单芯片高像素CIS架构。通过运用独特
长江存储使用国产设备制造出3D NAND闪存芯片
9月20日最新资讯指出,长江存储面对美国出口禁令及被列入实体清单的双重挑战,展现出了强大的自主创新能力,成功引入国产半导体设备以部分替代原有美系设备,实现了供应链的自立自强。
SK海力士加速NAND研发,400+层闪存量产在即
韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准
美光率先量产232层QLC NAND产品
美光科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232层QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满足了客户端对数据存储的高需求,同
美光232层QLC NAND现已量产
美光科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,美光还推出了2500 NVMeTM S
美光232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品
美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导
铠侠计划2030-2031年推出千层级3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)
目前,铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术,他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存,这项产品能达到的传输速度高达3200M
长江存储QLC闪存寿命实现重大突破
根据官方介绍,长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读取、写入速度都有着接近100%的提升。
发表于 04-03 15:04
•702次阅读
长江存储:QLC闪存已完成4000次P / E擦写,采用第三代Xtacking技术
值得注意的是,长江存储首席技术官(CTO)霍宗亮指出,NAND闪存行业已经在饱受煎熬的2023年逐步复苏,并有望在2023~2027年间实现
评论