1 科锐正在推进从硅向碳化硅的产业转型-德赢Vwin官网 网
0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

科锐正在推进从硅向碳化硅的产业转型

h1654155972.6010 来源:高工LED 作者:高工LED 2020-09-15 13:56 次阅读

在科锐 (Cree, Inc., 美国纳斯达克上市代码: CREE),我们正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于我们开创性 Wolfspeed 技术的需求,以支持电动汽车 (EV)、4G/5G 通信工业市场的不断增长,我们于去年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。

科锐目前正在纽约州 Marcy 建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂,将满足车规级标准和 200mm 工艺。与此同时,位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显著提升用于 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能,将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。

科锐首席执行官 Gregg Lowe 先生表示:“科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入,以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。” 关

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表德赢Vwin官网 网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 科锐
    +关注

    关注

    1

    文章

    86

    浏览量

    23706
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    2748

    浏览量

    49018

原文标题:【明微电子·市场动态】科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能

文章出处:【微信号:weixin-gg-led,微信公众号:高工LED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅在半导体产业中的发展

    碳化硅(SiC)在半导体产业中的发展呈现出蓬勃的态势,其独特的物理和化学性质使其成为新一代高性能半导体材料的佼佼者。以下是对碳化硅在半导体产业中发展的分析: 一、
    的头像 发表于 11-29 09:30 345次阅读

    碳化硅衬底,进化到12英寸!

    德赢Vwin官网 网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地,进入试产
    的头像 发表于 11-21 00:01 2342次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底,进化到12英寸!

    碳化硅功率器件的工作原理和应用

    碳化硅(SiC)功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的(Si)基功率器件,碳化硅具有许多独特的优点,使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本文将探讨
    的头像 发表于 09-13 11:00 535次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和应用

    碳化硅功率器件的优点和应用

    碳化硅(SiliconCarbide,简称SiC)功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有显著优势。本文将深入探讨碳化硅
    的头像 发表于 09-11 10:44 497次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的优点和应用

    碳化硅和晶体谁的熔点高

    1.碳化硅和晶体的熔点比较,碳化硅的熔点更高。 具体来说,碳化硅的熔点大于2700℃,并且其沸点高于3500℃。而晶体的熔点则为1410
    的头像 发表于 08-08 10:15 1126次阅读

    碳化硅晶圆和晶圆的区别是什么

    以下是关于碳化硅晶圆和晶圆的区别的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有比(Si)更高的热导率、电子迁移率和击穿电场。这使得
    的头像 发表于 08-08 10:13 1398次阅读

    碳化硅MOS在直流充电桩上的应用

    MOS碳化硅
    瑞森半导体
    发布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅器件的类型及应用

    碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料,具有比传统更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作,同时保持稳定性和效率。
    发表于 04-16 11:54 725次阅读

    碳化硅MOSFET与MOSFET的应用对比分析

    碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点, 是替代高压MOSFET 的理想器件之一。
    的头像 发表于 04-01 11:23 2275次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET与<b class='flag-5'>硅</b>MOSFET的应用对比分析

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK
    发表于 03-08 08:37

    碳化硅产业链图谱

    共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片,制成耐高温、耐高压的
    的头像 发表于 01-17 17:55 639次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>产业</b>链图谱

    碳化硅特色工艺模块简介

    材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳
    的头像 发表于 01-11 17:33 851次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工艺模块简介

    碳化硅相对传统半导体有什么有缺点

    碳化硅(SiC)和传统半导体(Si)是两种常见的半导体材料,它们在电子器件制造中具有广泛的应用。然而,碳化硅相对于传统半导体具有一定的优缺点。 优点: 更高的热导率:
    的头像 发表于 01-10 14:26 1839次阅读

    碳化硅的特性、应用及动态测试

    SiC是碳化硅的缩写。它是一种由原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称,是一种用途广泛的材料。
    的头像 发表于 01-09 09:41 1022次阅读