中国128层QLC闪存后三星正研发160层闪存-德赢Vwin官网网

上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进，三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3D闪存。

对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。

不过每家的技术方案不同，东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的，美光、SK海力士有128层的，Intel的是144层，而且是浮栅极技术的，三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，今年也是量产的主力。

在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。

目前160层+的3D闪存还没有详细的技术信息，韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

对了，单从层数上来说，三星的160层+还不是最高的，SK Hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存，不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表德赢Vwin官网网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

闪存

闪存

+关注

关注
16

文章
1782

浏览量
114890
三星电子

三星电子

+关注

关注
34

文章
15859

浏览量
180979
TLC

TLC

+关注

关注
0

文章
136

浏览量
51511

三星MLC NAND闪存或面临停产传闻

的广泛关注。然而，三星电子并未对这一传闻进行正面回应，反而强调市场传言不实，并表示未来将持续生产MLC NAND闪存。尽管如此，多家供应链业者仍指出，三星在年底进行的人事大改组后，产

发表于 11-21 14:16 •202次阅读

铠侠量产四层单元QLC UFS 4.0闪存

近日，铠侠宣布成功量产业界首款采用四层单元（4LC）技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存相较于传统的TLC UFS，拥有更高的位密度，使其在存储需求日益增长的移动应用程序领域

发表于 10-31 18:22 •1702次阅读

三星与铠侠计划减产NAND闪存

近日，据供应链消息，三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产，并预计根据市场状况分阶段实施。

发表于 10-30 16:18 •277次阅读

三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND

三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅

发表于 09-12 16:27 •567次阅读

SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即

韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生

发表于 08-02 16:56 •1085次阅读

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上，三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑：三星已与其他公司合作，成功研发出16层3D DRAM技术。同时，他透露

发表于 05-29 14:44 •791次阅读

3D NAND闪存来到290层，400层+不远了

德赢Vwin官网网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第

发表于 05-25 00:55 •3730次阅读

3D NAND<b class='flag-5'>闪存</b>来到290<b class='flag-5'>层</b>，400<b class='flag-5'>层</b>+不远了

美光232层QLC NAND现已量产

美光科技近日宣布了重大技术突破，其先进的232层QLC NAND闪存已成功实现量产，并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘（SSD）中。此外，美光还推出了2500 NVMeTM SSD，该产品已面向企业级存储客户大规模生产，

发表于 05-06 10:59 •650次阅读

三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，采用290层双重堆叠技术

作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采

发表于 04-28 10:08 •753次阅读

三星量产第九代V-NAND闪存芯片，突破最高堆叠层数纪录

三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND）闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND

发表于 04-18 09:49 •668次阅读

三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。

发表于 04-17 15:06 •599次阅读

三星九代V-NAND闪存或月底量产，堆叠层数将达290层

据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC

发表于 04-12 16:05 •839次阅读

三星研发CXL混合存储模组，实现闪存与CPU数据直传

据三星展示的图片显示，此模组可以通过CXL接口在闪存部分及CPU之间进行I/O块传输，也可以运用DRAM缓存和CXL接口达到64字节的内存I/O传输。

发表于 03-21 14:31 •829次阅读

三星计划NAND闪存价格谈判欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存

发表于 03-14 15:35 •551次阅读

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。

发表于 02-01 10:35 •781次阅读

搜索历史

中国128层QLC闪存后三星正研发160层闪存

评论