光敏二极管的主要参数有哪些
光敏二极管的反向直流电阻在无光照时可达到几兆欧；有光照时，下降到几百欧左右。其主要参数如下。
1．最高工作电压
最高工作电压也称为最高反向工作电压。它是指无光照时，光敏二极管中反向电流≤0.2~0.3uA时允许的高反向电压。该电压一般为10-50V。
2．光电流la
光电流I啊是指在受到一定的光照及最高工作电压下流过管子的反向电流。一般光电流为几十微安，并且与照度呈线性关系。光电流越大越好。
3．暗电流IB
暗电流是指在无光照且加一定反向电压时的反向漏电流与暗电流。通常在50V反向电压下的暗电流小于100uA。暗电流要求尽量小。光敏二极管的暗电流随温度变化而变化，如硅光敏二极管的IB值，在环境温度升高30-40℃时将增大10倍。因此，在要求稳定性高的电路中，需要考虑进行温度补偿。
4．光谱响应特性
不同类型的光电二极管，其光谱特性和峰值波长都不相同。图3-10画出了硅光敏二极管和锗光敏二极管的光谱特性曲线。从该曲线可看出，锗管的光谱范围要比硅管宽，硅光敏二极管的光谱范围为400 -1100nm，其峰值波长为880 - 900nm，其与GaAs红外发光二极管的波形相匹配，可获得较高的传输效率。锗光敏二极管的峰值波长约为14 650A（1A= O.1nm），在采用同样的白炽灯作为光源时，它的光电池比硅管的大。
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